存储器产线加速半导体产能扩展

　　根据市场研究公司IC Insights的资料，新的半导体制造产线——特别是DRAM存储器的导入，预计将推动2018年和2019年的晶圆总产能高于平均水准。

　　IC Insights最新的全球晶圆产能报告显示，2018年和2019年晶圆产能预计将成长8%，较2018年至2019年间晶圆产业的年平均成长更高约5%。

　　去年由于DRAM和NAND闪存库存短缺导致价格上涨，这使得半导体产业的销售额首次突破了4,000亿美元。据世界半导体贸易统计组织(WSTS)统计，去年存储器营收成长了61.5%，其中，DRAM销售额增加76.8%，NAND销售额则增加了47.5%。

　　IC Insights表示，韩国三星电子(Samsung Electronics)和海力士(SK Hynix)都计划在2018、2019年提高DRAM产能。除了美光(Micron)、英特尔(Intel)、东芝(Toshiba)和中国长江存储科技(Yangtze River Storage Technology)，这些存储器厂商也计画在未来几年大幅提升3D NAND闪存容量。

　　根据IC Insights的资料，从2017年到2022年，晶圆产能预计每年将成长6%。

　　IC Insights表示，如果2019年规划的新产能按计划上线，该年度所增加的半导体制造产能将达到相当于2007年创纪录的1,800万片晶圆。IC Insights认为，这一预估数字是在假设中国的NAND产能将较预期更慢的前提下统计而来的。(编按：IC Insight先前曾估计中国在自行研发的3D NAND量产之前会先遇到大规模的专利诉讼问题，以至量产时间延后。参考阅读：中国拼存储器得先打专利战?)