三星2016年将以量产10纳米级守住领先优势

　　三星电子(Samsung Electronics)半导体事业2016年将正式进入10纳米(nm)时代。借着量产18纳米DRAM与10纳米鳍式场效晶体管(FinFET)制程芯片，以扩大技术差距的策略守住半导体领先优势。

　　据首尔经济报导，三星半导体事业暨装置解决方案事业部(Device Solution;DS)在副会长权五铉主持下，在韩国京畿道器兴营业处召开全球战略会议。据传半导体总监金奇南、存储器事业部长全永铉等经营团队核心人物与海外分公司主管总动员，共商2016年新品量产与各地区的行销策略。

　　与会者分享半导体研究所提出的中期技术发展蓝图，并针对尚未商用化的下一代RAM等未来潜力产品，讨论有效率的研发量产方案。三星有关人士表示，这次战略会议的讨论重点，是如何发展存储器与系统半导体两大主轴，以维持2016年市场地位。

　　据业界消息，三星最快2016年上半就会量产18纳米DRAM，宣告DRAM就此进入10纳米级时代。最早开始生产20纳米DRAM的三星电子也以成为首家量产10纳米级DRAM的业者为目标，并力图与国内外竞争对手维持1~2年的技术差距，以守住存储器市场第一的地位。

　　此外，三星也正在开发14纳米平面NAND Flash、64层3D NAND等重点产品，部分可望在2016年量产。

　　三星系统半导体在2016年达到10纳米制程阶段的可能性也很高，据传此次会议中，也审视了以最先进制程技术吸引代工事业客户的计划。业界认为三星最快2016年第4季就可采用10纳米FinFET制程量产系统半导体，进度可望超越英特尔(Intel)的14纳米与台积电的16纳米制程。

　　另一方面，三星半导体设计能力在2016年也备受期待。三星最近宣布结合移动应用处理器(AP)，与通讯用数据芯片的整合芯片Exynos 8 Octa已开发成功，在2015年底开始量产，并将搭载于2016年上市的旗舰智能型手机。

　　此外，三星也预定在2016年大举推出下一代系统半导体产品。应用于健康照护穿戴式装置的生物处理器(Bio Processor)将在上半年首度登场;可让开发者自由利用的物联网(IoT)平台模组ARTIK，也很有机会在2016年上市。