SiC耐压更高，适合工控和EV

　　SiC是这两年刚刚兴起的，主要用在工控/工业上，例如产线机器人、逆变器、伺服等。车辆方面，主要是电动车(EV)，此外还有工厂车间的搬运车等特种车。

　　相比IGBT，SiC有一些特点，可以做到高频;做成模块后，由于适应适应高频，外围器件例如电感你可以减小。因此电压方面，ROHM推荐1200V的产品，这可体现出耐高压的特点。

　　现在ROHM SiC模块中，300A是量产中最大的电流(如图)，由几个芯片并联在一起的。如果一个芯片40A左右，就需要约七八个芯片并联，面积只有单个芯片那么大。绝缘层是由氧化铝等其他成分组成。

　　ROHM的新产品有“全SiC”功率模块，特点是高速开关，低开关损耗，高速恢复，消除寄生二极管通电导致的元件劣化问题，可用于电机驱动、逆变器、转换器、太阳能发电、风力发电、感应加热设备等。此外，ROHM的SiC二极管产品——第2代SiC肖特基势垒二极管实现了小级别的低VF,有小级别的正向电压、快速恢复特性，开关损耗显著降低，可用于太阳能功率调节器，开关电源，EV/HEV逆变器和充电器等。

　　不过，和IGBT相比，SiC成本目前还不占优势。SiC二极管比硅二极管产品贵两三倍，SiC的MOSFET比硅MOSFET贵三到五倍。电动汽车上的模块产品比IGTB的模块贵五倍以上。因为模块更难封装，原材料也更贵。