东芝电子(中国)有限公司(以下简称“东芝”)宣布，将参加2018年6月26日至28日于上海世博展览馆举办的上海国际电力元件、可再生能源管理展览会(PCIM Asia 2018)，本次展会上东芝将在2号馆E01展位向现场观众展示其面向电力能源方面提供的尖端技术、产品以及系统级解决方案。 日前，国际能源署及联合国联合发布的《追踪可持续发展目标七：能源进展情况报告》中提及，中国对全球能耗降低做出了最大贡献，贡献率超过35%，作为可再生、无污染的清洁能源，中国的风能、太阳能资源非常丰富，得益于中国政府采取的
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东芝电子 IEGT
东芝大功率器件有悠久的历史，从上世纪六十年代开始生产可控硅器件，上世纪八十年代在全球范围内率先实现IGBT器件商业化，在上世纪九十年代率先商业化了压接型的IGBT器件(PPI：Press Pack IGBT)，目前已经开发了混合型SiC大功率器件并且得到商业应用，后续将推出纯SiC大功率器件。
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东芝 大功率器件 IEGT
“东芝媒体沙龙”今天在京举行。东芝电子(中国)公司三大业务部门介绍了其优势产品及在华战略。
闪存：看好工业和汽车，明年量产64层3D NAND Flash
存储业务市场部高级经理张会波称，闪存中工业和汽车类增长很快。过去东芝主要面向手机和SSD卡，今后将转型，在工业和汽车领域发力。
随着芯片制程工艺接近极限，下一代主攻3D。很多人误解，认为东芝在3D方面走得较慢，实际上，东芝希望技术路线走得更加稳妥、保守，尽管东芝有32层产品，但主打48层3D NAND，
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东芝 IEGT
东芝在工业领域推出大功率器件——IEGT以及SiC相关产品。这些产品可以广泛用到电气机车牵引、可再生能源、电力传输、工业变频、电动汽车等工业领域，这些领域对减小噪声、装置体积以及能耗的要求越来越高。 东芝是全球第一个商业化生产IGBT器件的厂家，率先导入了“门级注入增强”技术以降低IGBT静态损耗，用该技术注册了东芝大功率IGBT的专用商标---“IEGT”。 东芝电子(中国)公司副董事长野村尚司 目前东芝提供从1700V~4500V的高耐压产品系列。通过使用高耐压、高结温的IEGT及SiC材料
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IEGT SiC
日本半导体制造商株式会社东芝(Toshiba)旗下东芝半导体&存储产品公司宣布，将参加在上海举行的“上海国际电力元件、可再生能源管理展览会”(PCIM Asia 2014 )。本次展会于2014年6月17日至19日在上海世博展览馆拉开帷幕，东芝半导体&存储产品公司此次将展示其最新的、应用在电力领域的技术和产品。 展示产品简介: 1. IEGT (Injection Enhanced Gate Transistor) 东芝在IGBT的基础上成功研发出“注入增强”(IE：Inject
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东芝 IEGT SiC
日本半导体制造商株式会社东芝(Toshiba)旗下东芝半导体&存储产品公司宣布，将参加在上海举行的“上海国际电力元件、可再生能源管理展览会”(PCIM Asia 2014 )。本次展会于2014年6月17日至19日在上海世博展览馆拉开帷幕，东芝半导体&存储产品公司此次将展示其最新的、应用在电力领域的技术和产品。 东芝电子将展出其IEGT(Injection Enhanced Gate Transistor)专利产品、Stack(压接装置)产品、SiC(混合型IEGT)产品、IPD +
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东芝 PCIM IEGT
IGBT与集成门极换流晶闸管IGCT对比受当前技术水平限制，IGBT的工作电流相对较小，比较常用的中高压大功率IGBT有...
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IGBT IGCT IEGT
iegt介绍
IEGT(Injection Enhanced Gate Transistor)是耐压达4KV以上的IGBT系列电力电子器件，通过采取增强注入的结构实现了低通态电压，使大容量电力电子器件取得了飞跃性的发展。 IEGT具有作为MOS系列电力电子器件的潜在发展前景，具有低损耗、高速动作、高耐压、有源栅驱动智能化等特点，以及采用沟槽结构和多芯片并联而自均流的特性，使其在进一步扩大电流容量方面颇具潜力 [
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