FRAM铁电存储器。它是一种采用铁电材料(PZT等)的铁电性和铁电效应来进行非易失性数据存储的存储器。FRAM具有ROM和RAM的特点，在高速读写入、高读写耐久性、低功耗和防窜改方面具有优势。
 

 
富士通FRAM主要具备三大优势：高读写入耐久性、高速写入以及低功耗，这是绝大多数同类型存储器无法比拟的。比如FRAM写入次数寿命高达10万亿次，而EEPROM仅有百万次(10^6)。富士通FRAM写入数据可在150ns内完成，速度约为EEPROM的1/30,000。写入一个字节数据的功耗仅为150nJ，约为EEPROM的1/400，在电池供电应用中具有巨大的优势。富士通代理英尚微电子支持提供样品及产品技术支持等服务。
 
经过市场的长期广泛验证以及技术的不断突破，富士通FRAM产品已成功应用于诸多行业领域。近些年来，随着IoT以及汽车电气化等趋势不断涌现，富士通进一步推出更低功耗、或者车规级的FRAM产品，适应物联网设备、汽车电子等行业发展，为客户提供高质量、高可靠性的解决方案。
 
在汽车电子领域的BMS应用，采用富士通型号MB85RS256TY和MB85RS128TYFRAM产品用于其自主研发BMS系统中。同时，业界知名的一家意大利FI轮胎制造厂商亦采用富士通FRAM产品用于胎压监测。凭借高耐久性、高速写入、高可靠性的特性，与通过车规级认证的产品优势，富士通FRAM成为赋能关键型汽车应用的外挂存储器首选。
 
除了车规级铁电存储器FRAM产品赋能汽车电子应用外，富士通FRAM具备高烧写耐久性以及低功耗等特性，适用于系统网关(Gateway)中记录与存储重要的数据。高可靠性FRAM更是适用于高端医疗领域的为数不多的电子产品之一。目前富士通铁电存储器FRAM已成功应用在CT扫描机、监护仪、自动CPAP(连续正气道压力)设备、助听器、医疗电子标签等产品中，提高医疗行业的生产效率。

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