高通正式公布骁龙835 基于三星10nm工艺

　　上周有消息传出称高通新一代旗舰处理器将更名，按照高通的命名惯例，高通明年的新款旗舰处理器应该就是骁龙830，不过传闻称高通可能将之命名为骁龙835或者骁龙850。而就在外界还在纳闷或者是猜测该传闻的真实性的时候，高通突然宣布了下一代旗舰处理器的确将命名为骁龙835，而且将继续与三星合作，采用后者最新的10nm FinFET工艺制程。

　　高通当前最新的骁龙820和骁龙821旗舰处理器均基于三星的14nm芯片工艺，性能表现颇为可观，骁龙835采用三星的10nm工艺并不让人意外。三星在今年10月份宣布他们以全球首家的身份开始量产10nm FinFET工艺制程芯片，根据三星公布的数据，相比14nm工艺，10nm LPE性能提升27% ，功耗降低40%，提升30%的面积效率。

　　高通产品管理高级副总裁Keith Kressin表示：“我们很高兴继续与三星公司合作，共同开发移动行业的领先产品。全新的10nm工艺将让我们顶级的骁龙835处理器在能效以及性能方面有大幅的提升，同时也让我们能够为之加入更多的功能，以提升未来移动设备的用户体验。”

　　骁龙835当前已经开始生产，首批搭载该处理器的设备预计将会在2017年上半年上市。