IEGT与SiC降低损耗

　　东芝在工业领域推出大功率器件——IEGT以及SiC相关产品。这些产品可以广泛用到电气机车牵引、可再生能源、电力传输、工业变频、电动汽车等工业领域，这些领域对减小噪声、装置体积以及能耗的要求越来越高。

　　东芝是全球第一个商业化生产IGBT器件的厂家，率先导入了“门级注入增强”技术以降低IGBT静态损耗，用该技术注册了东芝大功率IGBT的专用商标---“IEGT”。

　　东芝电子(中国)公司副董事长野村尚司

　　目前东芝提供从1700V~4500V的高耐压产品系列。通过使用高耐压、高结温的IEGT及SiC材料等，可以实现节能及小型化。

　　在封装方面，东芝有压接式封装IEGT(PPI封装)，像放大许多的纽扣电池。该封装从2000年以前开始量产，通过这种独特的双面散热结构，可以明显提高功率密度(东芝目前最高提供4.5KV 3KA PPI IEGT)。因此，推荐对可靠性、高功率密度要求较高的客户(如柔性直流输电、海上风电等)优先选用PPI封装的IEGT。

　　2014年东芝推出搭载SiC二极管的混合型模块。这类产品独特的构造可以大幅度减小在电源开关时的损耗，二极管反向恢复损耗减少97%(3.3kV、1500A产品的数据)，有最终客户采用东芝SiC混合模块做出的变流器比原Si模块变流器体积减少40%。

　　目前遇到的主要挑战是SiC器件价格高、制造良率控制困难。东芝在芯片结构设计、制造工艺设计上持续改良以面对上述情况。东芝目前量产了三款混合型SiC模块(SiC二极管+Si IEGT)：1700V 1200A 双管;1700V 1200A 斩波模块;3300V 1500A 单管。后续将会陆续推出 All SiC模块(SiC MOS + SiC 二极管)：1200V/1700V/3300V 系列产品。

　　推荐成本敏感的客户优先试用混合型SiC模块，后续逐步切换到All SiC模块。