MOSFET-90N10专栏-电子产品世界网

MOSFET开关速度不够导致功率损失及解决方案

MOSFET（场效应晶体管）广泛应用于现代电子电路，特别是在高效电力电子和开关电源设计中。其高速开关特性使其在很多高频应用中成为理想的选择。然而，在某些应用中，由于MOSFET开关速度不足，可能导致功率损失增大，进而影响...

MOSFET 2026-01-04

功率MOS管过热问题诊断与散热优化方案

一、MOS管概述MOS管，全称金属-氧化物-半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是现代电子电路的核心功率器件。其输入阻抗可达10¹²Ω...

MOS管 MOSFET 2025-12-16

MOS管技术详解与选型应用指南

一、MOS管概述MOS管，全称金属-氧化物-半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是现代电子电路的核心功率器件。其通过栅极电压控制源极与...

MOS管 MOSFET 2025-12-15

MOS管短路保护电路设计实战解析-ASIM阿赛姆

一、保护电路核心架构主流方案采用MOS管与三极管组合结构。三极管作为检测元件，当电流异常时快速调整MOS管栅源电压，形成动态限流机制。该架构响应时间可达毫秒级，在调光器应用中可有效防止灯泡爆裂。二、设计要点与参数计算2....

MOS管 MOSFET 2025-11-29

MOSFET栅极电压异常或失控的原因与对策

在功率电子系统中，MOSFET 以其高开关速度和低导通损耗而被广泛应用于电源管理、马达驱动及DC-DC转换等领域。然而，FAE在现场调试和失效分析中发现，栅极电压异常或失控是造成MOSFET失效的常见原因之一。栅极作为控...

MOSFET 2025-10-23

MOSFET选型技巧一

MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管）是电子电路中常用的关键器件，尤其在开关电源、电机驱动等领域应用广泛。对于初学者会遇到不知如何识别G DS极和电路连接错误的问题。掌握 MOSFET 的使用技巧，首先要从电路图...

MOSFET leiditech 2025-03-19

技术 | SiC衬底和外延材料对MOSFET器件特性的影响

参考文献：白志强，4H-SiC功率MOSFETs的可靠性研究【D】，西安电子科技大学，2023三角形缺陷三角形缺陷是SiC外延层中最为致命的一类形貌缺陷，已有大量的文献报道表明三角形缺陷的形成与3C晶型有关。然而由于生长...

MOSFET 2024-03-09

详解大功率电源中MOSFET功耗的计算

功率MOSFET是便携式设备中大功率开关电源的主要组成部分。此外，对于散热量极低的笔记本电脑来说，这些MOSFET是最难确定的元件。本文给出了计算MOSFET功耗以及确定其工作温度的步骤，并通过多相、同步整流、降压型CP...

大功率电源 MOSFET 2023-11-17

东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET，采用可降低开关损耗的4引脚封装

2023年8月31日--东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，该产品采用东芝最...

东芝 MOSFET 2023-08-31

英飞凌推出TO263-7封装的新一代1200 V CoolSiC沟槽式MOSFET

英飞凌推出采用TO263-7封装的新一代车规级1200 V CoolSiC MOSFET。这款新一代车规级碳化矽（SiC）MOSFET具有高功率密度和效率，能够实现双向充电功能，并显着降低了车载充电（OBC）和DC-DC...

MOSFET 英飞凌 2023-08-03

SiC MOSFET——降低功率损耗，迈向碳中和

功率器件的兴起带动了电力电子产业的全面革命，功率半导体器件作为电力电子设备的关键组成部分，直接影响着这些电力电子设备的成本和效率。电力电子未来发展的趋势之一是使用更高的开关频率以获得更紧密的系统设计，在高开关频率高功率的...

SiC MOSFET 2023-04-27

东芝SiC MOSFET为您开启电源新大门

要说半导体圈子现在啥最热，非第三代半导体莫属，以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）为代表的宽禁带半导体技术将成为未来半导体发展的新热点，而这些材料为基材的半导体器件主要应用于和功率及能源相关的技术领域，“碳中和”目标的实...

东芝 SiC 2023-04-27

如何避免MOSFET常见问题和失效模式

前些时分享了东芝的《MOSFET栅极驱动电路应用说明》的文档，今天再给兄弟们分享一个infineon的文档《使用功率MOSFET进行设计，如何避免常见问题和故障模式》，依然是我觉得比较好的。原文档的链接如下：https:...

MOSFET 2023-04-25

MOSFET栅极驱动电路应用说明

最近看到一个东芝的MOSFET的文档，看了下，还不错，就把内容复制出来了，分享给大家看下，原文档下载链接是这个：https://max.book118.com/html/2019/0604/501414430100204...

MOSFET 栅极驱动 2023-02-28

光电耦合器和MOSFET之间的差异

光电耦合器和MOSFET之间的差异介绍光电耦合器/光耦合器和固态继电器（光电MOSFET或光耦MOSFET（OCMOS FET））在保持电隔离的同时传输信号，但存在一些重要差异。结构差异下图显示了光电耦合器和OCMOS ...

光电耦合器 MOSFET 2023-02-01

罗姆的第4代SiC MOSFET成功应用于日立安斯泰莫的纯电动汽车逆变器

从2025年起将向全球电动汽车供货，助力延长续航里程和系统的小型化全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）的第4代SiC MOSFET和栅极驱动器IC已被日本先进的汽车零部件制造商日立安斯泰莫株式会社（以下简称“日...

电动汽车 sic 2022-12-28

如何使用 LTspice 仿真 SiC MOSFET：良好驱动器的重要性

碳化硅 (SiC) 是一种日益重要的半导体材料，未来它肯定会取代硅用于大功率应用。为了更好地管理 SiC 器件，有必要创建一个足够的驱动程序，以保证其清晰的激活或停用。通常，要关闭它，“栅极”和“源极”之间需要大约 20...

MOSFET LTspice 2022-11-10

MOSFET选型10步法则

俗话说“人无远虑必有近忧”，对于电子设计工程师，在项目开始之前，器件选型之初，就要做好充分考虑，选择最适合自己需要的器件，才能保证项目的成功。功率MOSFET恐怕是工程师们最常用的器件之一了，但你知道吗？关于MOSFET...

MOSFET 法则 2022-10-27

MOSFET结构及其工作原理详解

MOSFET基本概述 &n...

MOSFET MOS管 2022-10-21

MOSFET选型10步法则

MOSFET 2022-10-16

SiC-MOSFET特征及与Si-MOSFET、IGBT的区别

来源：techclass.rohm功率转换电路中的晶体管的作用非常重要，为进一步实现低损耗与应用尺寸小型化，一直在进行各种改良。SiC功率元器件半导体的优势前面已经介绍过，如低损耗、高速开关、高温工作等，显而易见这些优势...

Si-MOSFET 2022-07-17

MOSFET 安全工作区域 SOA是什么

如果您想知道或担心您的 MOSFET 在极端条件下或极端耗散情况下究竟能承受多少功率，那么您应该查看器件的 SOA 数据。在这篇文章中，我们将全面讨论 MOSFET 数据表中显示的安全工作区域 SOA。SOA曲线图以下是...

MOSFET ;SOA 2022-05-06

【干货】技术角度看特斯拉批量召回可能原因分析--隐蔽的碳化硅MOSFET栅极谐振问题

Tesla Model 3 批量召回可能原因分析— 隐蔽的碳化硅MOSFET模块并联中的栅极谐振问题徐贺、朱楠、郑福军、朱安康、罗皓泽引言最近特斯拉因后驱逆变器故障召回国内超过12.5万辆M...

MOSFET 2022-04-16

1.2kV SiC MOSFET中的主动短路和重复短路

来源：芯TIP报告主题：1.2kV SiC MOSFET 中的主动短路和重复短路报告作者：Amy Romero, Adam Barkley, Robert Zenoz,Frank DiLustro , Jef...

MOSFET 2022-04-16

MOSFET器件选型的3****则，教你成为器件选型大师

来源：电子发烧友网俗话说“人无远虑必有近忧”，对于电子设计工程师，在项目开始之前，器件选型之初，就要做好充分考虑，选择最适合自己需要的器件，才能保证项目的成功。功率MOSFET恐怕是工程师们最常用的器件之一了，但你知道吗...

MOSFET 2022-04-16

重磅新品｜清纯半导体推出国内首款15V驱动SiC MOSFET

来源：碳化硅芯观察市场动态：近日，清纯半导体发布了国内首款15V驱动的1200V SiC MOSFET器件平台产品，填补了国内15V驱动SiC MOSFET产品空白。国内头部碳化硅器件研发企业「清纯半导体」日前宣布发布国...

SiC MOSFET 2022-04-13

MOSFET 之父：Dawon Kahng 和 Martin Atalla

当今数字电路中最流行的晶体管技术是金属氧化物半导体场效应晶体管 ( MOSFET )，以其基于施加电压的动态导电性而闻名。自诞生以来，这些功能已支持无数电子设备。然而，这种创新并没有自发实现。跟随我们分享 D...

MOSFET 2021-12-21

盘点 | 重中之重的功率半导体，全球MOSFET制造商有哪些？

功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电子装置中电压和频率，及直流交流转换等。只要在拥有电流电压及相位转换的电路系统中，都会用到功率器件。基本上，功率半导体大致可分为功率离散元件 (Power Di...

MOSFET 2021-06-29

MOSFET开关速度不够导致功率损失及解决方案

功率MOS管过热问题诊断与散热优化方案

MOS管技术详解与选型应用指南

MOS管短路保护电路设计实战解析-ASIM阿赛姆

MOSFET栅极电压异常或失控的原因与对策

MOSFET选型技巧一

技术 | SiC衬底和外延材料对MOSFET器件特性的影响

详解大功率电源中MOSFET功耗的计算

东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET，采用可降低开关损耗的4引脚封装

英飞凌推出TO263-7封装的新一代1200 V CoolSiC沟槽式MOSFET

SiC MOSFET——降低功率损耗，迈向碳中和

东芝SiC MOSFET为您开启电源新大门

如何避免MOSFET常见问题和失效模式

MOSFET栅极驱动电路应用说明

光电耦合器和MOSFET之间的差异

罗姆的第4代SiC MOSFET成功应用于日立安斯泰莫的纯电动汽车逆变器

如何使用 LTspice 仿真 SiC MOSFET：良好驱动器的重要性

MOSFET选型10步法则

MOSFET结构及其工作原理详解

MOSFET选型10步法则

SiC-MOSFET特征及与Si-MOSFET、IGBT的区别

MOSFET 安全工作区域 SOA是什么

【干货】技术角度看特斯拉批量召回可能原因分析--隐蔽的碳化硅MOSFET栅极谐振问题

1.2kV SiC MOSFET中的主动短路和重复短路

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