～非常适用于通信基站和工业设备等的风扇电机，有助于设备进一步降低功耗和节省空间～ 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向通信基站和工业设备等的风扇电机驱动应用，开发出将两枚100V耐压MOSFET*1一体化封装的双MOSFET新产品。新产品分为“HP8KEx/HT8KEx（Nch+Nch）系列”和“HP8MEx（Nch+Pch*2）系列”两个系列，共5款新机型。近年来，在通信基站和工业设备领域，为了降低电流值、提高效率，以往的12V和24V系统逐渐被转换为48V系统，电源电压呈提
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ROHM 双MOSFET
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向包括无线耳机和智能手表等可穿戴设备在内的需要脱戴检测和接近检测的各种应用，开发出2.0mm×1.0mm尺寸的小型接近传感器“RPR-0720”。 近年来，随着物联网设备的普及，在其中发挥着重要作用的传感器产品需要具备更小的体积、更高的性能。ROHM拥有将发光元件和光接收元件一体化封装的接近传感器系列产品，由于其适用性高而被广泛应用于从移动设备到工业设备的众多领域。特别是在可穿戴设备领域，由于产品的性能不断提升，导致所用的元器件数量增加，对设
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ROHM VCSEL 接近传感器 无线耳机 可穿戴设备
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向数据服务器等工业设备和AC适配器等消费电子设备的一次侧电源*1，开发出集650V GaN HEMT*2和栅极驱动用驱动器等于一体的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）。近年来，为了实现可持续发展的社会，对消费电子和工业设备的电源提出了更高的节能要求。针对这种需求，GaN HEMT作为一种非常有助于提高功率转换效率和实现器件小型化的器件被寄予厚望。然而，与Si MOSFET相
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ROHM AC适配器 GaN HEMT Si MOSFET
逆变电路主要分为单相逆变电路和三相逆变电路两类。单相逆变电路的电路图和输出电流的示意波形分别如图1和图2所示。单相逆变电路可将直流电转换为单相交流电，因此通常被用于功率调节器和不间断电源（UPS）等普通家庭的商用电源应用。关键要点・逆变电路主要分为单相逆变电路和三相逆变电路两类。・电机驱动采用可使转矩稳定、且可抑制振动和噪声的三相逆变器。・用三相逆变器驱动电机时的激励（通电）方式有方波驱动（120°激励）和正弦波驱动（三相调制、两相调制），不同的方式各有优缺点。・在本系列文章中，将以电机驱动中常用的正弦波
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ROHM 逆变电路
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向使用到磁场检测的车载应用开发出新的霍尔IC“BD5310xG-CZ / BD5410xG-CZ系列”。近年来，随着汽车的电动化和高性能化发展，以及舒适性和安全性的提高，在汽车中电子产品的应用越来越多，而控制这些电子产品的ECU（电子控制单元）和附带的传感器已成为不可或缺的组成部分。在传感器类产品中，霍尔IC能够以非接触方式进行位置检测和电机旋转检测，与机械式开关相比，具有不易磨损、体积小、可配备保护电路等诸多优点，因此其应用尤为广泛。ROHM
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ROHM 霍尔IC
开关导通时，线路和电路板版图的电感之中会直接积蓄电能（电流能量）。当该能量与开关器件的寄生电容发生谐振时，就会在漏极和源极之间产生浪涌。下面将利用图1来说明发生浪涌时的振铃电流的路径。这是一个桥式结构，在High Side（以下简称HS）和Low Side（以下简称LS）之间连接了一个开关器件，该图是LS导通，电路中存在开关电流IMAIN的情形。通常，该IMAIN从VSW流入，通过线路电感LMAIN流动。本文的关键要点・漏极和源极间的浪涌是由各种电感分量和MOSFET寄生电容的谐振引起的。・在实际的版图设
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ROHM 漏极 源极
三端稳压器是一种可以用来对电源进行降压的简单电子器件。由于降压部分直接因发热而成为热损耗，因此在从很高的电压降压时或在大电流条件下使用时，需要安装合适的散热器。研究发现，温度每升高2℃，电子元器件的不良率就会增加10%，因此，适当的散热设计对于提高电子元器件的可靠性和延长使用寿命而言至关重要。1 三端稳压器的最大电流取决于温度三端稳压器有多种类型，其最大输出电流涵盖0.5A到2A的范围。但是，在最大电流条件下使用时，需要配备合适的散热器。在三端稳压器的技术规格书中，列出了单独使用IC时和带散热器使用IC时
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ROHM 稳压器 散热
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）推出一款面向汽车内饰的RGB贴片LED*1“SMLVN6RGBFU”，非常适用于仪表盘和CID（Center Information Display）*2等车内功能和状态显示用的指示灯*3，以及脚灯和门把手灯等装饰照明应用。近年来，随着汽车电子化程度的提高和功能多样化的发展，车速自动控制、车距检测、车道线检测等各种驾驶辅助功能得以广泛应用。为了用仪表盘等的指示灯显示这些功能的工作状态，业内对于能够表现各种颜色的RGB贴片LED的需求日益高涨。另外，对使用R
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ROHM 汽车内饰 贴片LED 色差问题
全球知名半导体制造商ROHM（以下简称“ROHM”）将650V耐压的GaN（Gallium Nitride：氮化镓）HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量产，这两款产品非常适用于服务器和AC适配器等各种电源系统。据悉，电源和电机的用电量占全世界用电量的一大半，为实现无碳社会，如何提高它们的效率已成为全球性的社会问题。而功率元器件是提高它们效率的关键，SiC （Silicon Carbide：碳化硅）和GaN等新材料在进一步提升各种电源效率方面被寄予厚望。2022年，RO
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ROHM 650V GaN HEMT
新推出40V～150V耐压的共13款产品，非常适用于工业设备电源和各种电机驱动全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）新推出“RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列”共13款Nch MOSFET*1产品（40V/60V/80V/100V/150V），这些产品非常适合驱动以24V、36V、48V级电源供电的应用，例如基站和服务器用的电源、工业和消费电子设备用的电机等。近年来，全球电力需求量持续增长，如何有效利用电力已成为迫在眉睫的课题，这就要求不断提高各种电机和基站、服务器等工业设备的工作
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ROHM 超低导通电阻 Nch MOSFET
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SiC SBD”）已被成功应用于大功率模拟模块制造商Apex Microtechnology的功率模块系列产品。该电源模块系列包括驱动器模块“SA310”（非常适用于高耐压三相直流电机驱动）和半桥模块“SA110”“SA111”（非常适用于众多高电压应用）两种产品。ROHM的1,200V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的
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ROHM SiC MOSFET SiC SBD Apex 工业设备功率模块
在实际的电路设计工作中，降噪是的一项重大课题，通常，可以通过提高开关器件的栅极电阻来抑制噪声，但其代价是效率降低（损耗增加），因此很好地权衡栅极电阻值的设置是非常重要的。在本文中，我们来探讨当将开关器件的损耗抑制在规定值以下时，最大栅极电阻RG的情况。另外，由于噪声需要实际装机评估，所以在这里省略噪声相关的探讨。关键要点・增加开关元件的栅极电阻会抑制噪声，但与之存在权衡关系的效率会降低，因此很好地权衡栅极电阻值的设置是非常重要的。・将开关器件的损耗抑制在规定值以下时，其最大栅极电阻RG可以通过仿真来确认。
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ROHM PFC
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向车载和工业设备中的大功率应用，开发出12W级额定功率的业界超薄金属板分流电阻器“PSR350”。另外，ROHM针对已在15W级额定功率产品中达到业界超小级别的“PSR330”和“PSR100”，还计划推出0.2mΩ 的产品，以进一步增强“PSR系列”的产品阵容。在工业设备的功率模块中，早已出现了内置分流电阻器的产品。近年来，在xEV的主驱逆变器中，为了减小外壳尺寸，在模块两侧配置散热机构的薄型功率模块逐渐增加，在其中内置分流电阻器的需求也日益高涨。然而
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双面散热功率模块 ROHM 分流电阻器 PSR350
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）确立了一项超高速驱动控制IC技术，利用该技术可更大程度地激发出GaN等高速开关器件的性能。近年来，GaN器件因其具有高速开关的特性优势而被广泛采用，然而，如何提高控制IC（负责GaN器件的驱动控制）的速度已成为亟需解决的课题。在这种背景下，ROHM进一步改进了在电源IC领域确立的超高速脉冲控制技术“Nano Pulse Control™”，成功地将控制脉冲宽度从以往的9ns提升至2ns，达到业界超高水平。通过将该技术应用在控制IC中，又成功地确立了可更大程
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ROHM GaN器件 超高速驱动控制
本系列连载将介绍电力电子相关的基础知识和各种小知识。本系列涉及到的内容很广泛，涵盖从基础知识到应用部分的丰富内容，希望能够帮到那些“至今不好意思问别人，但又拿不准自己是否已经理解了”的人。第一个应该了解的要数“晶体管”了。“晶体管”在电子制作领域是非常常用的易用器件，尤其是在使用Arduino等微控制器控制LED和电机时，晶体管是不可或缺的重要器件。但是，对于电子制作初学者来说，掌握晶体管的使用方法有点难。刚开始电子制作时使用的元器件，比如电池、LED、电阻器和开关等，几乎都是两个引脚，而晶体管却有三个引
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ROHM 电源设计 ZVS
rohm介绍
Rohm株式会社为全球知名的半导体生产企业，ROHM公司总部所在地设在日本京都市,1958年作为小电子零部件生产商在京都起家的ROHM，于1967年和1969年逐步进入了 晶体管、二极管领域和IC等半导体领域.2年后的1971年ROHM作为第一家进入美国硅谷的日本企业,在硅谷开设了IC设计中心.以当时的企业规模，凭借被称为"超常思维"的创新理念，加之年轻的、充满梦想和激情的员工的艰苦奋斗，ROHM [
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