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sic mosfet 文章 进入sic mosfet技术社区

功率半导体IGBT失效分析与可靠性研究

  • 高端变频空调在实际应用中出现大量外机不工作，经过大量失效主板分析确认是主动式PFC电路中IGBT击穿失效，本文结合大量失效品分析与电路设计分析，对IGBT失效原因及失效机理分析，分析结果表明：经过对IGBT失效分析及IGBT工作电路失效分析及整机相关波形检测、热设计分析、IGBT极限参数检测对比发现IGBT失效由多种原因导致，IGBT在器件选型、器件可靠性、闩锁效应、驱动控制、ESD能力等方面存在不足，逐一分析论证后从IGBT本身及电路设计方面全部提升IGBT工作可靠性。
  • 关键字： 主动式PFC升压电路  IGBT  SOA  闩锁效应  ESD  热击穿失效  202108  MOSFET  

罗姆即将亮相2021 PCIM Asia深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会

  • 全球知名半导体制造商罗姆将于2021年9月9日~11日参加在深圳国际会展中心举办的PCIM Asia 2021深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会(展位号:11号馆B39),届时将展示面向工业设备和汽车领域的、以世界先进的SiC(碳化硅)元器件为核心的产品及电源解决方案。同时,罗姆工程师还将在现场举办的“SiC/GaN功率器件技术与应用分析大会”以及“电动交通论坛”等同期论坛上发表演讲,分享罗姆最新的碳化硅技术成果。展位效果图罗姆拥有世界先进的SiC为核心的功率元器件技术,以及充分发挥其性能的控制IC和
  • 关键字： MOSFET  

了解热阻在系统层级的影响

  • 在电阻方面，电流流动的原理可以比作热从热物体流向冷物体时遇到的阻力。每种材料及其接口都有一个热阻，可以用这些数字来计算从源头带走热的速率。在整合式装置中，半导体接面是产生热的来源，允许接面超过其最大操作温度将导致严重故障。整合式装置制造商虽使用一些技术来设计保护措施，以避免发生过热关机等情况，但不可避免的是仍会造成损坏。一个更好的解决方案，就是在设计上选择抑制 (或至少限制) 会造成接面温度超过其操作最大值的情况。由于无法直接强制冷却接面温度，透过传导来进行散热是确保不会超过温度的唯一方法。工程师需要在这
  • 关键字： MOSFET  

BUCK转换器的PCB布局设计

  • 讨论了BUCK转换器的开通回路、关断回路的电流特性，具有高电流变化率di/dt的输入回路，以及具有高的电压变化率dV/dt的开关节点是其关键回路和关键 节点，使用尽可能小的环路，短粗布线，优先对其进行PCB布局。给出了多层板的信号分配原则，也给出了分立和集成的BUCK转换器的PCB布局技巧和一些实例，分析了它们的优缺点。
  • 关键字： PCB布局  磁场干扰  电场干扰  MOSFET  202108  

碳化硅迈入新时代 ST 25年研发突破技术挑战

  • 1996年，ST开始与卡塔尼亚大学合作研发碳化硅(SiC)，今天，SiC正在彻底改变电动汽车。为了庆祝ST研发SiC 25周年，我们决定探讨 SiC在当今半导体行业中所扮演的角色，ST的碳化硅研发是如何取得成功的，以及未来发展方向。Exawatt的一项研究指出，到2030年， 70%的乘用车将采用SiC MOSFET。这项技术也正在改变其他市场，例如，太阳能逆变器、储能系统、服务器电源、充电站等。因此，了解SiC过去25年的发展历程是极其重要的，对今天和明天的工程师大有裨益。碳化硅：半导体行业如何克服技术
  • 关键字： MOSFET  

Maxim Integrated发布来自Trinamic子品牌的3相MOSFET栅极驱动器，可最大程度地延长电池寿命并将元件数量减半

  • TRINAMIC Motion Control GmbH & Co. KG (Maxim Integrated Products, Inc子公司)近日宣布推出完全集成的TMC6140-LA  3相MOSFET栅极驱动器，有效简化无刷直流(DC)电机驱动设计，并最大程度地延长电池寿命。TMC6140-LA 3相MOSFET栅极驱动器为每相集成了低边检流放大器，构成完备的电机驱动方案；与同类产品相比元件数量减半，且电源效率提高30%，大幅简化设计。TMC6140-LA针对较宽的电压范围进行性
  • 关键字： MOSFET  

郑有炓院士：第三代半导体迎来新发展机遇

  • 半导体材料是信息技术的核心基础材料，一代材料、一代技术、一代产业，半个多世纪来从基础技术层面支撑了信息技术翻天覆地的变化，推动了电子信息科技产业可持续蓬勃发展。同样地，信息技术和电子信息科技产业发展需求又驱动了半导体材料与技术的发展。第三代半导体材料及其应用第三代半导体是指以GaN、SiC为代表的宽禁带半导体材料，它是继20世纪50年代以Ge、Si为代表的第一代半导体和70年代以GaAs、InP为代表的第二代半导体之后于90年代发展起来的新型宽禁带半导体材料，即禁带宽度明显大于Si（1.12 eV）和Ga
  • 关键字： 第三代半导体  SiC  

电动汽车用SiC和传统硅功率元器件都在经历技术变革

  • 近年来，在全球“创建无碳社会”和“碳中和”等减少环境负荷的努力中，电动汽车（xEV）得以日益普及。为了进一步提高系统的效率，对各种车载设备的逆变器和转换器电路中使用的功率半导体也提出了多样化需求，超低损耗的SiC 功率元器件（SiC MOSFET、SiC SBD等）和传统的硅功率元器件（IGBT、SJ-MOSFET 等）都在经历技术变革。在OBC（车载充电机）方面，罗姆以功率器件、模拟IC 以及标准品这三大产品群进行提案。罗姆半导体（上海）有限公司 技术中心 副总经理 周劲1   Si
  • 关键字： MOSFET  202108  

汽车电气化的部分关键技术及ST的解决方案

  • 1   汽车电气化的趋势和挑战汽车市场中与电气化相关的应用是减少交通碳排放影响的关键因素。中国领导人在2020年9 月提出中国要在2030年碳达峰，2060 年实现碳中和的目标。为了实现碳中和，减少能源使用中的碳排放是其中的重要一环。电能是清洁、高效的能源品种，用电能作为主要的能源消耗可以大幅减少碳排放。同时也要发展低排放的清洁能源作为主要发电的能源。中国交通运输行业碳排放占比达10%，而公路运输占其中的74%，主要来自燃油车的排放。因此，发展电动汽车并逐渐从燃油车过渡到电动汽车对减少
  • 关键字： 202108  SiC  BMS  

清洁安全的汽车将由功能电子化和自动驾驶赋能

  • 未来的汽车将是清洁和安全的汽车，由先进的汽车功能电子化和自动驾驶技术赋能。安森美半导体汽车战略及业务拓展副总裁 Joseph Notaro1   功率器件赋能电动汽车电动车可帮助实现零排放，其市场发展是令人兴奋和充满生机的，随着电动车销售不断增长，必须推出满足驾驶员需求的基础设施，以提供一个快速充电站网络，使他们能够快速完成行程，而没有“续航里程焦虑症”。这一领域的要求正在迅速发展，需要超过350 kW 的功率水平和95% 的能效成为“常规”。鉴于这些充电桩部署在不同的环境和地点，紧凑
  • 关键字： 202108  SiC  汽车  OBC  

功率因素校正电路旁路二极管的作用

  • 本文总结了功率因素校正电路加旁路二极管作用的几种不同解释：减少主二极管的浪涌电流；提高系统抗雷击的能力；减少开机瞬间系统的峰值电流，防止电感饱和损坏功率MOSFET。具体分析了输入交流掉电系统重起动，导致功率MOSFET驱动电压降低、其进入线性区而发生损坏，才是增加旁路二极管最重要、最根本的原因。给出了在这种模式下，功率MOSFET发生损坏的波形和失效形态，同时给出了避免发生这种损坏的几个措施。
  • 关键字： 功率因素校正  旁路二极管  线性区  欠压保护  202103  MOSFET  

简易直流电子负载的设计与实现*

  • 随着电力电子技术的飞速发展，传统负载测试电源性能的方法在高科技产品的生产中逐渐暴露出许多的不足之处。为了解决采用传统负载测试方法存在功耗较大、效率与调节精度低、体积大等问题，设计并制作一款适合随频率、时间变化而发生改变的被测电源的简洁、实用、方便的直流电子负载。系统主要由STC12C5A60S2单片机主控、增强型N沟道场效应管IRF3205功率管、矩阵按键、D/A和A/D电路等部分组成。实现了在一定电压与电流范围内恒压恒流任意可调，并通过LCD12864液晶显示屏显示被测电源的电压值、电流值及相应的设定值
  • 关键字： STC12C5A60S2单片机  恒流恒压  IRF3205  负载调整率  202105  MOSFET  

适用于热插拔的Nexperia新款特定应用MOSFET

  • 新推出的80 V和100 V器件最大限度降低额定值，并改善均流，从而提供最佳性能、高可靠性并降低系统成本。基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布推出新款80 V和100 V ASFET，新器件增强了SOA性能，适用于5G电信系统和48 V服务器环境中的热插拔与软启动应用以及需要e-fuse和电池保护的工业设备。 ASFET是一种新型MOSFET，经过优化，可用于特定应用场景。通过专注于对某一应用至关重要的特定参数，有时需要牺牲相同设计中其他较不重要的参数，以实现全新性能水平。新款热插拔ASFET
  • 关键字： Nexperia  MOSFET  

瑞能半导体举行CEO媒体沟通会

  • 近日，瑞能半导体CEO Markus Mosen（以下简称Markus）的媒体沟通会在上海静安洲际酒店举行，瑞能半导体全球市场总监Brian Xie同时出席本次媒体沟通会。沟通会上首先回顾了瑞能半导体自2015年从恩智浦分离出后，从全新的品牌晋升为如今的知名国际品牌的过程中，在六年内保持的相当规模的成长，并取得的骄人成绩；结合瑞能半导体近期推出的第六代碳化硅二极管、碳化硅MOSFET、IGBT、TVS/ESD等多种系列产品，明确了在碳化硅器件行业内的领先地位；在分享后续发展策略的同时，强调了瑞能半导体未来
  • 关键字： MOSFET  

基本半导体——第三代半导体前景无限

  • 相比于数字半导体，我国在模拟与功率半导体的差距要更大一些，因为功率器件不仅仅是产品设计的问题，还涉及到材料等多个技术环节的突破。其中第三代功率器件也是我们重点迎头赶上的领域之一。作为国内第三代半导体领军企业，基本半导体技术营销副总监刘诚表示，公司致力于碳化硅功率器件的研发与产业化，核心产品包括碳化硅肖特基二极管、碳化MOSFET和车规级全碳化硅功率模块等，基本半导体碳化硅功率器件产品性能处于国内领先水平。新能源汽车是碳化硅功率器件最为重要的应用领域，市场潜力大，也是基本半导体要重点发力的市场。站在刘诚的角
  • 关键字： 基本半导体  MOSFET  中国芯  
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