Intel镁光生产出25nm 64Gb密度3位元NAND闪存芯片

　　Intel与镁光公司已经成功生产出基于25nm制程技术的3位元型NAND闪存芯片产品，目前他们已经将有关的产品样品送往部分客户手中进行评估，预计这款NAND闪存芯片将于今年年底前开始量产。这款25nm NAND闪存芯片的存储密度为64Gb，为三位元型闪存。

　　这款闪存芯片是由Intel与镁光合资的IM Flash公司研制，芯片采用了3位元(TLC)型设计，一个存储单元可存储3位数据，比一般的单位元(SLC)/双位元(MLC)闪存的存储量更大。

　　这款产品的面积要比现有Intel与镁光公司推出的25nm制程MLC芯片小20%强，而后者则是现有市面上销售的8GB容量闪存芯片中面积最小的产品。这次推出的25nm制程TLC 64Gb(8GB)NAND闪存芯片的核心面积仅131平方毫米,芯片采用业内标准的TSOP型封装设计。