全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出PMIC*1“BD968xx-C系列”和DrMOS*2“BD96340MFF-C”相结合的新电源解决方案，该方案非常适用于ADAS（高级驾驶辅助系统）、DMS（驾驶员监控系统）和感测摄像头等车载应用的SoC*3。 该解决方案可根据SoC的应用场景和性能要求，灵活组合Main Configurable PMIC*4、Sub PMIC和DrMOS，从而能够支持从低端到高端的各类SoC，并可根据其处理性能和功能实现具备扩展性的
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ROHM
车载SoC
电源
ADAS
DMS
这款全新 NFC 无线充电芯片组采用 13.56MHz 工作频段，搭载免主控 MCU 架构，能够大幅简化智能戒指等超小型可穿戴设备的无线供电方案设计与集成工作。目前无线充电技术已在大型消费电子产品中普及，但想要将该技术落地应用到智能戒指这类微型设备上，还面临诸多难题。这类产品内部空间十分有限，充电线圈难以布局，传统 Qi 无线充电方案从设计之初就不适用于这类极小尺寸终端。 罗姆 ML7670 接收端芯片实物图 罗姆 ML7670 接收芯片专为空间与天线尺寸极度受限的超小型可穿戴设备量身打造。针对
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ROHM
ML7670
ML7671
NFC无线充电
免MCU架构
可穿戴设备
智能戒指
低功耗无线供电
高集成充电芯片
罗姆（ROHM）开发了一套专为智能戒指、智能手环等超小型可穿戴设备，以及智能笔等外设设计的无线供电芯片组，包含接收端 ML7670 与发射端 ML7671，兼容 NFC 近场通信技术。智能戒指市场近年来在健康与运动场景下快速增长，但这类佩戴在手指上的超小型设备，有线充电非常不便；而传统 Qi 无线充电受线圈尺寸限制，也难以实现。因此，市场对近距离无线供电方案的需求日益迫切。在此背景下，基于 NFC 的无线充电方案正受到广泛关注 —— 其工作在 13.56MHz 高频段，支持天线小型化，正在新一代可穿戴设备
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ROHM
ML7670
ML7671
NFC 无线充电
WLC 2.0
智能戒指
可穿戴设备
250mW 无线供电
超小型无线充电芯片
编者按ROHM 进⼊中国市场多年，在功率器件、汽车电⼦、⼯业控制等领域积累了扎实的技术基础。近⼏年，随着新能源汽车、⼯业⾃动化以及 AI 服务器等新应⽤不断发展，ROHM 的技术能⼒也在进⼊更多值得关注的场景。如果要理解⼀家长期深耕功率半导体及相关领域的公司，不能只看它的某⼀条产品线，也不能只看某⼀个应⽤场景。ROHM 更适合放到⼀个更完整的框架⾥去理解：它不只是产品线较为完整的⼚商，也是在多个关键应⽤场景中持续建⽴技术能⼒和系统价值的半导体公司。基于这样的理解，EEPW 策划了这⼀组系列内容，希望从媒体
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ROHM
功率器件
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出兼具业界超低动态电阻（Rdyn）*1和超低电容特性的ESD（静电放电）保护二极管*2“RESDxVx系列”。该系列产品适用于需要高速数据传输的众多应用领域。近年来，在工业设备和车载市场，高速信号传输的普及与电子设备的小型化、高性能化趋势日益显著。相应地，系统（电路板、模块）层面对所需的ESD防护措施要求越来越严苛。另一方面，随着多功能化、高性能化、微细化技术的发展，IC对电气过载（EOS）和静电放电（ESD）的耐受能力呈下降趋势。因此，对于兼
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ROHM
10Gbps
高速I/F
ESD
保护二极管
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，针对智能戒指、智能手环等小型可穿戴设备以及智能笔等小型外围设备应用，推出支持近场通信技术（NFC，近距离非接触式无线通信技术）的无线供电IC芯片组“ML7670（接收端）”和“ML7671（发射端）”。近年来，以医疗保健和健身用途为核心的智能戒指市场发展迅速。但挑战在于对佩戴在手指上的环形超小设备而言，很难进行有线供电；而且常用的Qi标准*1无线充电技术也因线圈尺寸等因素的限制而难以运用。因此，业内将目光投向能在小型设备上实现可靠充电的近场供电方
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ROHM
无线供电
芯片组
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，在官网发布了搭载EcoSiC™品牌SiC塑封型模块“HSDIP20”、“DOT-247”、“TRCDRIVE pack™”的三相逆变器电路参考设计“REF68005”、“REF68006”及“REF68004”。设计者可利用此次发布的参考设计数据制作驱动电路板，与ROHM的SiC模块组合使用，可缩减实际设备评估的设计周期。在以大功率工作的功率转换电路中，SiC功率元器件虽有助于提高效率和可靠性，但外围电路设计和热设计所需的工时往往会增加。ROHM
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ROHM
SiC
模块
三相逆变器
参考设计
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，其新型SiC模块“TRCDRIVE pack™”、“HSDIP20”及“DOT-247”已开始网售。近年来，全球电力紧缺危机加剧，节能的重要性日益凸显，这促使更多的应用产品通过采用SiC产品来实现高效率的功率转换。这些产品通过Ameya360、Oneyac等电商平台均可购买。详见罗姆官方网站。样品价格型号TRCDRIVE pack™75,000日元/个（不含税）1200V A type (Small) (BST400D12P4A101
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ROHM
SiC塑封型模块
SiC
ROHM近日推出一款2012封装尺寸（2.0mm × 1.2mm）的电流检测元件——UCR10C系列，旨在满足汽车和工业系统对更高功率处理能力与可靠性的日益增长需求。该系列产品采用烧结金属结构，在保持紧凑外形的同时显著提升了额定功率。对于《eeNews Europe》的读者而言，若您正在开发电动汽车电驱系统、工业变频器或大电流直流系统，那么在标准封装尺寸内实现更高功率处理能力，有助于简化PCB布局，并可能减少电路板面积。此外，其优异的温度稳定性也有望在恶劣环境中实现更精准的电流监测。2012封装实现更高额
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ROHM
分流电阻
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，面向车载设备、工业设备、通信基础设施等所用的12V/24V系统一级*1电源，开发出搭载ROHM自有超稳定控制技术“Nano Cap™”、输出电流500mA的LDO稳压器*2 IC“BD9xxN5系列”（共18款产品）。近年来，电子设备正朝着小型化、高密度化方向发展。为了进一步节省空间并提高设计灵活性，电源电路亟需一种即使采用小容量电容器也可稳定工作的电源IC。然而，用1µF以下的输出电容实现稳定运行在技术上还存在困难。针对这一课题，ROHM在20
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ROHM
LDO稳压器
一、产品简介ROHM推出两款符合AEC-Q100车规认证的高精度电流检测放大器：BD1423xFVJ-C（支持+80V/-14V，TSSOP-B8J封装）适用于48V高压系统如电动压缩机和DC-DC转换器；BD1422xG-C（支持+40V/-14V，SSOP6封装）面向12V/5V车身控制等空间受限应用。二者均采用斩波+自稳零两级架构，内部集成精密匹配电阻，实现±1%增益精度，并在极端温度下保持稳定。即使外接RC滤波，精度不受影响，且具备负压耐受能力，简化抗干扰设计。器件已量产，提供评估板，可直接用于高
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ROHM
BD1423xFVJ-C
BD1422xG-C
高精度电流检测放大器
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）近日宣布，适用于主驱逆变器控制电路、电动泵、LED前照灯等应用的车载低耐压（40V/60V）MOSFET产品阵容中，又新增HPLF5060（4.9mm×6.0mm）封装产品。新封装产品与车载低耐压MOSFET中常见的TO-252（6.6mm×10.0mm）等封装产品相比，体积可以更小，通过采用鸥翼型引脚*1，还提高了其在电路板上安装时的可靠性。另外，通过采用铜夹片键合*2技术，还能支持大电流。采用本封装的产品已于2025年11月起陆续投入量产（样品单价50
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ROHM
MOSFET
专注于引入新品的全球电子元器件和工业自动化产品授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开售ROHM Semiconductor的ML63Q25x系列AI微控制器 (MCU)。这些先进的MCU专为工业自动化、仪器仪表、机器人、消费电子和智能家居系统而设计，可实现实时、独立于网络的AI监控和预测性维护。ML63Q25x系列可在设备故障发生前进行设备异常检测和学习，从而提高系统稳定性，同时降低维护成本和生产线停机时间。这些MCU利用ROHM专有的Soli
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贸泽
ROHM
AI MCU
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）近日宣布，开发出一款可检测高速移动物体的小型高精度接近传感器“RPR-0730”，该产品广泛适用于包括标签打印机和输送装置在内的消费电子及工业设备应用。随着工业设备和办公设备向更高性能、更多功能及更智能化方向发展，对感测技术的精度提升提出了更高要求，特别是标签打印机、样本传送装置和复印机等应用，除了通过优化生产工艺等提升速度外，还需要具备能够更精准识别目标物的技术，因此引入高速且高精度的接近传感器变得至关重要。为应对这些需求，ROHM推出采用VCSEL作为
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ROHM
VCSEL
接近传感器
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，已开始量产TOLL（TO-LeadLess）封装的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列产品。与同等耐压和导通电阻的以往封装产品（TO-263-7L）相比，其散热性提升约39%，虽然体型小且薄，却能支持大功率。该产品非常适用于功率密度日益提高的服务器电源、ESS（储能系统）以及要求扁平化设计的薄型电源等工业设备。与以往封装产品相比，新产品的体积更小更薄，器件面积削减了约26%，厚度减半，仅为2.3mm。另外，很多TOLL封装的普通产品的
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ROHM
SiC MOSFET
● 英飞凌与罗姆签署谅解备忘录，约定互为采用特定碳化硅（SiC）半导体产品的客户提供第二供应商支持● 未来，客户可在英飞凌与罗姆各自的对应产品间轻松切换，从而提升设计与采购的灵活性● 此类产品能提高汽车车载充电器、可再生能源及AI数据中心等应用场景中的功率密度英飞凌科技零碳工业功率事业部总裁Peter Wawer（左）罗姆董事兼常务执行官伊野和英（右）全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（总部位于德国诺伊比贝格，以
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英飞凌
罗姆
ROHM
SiC功率器件
SiC
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）近日宣布，推出二合一结构的SiC模块“DOT-247”，该产品非常适合光伏逆变器、UPS和半导体继电器等工业设备的应用场景。新模块保留了功率元器件中广泛使用的“TO-247”的通用性，同时还能实现更高的设计灵活性和功率密度。目前，光伏逆变器虽以两电平逆变器为主流产品，但为了满足更高电压需求，对三电平NPC、三电平T-NPC以及五电平ANPC等多电平电路的需求正在日益增长。这些电路的开关部分混合采用了半桥和共源等拓扑结构，因此若使用以往的SiC模块进行适配，
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SiC模块
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）近日宣布，针对汽车照明、汽车门锁、电动车窗等正逐步采用Zone-ECU*1的车身相关应用，推出6款不同导通电阻值的高边IPD*2（智能高边开关）“BV1HBxxx系列”，非常适合用来保护系统免受功率输入过大等问题的影响。全系列产品均符合AEC-Q100车规标准，满足对车载产品严苛的可靠性要求。随着自动驾驶和电动汽车（EV）的不断发展，汽车的电子控制越来越复杂。与此同时，从功能安全角度来看，电子保护的重要性日益凸显，以区域为单位对汽车进行管理的“Zone-E
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ROHM
Zone-ECU
高边开关
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）近日宣布，推出工作时的电路电流可控制在业界超低水平的超小尺寸CMOS运算放大器“TLR1901GXZ”。该产品非常适用于电池或充电电池驱动的便携式测量仪、可穿戴设备和室内探测器等小型应用中的测量放大器。近年来，随着便携式测量仪和可穿戴设备等由电池驱动的应用对控制精度要求的不断提高，用于量化温度、湿度、振动、压力、流量等参数的传感器以及用来放大传感器信号的运算放大器的重要性日益凸显。另一方面，在致力于实现可持续发展社会等大背景下，应用产品的小型化和节能化已成
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ROHM
CMOS运算放大器
运放
运算放大器
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）近日宣布，推出新的参考设计“REF67004”，该设计可通过单个微控制器控制被广泛应用于消费电子电源和工业设备电源中的两种转换器——电流临界模式PFC（Power Factor Correction）*1和准谐振反激式*2转换器。通过将ROHM的优势——由Si MOSFET等功率器件和栅极驱动器IC组成的模拟控制Power Stage电路，与以低功耗LogiCoA™微控制器为核心的数字控制电源电路相结合，推出基于这种模拟和数字融合控制技术的“LogiCoA
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ROHM
PFC
反激控制
电源设计
它们与外部分流电阻器一起工作，有两种基本类型：一种 （BD1423xFVJ-C） 可以在 -14 至 +80V 的共模范围内感应，工作电压范围为 2.7 至 18V，另一种 （BD1422xG-C） 可以在 -14 至 +40V 范围内感应，工作电压范围为 2.7 至 5.5V。在每种情况下，都可以选择电压增益：25、50 或 100V/V。以上情况是正确的，但有一个例外：最低增益 80V 类型的增益为 20（不是 25），并且只能为 5.5V 供电，而不是 18V – 下面的表格总结了这一细节。80V
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高侧
低侧测量
电流感应放大器
AEC-Q100
Rohm
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）”，该模型提升了收敛性和仿真速度。功率半导体的损耗对系统整体效率有重大影响，因此在设计阶段的仿真验证中，模型的精度至关重要。ROHM以往提供的SiC MOSFET用SPICE模型“ROHM Level 1（L1）”，通过提高每种特性的复现性，满足了高精度仿真的需求。然而另一方面，该模型存在仿真收敛性问题和运算时间较长等问题，亟待改进。新模型“ROHM Level 3（L3）”通过采用简化的模型
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ROHM
SPICE模型
ROHM Level 3
SiC MOSFET模型
全球先进的太阳能发电及储能系统技术的专业企业SMA Solar Technology AG（以下简称“SMA”）在其太阳能系统新产品“Sunny Central FLEX”中采用了内置罗姆新型2kV SiC MOSFETs的赛米控丹佛斯功率模块。“Sunny Central FLEX”是为大规模太阳能发电设施、储能系统以及下一代技术设计的模块化平台，旨在进一步提高电网的效率和稳定性。罗姆半导体欧洲总裁Wolfram Harnack表示：“罗姆新型2kV耐压SiC MOSFETs是为1,500V DC链路实
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罗姆
ROHM
SiC MOSFET
功率模块
太阳能
5 月 8 日，日本汽车零部件供应商电装和芯片制造商 Rohm Semiconductor 宣布建立战略合作伙伴关系，旨在加深半导体开发和生产方面的合作。两家公司援引日经新闻和 Car Watch 的报道称，该联盟将涵盖联合芯片开发、集成制造和协调原材料采购，实施细节将在稍后最终确定。电装长期以来一直从 Rohm 采购芯片，但新协议将把这种关系扩大到共同制造。双方将整合各自的半导体专业知识，共同开发专为电动汽车 （EV）、高级驾驶辅助系统 （ADAS） 和自动驾驶量身定制的模拟 IC。
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电装
Rohm
电动汽车
自动驾驶
芯片联盟
ROHM宣称其新型SiC模块已「达到业界顶级水平」，这使得安装面积显著减少。
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功率器件
ROHM
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）近日宣布，推出4in1及6in1结构的SiC塑封型模块“HSDIP20”。该系列产品非常适用于xEV（电动汽车）车载充电器（以下简称“OBC”）的PFC*1和LLC*2转换器等应用。HSDIP20的产品阵容包括750V耐压的6款机型（BSTxxx1P4K01）和1200V耐压的7款机型（BSTxxx2P4K01）。通过将各种大功率应用的电路中所需的基本电路集成到小型模块封装中，可有效减少客户的设计时间，而且有助于实现OBC等应用中电力变换电路的小型化。HS
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SiC模块
车载充电器
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）近日宣布，最新推出符合车规标准AEC-Q100*1的高精度电流检测放大器“BD1423xFVJ-C”和“BD1422xG-C”。采用TSSOP-B8J封装的“BD1423xFVJ-C”支持+80V的输入电压，适用于48V电源驱动的DC-DC转换器、冗余电源、辅助电池、电动压缩机等高电压环境。根据其增益设置可分为“BD14230FVJ-C”、“BD14231FVJ-C”和“BD14232FVJ-C”三种型号。采用小型SSOP6封装的“BD1422xG-C”支
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电流检测放大器
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出小型顶部发光型表贴近红外 (NIR)*1 LED新产品，非常适用于VR/AR*2设备、工业光学传感器、人体感应传感器等应用。近年来，在VR/AR设备和生物感测设备等领域，对使用了近红外（NIR）的先进感测技术的需求不断增加。由于这些技术用于眼动追踪、虹膜识别、血流量和血氧饱和度测量等应用，因此对精度的要求非常高。另外，应用产品的小型化、低功耗化以及设计灵活性的提升也备受重视。此外，在工业设备领域，随着精密打印机控制和自动化系统的发展，近红外LED的作
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超高光辐射强度
近红外LED
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向企业级高性能服务器和AI服务器电源，开发出实现了业界超低导通电阻*1和超宽SOA范围*2的Nch功率MOSFET*3。新产品共3款机型，包括非常适用于企业级高性能服务器12V系统电源的AC-DC转换电路二次侧和热插拔控制器（HSC）*4电路的“RS7E200BG”（30V），以及非常适用于AI服务器48V系统电源的AC-DC转换电路二次侧的“RS7N200BH（80V）”和“RS7N160BH（80V）”。随着高级数据处理技术的进步和数字化转型的加速，
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AI服务器
服务器电源
MOSFET
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）已将TOLL（TO-LeadLess）封装的650V耐压GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量产。TOLL封装不仅体积小，散热性能出色，还具有优异的电流容量和开关特性，因此在工业设备、车载设备以及需要支持大功率的应用领域被越来越多地采用。此次，ROHM将封装工序外包给了作为半导体后道工序供应商（OSAT）拥有丰富业绩的日月新半导体（威海）有限公司（ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO., LTD.，以下简称“ATX”）。
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GaN HEMT
GaN
ROHM
rohm介绍
Rohm株式会社为全球知名的半导体生产企业，ROHM公司总部所在地设在日本京都市,1958年作为小电子零部件生产商在京都起家的ROHM，于1967年和1969年逐步进入了 晶体管、二极管领域和IC等半导体领域.2年后的1971年ROHM作为第一家进入美国硅谷的日本企业,在硅谷开设了IC设计中心.以当时的企业规模，凭借被称为"超常思维"的创新理念，加之年轻的、充满梦想和激情的员工的艰苦奋斗，ROHM [
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