半导体产业温和成长　抢先进制程时效成胜负关键

　　台积电董事长张忠谋在近来的多次演讲中，皆提及未来 2011~2014年半导体产业呈现温和成长态势。惟晶圆厂之间先进制程技术竞赛不停歇，台积电甫于2月底宣布切入22奈米，然而在美西时间13日的台积电技术论坛上，突然表态将跳过22奈米，直接切入20奈米，预计2012年第3季导入生产。虽然此举是台积电基于替客户创造价值而作的决定，但外界认为，这也是为了拉大与竞争对手Global Foundries的技术差距。

　　延续张忠谋对先进制程的看法，台积电研究发展资深副总经理蒋尚义随后在会中的演讲中表示，该公司将跳过22奈米，直接发展20奈米制程，这是由于20奈米制程将比22奈米制程拥有更优异的闸密度(gate density)以及芯片效能/成本比，为先进技术芯片的设计人员提供可靠、更具竞争优势的制程平台。他预计20奈米制程将在2012年第3季开始导入生产，2013年第1季就能大量生产。

　　蒋尚义表示，台积电20奈米制程系在平面晶体管结构制程(planar process)的基础上采用强化的高介电值/金属闸(high-k metal gate)、创新的应变矽晶(strained silicon)与低电阻/超低介电值铜导线(low-resistance copper ultra-low-k interconnect)等技术。

　　同时，在其它晶体管结构制程方面，例如鳍式场效晶体管(FinFet)及高迁移率(high- mobility)元件，也展现刷新记录的可行性(feasibility)指标结果。从技术层面来看，由于已经具备创新微影技术以及必要的布局设计能力，台积电因此决定直接导入20奈米制程。

　　在先进制程进度上，台积电28奈米在2010年开花结果，其中低耗电(LP)制程将于2010年 6月底试产，28奈米高效能(HP)制程则将在2010年9月试产，而低耗电高介电层/金属闸(28HPL)制程的试产时程则在2010年12月进行。另外，台积电亦曾在2月宣布22奈米HP制程将于2012年第3季试产，22奈米LP制程则会在2013年第1季试产。

　　如今台积电决定直接跳过22奈米，而切入20奈米，在先进制程技术的开发上，台积电已经面临一个关键时刻，也就是必须主动积极地考量其投资报酬率，并且需要跳脱单单考虑技术层面的思维模式;必须透过与客户密切合作以及在资源整合与最佳化方面的创新，同时解决来自技术及经济层面的挑战。

　　综观业界，具备2X奈米技术能力的厂商包括英特尔(Intel)、三星电子(Samsung Electronics)、台积电和Global Foundries，其中以台积电和Global Foundries发展脚步相对较快。未来在20奈米技术上，台积电将与Global Foundries面临短兵相接的局面。