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明年上半年DRAM吃紧、NAND恐供大于求

作者:时间:2017-12-25来源:集微网收藏

  内存明年市况恐将不同调,市场仍将持续吃紧, Flash市场则将于明年上半年转为供过于求。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/201712/373478.htm

   Flash 市场今年都处于供不应求状态,产品价格同步高涨,只是业界普遍预期,明年 Flash 市况恐将不同调。

  内存模块厂创见指出,DRAM 市场供货持续吃紧,价格未见松动迹象。 NAND Flash 方面,随着 3D NAND Flash 技术日益成熟,生产良率改善,可望填补供货缺口。

  另一内存模块厂威刚表示,短期内全球 DRAM 大厂仍理性看待产能议题,并未有大幅破坏产业生态的计划,持续正面看待 DRAM 市况。

  NAND Flash 方面,威刚指出,随着供货商 3D NAND Flash 良率逐步改善,预期明年第 1 季整体供需将出现转变。

  美光预期,明年 DRAM 位供给将增加约 20%,市场环境仍将持续健康;NAND Flash 位供给则将增加近 50%,供给增加幅度将远高于 DRAM。



关键词: DRAM NAND

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