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ROHM面向性能日益提升的ADAS传感器和雷达应用开发出 300mA输出的小型车载LDO稳压器“BUxxJA3DG-C系列”

  • 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向汽车ADAS(高级驾驶辅助系统)中的传感器和雷达等性能日益提升的小型车载应用,开发出LDO稳压器*1IC“BUxxJA3DG-C系列(BU12JA3DG-C、BU15JA3DG-C、BU18JA3DG-C、BU25JA3DG-C、BU30JA3DG-C、BU33JA3DG-C)”。               近年来,在汽车领域,随着事故防止和自动驾驶技术的创新,对安全性能
  • 关键字: ROHM  车载LDO稳压器  

ROHM面向高端ADAS开发出业界超稳定运行的DC-DC转换器IC“BD9S402MUF-C”

  • 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)面向包括车载传感器和摄像头等在内的ADAS(高级驾驶辅助系统)、信息娱乐系统等日益复杂的车载应用,开发出一款降压型DC-DC转换器IC*1“BD9S402MUF-C”。近年来,在汽车领域,随着事故防止和自动驾驶技术的创新,对安全性能的要求也越来越高。与此同时,控制包括车载传感器和摄像头在内的ADAS系统的SoC和微控制器也日益复杂(为提高处理能力而提高电流、为省电而降低电压),这就要求向它们供电的电源IC,要在负载电流波动的严苛条件下,也能更稳定地运行。为了
  • 关键字: ROHM  ADAS  DC-DC转换器  

ROHM用于车载多屏显示器的串行/解串器支持全高清并助力功能安全

  • 智能座舱已经成为如今汽车特别是新能源汽车的标配,随着智能座舱功能越来越多,对汽车座舱的屏幕显示技术的要求越来越高,如何满足越来越复杂的屏幕显示需求,已经成为诸多半导体厂商面临的新挑战。随着电子后视镜和液晶仪表盘的普及,每辆车安装的显示器数量随之增加,视频传输路径也变得更加复杂,这必然会导致系统成本和故障风险增加,因此简化视频传输路径一直是亟需解决的课题。另外,由于电子镜上的图像卡顿和仪表盘上的指示灯图标不亮等问题可能会导致严重事故,所以融入功能安全设计也非常重要。近日,全球知名半导体制造商ROHM面向多屏
  • 关键字: ROHM  车载多屏显示器  串行/解串器  全高清  功能安全  

ROHM开发出使用纳法级超小电容车载LDO稳压器“BD9xxN1系列”

  • Nano Cap 技术为解决电容问题开拓了小型化和稳定化新领域全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向汽车动力总成系统、车身和汽车信息娱乐系统等广泛的车载应用的一次(直接连接12V电池)电源,开发出车载LDO稳压器*1 IC“BD9xxN1系列(BD950N1G-C、BD933N1G-C、BD900N1G-C、BD950N1WG-C、BD933N1WG-C、BD900N1WG-C)”。近年来,随着各种设备的电子化进程加速,电子元器件的安装数量也与日俱增,为了减少元器件的尺寸和数量,对于减少常
  • 关键字: ROHM  LDO稳压器  

ROHM开发出可简化视频传输路径的车载串行/解串器“BU18xx82-M”

  • 支持全高清(Full HD)分辨率的产品且通过业界先进的端到端数据监控功能,助力功能安全全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向多屏化趋势下的车载显示器领域,开发出支持全高清分辨率(1,980×1,080像素)的SerDes IC*1(串行器:BU18TL82-M,解串器:BU18RL82-M)。近年来,随着电子后视镜和液晶仪表盘的普及,每辆车安装的显示器数量随之增加,视频传输路径也变得更加复杂,这必然会导致系统成本和故障风险增加,因此简化视频传输路径一直是亟需解决的课题。另外,由于电子镜上
  • 关键字: ROHM  视频传输  串行/解串器  

ROHM SiC技术助力SEMIKRON功率模块 打造次世代电动车

  • SEMIKRON和半导体制造商ROHM在开发碳化硅(SiC)功率模块方面已经有十多年的合作。本次ROHM的第4代SiC MOSFET正式被运用于SEMIKRON车规级功率模块「eMPack」,开启了双方合作的全新里程碑。 合作仪式留影,SEMIKRON CEO兼CTO Karl-Heinz Gaubatz先生(左),ROHM德国公司社长 Wolfram Harnack(中),SEMIKRON CSO Peter Sontheimer先生(右)此外,SEMIKRON宣布已与德国一家大型汽车制造商签
  • 关键字: ROHM  SiC  SEMIKRON  功率模块  

ROHM开发出高精度、超低功耗且支持40V电压的窗口型复位IC* “BD48HW0G-C”

  • 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向需要对电子电路进行电压监控以确保安全的各种车载和工业设备应用(包括车辆引擎控制单元和FA设备),开发出具有高精度和超低静态电流的复位IC*1(电压检测器)“BD48HW0G-C”。 近年来,在汽车和工业设备领域,围绕自动驾驶(自动化)的技术创新日新月异,对安全性的要求也越来越高。与此同时,为了构建更安全的系统,要求在设备开发过程中就要考虑到在发生问题时如何确保安全(故障安全和功能安全)。目前,ROHM已开发出1,000多种复位IC,这些是电子
  • 关键字: ROHM  复位IC  

ROHM开发出实现了低损耗性能和超低噪声特性的 第4代快速恢复二极管“RFL/RFS系列”

  • 有助于提高空调、电动汽车充电桩等的电源效率并为减少噪声对策做出贡献全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向在空调和电动汽车充电桩等需要大功率的工业设备和消费电子设备,开发出实现了低VF和高速trr特性*1以及超低噪声特性的第4代快速恢复二极管(以下称“FRD”)650V耐压“RFL/RFS系列”。近年来,随着全球电力消耗量的增加,如何有效利用电力已成为亟待解决的课题。其中,高功耗的白色家电和电动汽车充电桩等工业设备不仅需要提高电源电路的效率,还需要减轻降噪设计的负担。在这种背景下,ROHM推
  • 关键字: ROHM  FRD  

驱动器源极引脚的效果:双脉冲测试比较

  • 在上一篇文章中,我们通过工作原理和公式了解了有无驱动器源极引脚的差异和效果。有驱动器源极引脚的MOSFET可以消除源极引脚的电感带来的影响,从而可降低开关损耗。在本文中,我们将通过双脉冲测试来确认驱动器源极引脚的效果。・具备驱动器源极引脚,可以大大降低导通损耗和关断损耗。・如果ID导通峰值或VDS关断浪涌因开关速度提升而增加,就需要采取对策。在上一篇文章中,我们通过工作原理和公式了解了有无驱动器源极引脚的差异和效果。有驱动器源极引脚的MOSFET可以消除源极引脚的电感带来的影响,从而可降低开关损耗。在本文
  • 关键字: ROHM  驱动器  

可轻松实现无线供电功能的13.56MHz无线充电模块

  • 【导读】近年来,在智能手机和智能手表等众多的应用领域,由于可以取消充电端口并提高防水和防尘性能,无线供电功能的应用越来越广泛。同样,在小型薄型设备领域,对这种非常方便的无线供电功能的需求也日益增长。另一方面,由于天线形状、尺寸和距离等因素会影响到能否实现供电功能以及供电效率,因此需要在电子设备整机上反复进行试制、调整、评估等工作之后才能实现无线供电功能,这使得天线设计和布局设计方面的开发负担非常繁重。因此,业内对于更好地通用于小型设备的无线供电标准和方式的期望值越来越高。无线供电方式及其特点无线供电方式有
  • 关键字: ROHM  无线充电  

同时实现业界超快反向恢复时间和超低导通电阻的 600V耐压超级结 MOSFET “R60xxVNx系列” ~非常有助于降低工业设备和白色家电的功耗~

  • 全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)的600V耐压超级结 MOSFET“PrestoMOS™”产品阵容中又新增了“R60xxVNx系列”的7款机型,新产品非常适用于电动汽车充电桩、服务器、基站等需要大功率的工业设备的电源电路、以及空调等因节能趋势而采用变频技术的白色家电的电机驱动。近年来,随着全球电力消耗量的增加,如何有效利用电力已成为亟待解决的课题,在这种背景下,电动汽车充电桩、服务器和基站等工业设备以及空调等白色家电的效率不断提升,因此也就要求其中所用的功率半导体进一步降低功率损耗。针对这种
  • 关键字: UPS  PrestoMOS  ROHM  

ROHM建立8V闸极耐压150V GaN HEMT量产体制

  • 半导体制造商ROHM已建立150V耐压GaN HEMT GNE10xxTB系列(GNE1040TB)?的量产体制,该系列产品的闸极耐压(闸极-源极间额定电压)高达8V,非常适用于基地台、数据中心等工控设备和各类型IoT通讯装置的电源电路。 EcoGaN首波产品 GNE10xxTB系列?有助基地台和数据中心实现低功耗和小型化一般来说,GaN组件具有优异的低导通电阻和高速开关性能,有助降低各种电源功耗和实现外围组件小型化。但其闸极耐压很低,因此在开关工作时的组件可靠性方面尚存在课题。针对该课题,RO
  • 关键字: SiC  GaN  ROHM   

ROHM确立栅极耐压8V的150V GaN HEMT量产体制

  • 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)已确立150V耐压GaN HEMT*1“GNE10xxTB系列(GNE1040TB)”的量产体制,该系列产品的栅极耐压(栅极-源极间额定电压)*2高达8V,非常适用于基站、数据中心等工业设备和各种物联网通信设备的电源电路。一般而言,GaN器件具有优异的低导通电阻和高速开关性能,因而作为有助于降低各种电源的功耗和实现外围元器件小型化的器件被寄予厚望。但其栅极耐压很低,在开关工作时的器件可靠性方面存在问题。针对这一课题,ROHM的新产品通过采用自有的结构,成功
  • 关键字: ROHM  150V  GaN  HEMT  

罗姆SiC评估板测评:快充测试

  • 一、测试工装准备1、P02SCT3040KR-EVK-001测试板2、电压源3、示波器4、负载仪二、测试项目进行1、安装 SIC后的空载波形SiC安装空载波形空板,空载GS 为100hz 25V 信号2、DCDC 在线测试1)空载测试驱动空载输出12V,gs驱动为200hz总宽度3.6uS的锥形信号2)加载  24转55V  2A dcdc驱动信号波形如下:带载 6.6k 15V驱动信号单脉冲宽度,3uS左右总结由于轻负载,温度始终未超过50度。开关速度方面优于硅基产品,以后有对应设备
  • 关键字: SiC  碳化硅  MOSFET  ROHM  

罗姆SiC评估板测评:射频热凝控制仪测试

  • 测试设备①直流电源由于手上没有高电压的直流电源,只能使用一般的电源,且手上只有一个低压直流稳压源,所以这稳压电源既用于给开发板电源供电,又用于半桥母线电源。②电子负载半桥电源电源的输出负载,可恒流或者恒压或者恒负载,测试电源的带载能力非常好用。③信号发生器产生不同频率的可调制的方波信号,用于MOS管的驱动④示波器观察驱动信号、输出信号、MOS管的波形⑤万用表测量各测试点的电压⑥温度巡检仪测量带载后MOS管的温度测试拓扑将说明书中电路按照上述描述修改:两个直流电源换成CBB电容,在Hvdc母线上加上12V电
  • 关键字: SiC  碳化硅  MOSFET  ROHM  
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rohm介绍

Rohm株式会社为全球知名的半导体生产企业,ROHM公司总部所在地设在日本京都市,1958年作为小电子零部件生产商在京都起家的ROHM,于1967年和1969年逐步进入了 晶体管、二极管领域和IC等半导体领域.2年后的1971年ROHM作为第一家进入美国硅谷的日本企业,在硅谷开设了IC设计中心.以当时的企业规模,凭借被称为"超常思维"的创新理念,加之年轻的、充满梦想和激情的员工的艰苦奋斗,ROHM [ 查看详细 ]

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