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sic mosfet 文章 进入sic mosfet技术社区

变频电源开关芯片炸裂的失效分析与可靠性研究

  • 随着科技的发展，电器设备使用越来越广泛，功能越来越强大，体积也越来越小，对电源模块的要求不断增加。开关电源具有效率高、成本低及体积小的特点，在电气设备中获得了广泛的应用。经分析，开关电源电路多个器件失效主要是电路中高压瓷片电容可靠性差，导致开关芯片失效。本文通过增加瓷片电容材料的厚度提高其耐压性能和其他性能，使产品各项性能有效提高，满足电路设计需求，减少售后失效。
  • 关键字： 开关电源  高压瓷片电容  芯片  耐压提升  可靠性  202105  MOSFET  

特定工作条件下的开关电源模块失效分析

  • 针对在某特定工作条件下发生的短路失效问题，进行了开关电源模块及其外围电路的工作原理分析，通过建立故障确定了失效原因，运用原理分析与仿真分析的方法找到了开关电源模块的损伤原因与机理，并给出了对应的改进措施。
  • 关键字： 开关电源模块  电源振荡  失效分析  MOSFET  202105  

Microchip推出业界耐固性最强的碳化硅功率解决方案，取代硅IGBT，现已提供1700V版本

  • 如今为商用车辆推进系统提供动力的节能充电系统，以及辅助电源系统、太阳能逆变器、固态变压器和其他交通和工业应用都依赖于高压开关电源设备。为了满足这些需求，Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）今日宣布扩大其碳化硅产品组合，推出一系列高效率、高可靠性的1700V碳化硅MOSFET裸片、分立器件和电源模块。Microchip的1700V碳化硅技术是硅IGBT的替代产品。由于硅IGBT的损耗问题限制了开关频率，之前的技术要求设计人员在性能上做出妥协并使用复杂的拓扑结构。此外，电力电
  • 关键字： MOSFET  MCU  IGBT  

原厂MOSFET价格一年涨3倍：还会继续涨价

  • 相比去年，已有多款MOSFET产品涨价幅度超过3倍，而供货周期也无限延长。由于缺货的确定短期内得不到解决，有业内人士认为下半年该产品依旧会涨价。芯研所7月24日消息，自2020年以来，在供需层面多种因素的叠加作用下，功率器件MOSFET价格持续大涨。近日由于马来西亚、台湾等地区新冠肺炎疫情延烧，导致产能下降，在过去的一个月，英飞凌、意法半导体、安森美等IDM大厂又再度将产品的价格上调了10~15%。芯研所采编目前MOSFET原厂年内订单已全部排满，各大MOSFET厂仍在不断上调MOSFET价格。相比去年，
  • 关键字： MOSFET  

使用IC采样保持放大器

  • 采样保持(S/H)功能是数据采集和模数转换过程的基础。S/H放大器电路有两种不同的基本工作状态。在第一种状态下，对输入信号采样，同时传送到输出端（采样）。在第二种状态下，保持最后一个采样值（保持），直到再次对输入采样。在大多数应用中，S/H用作数据采集系统中模数转换器的“前端”。这样使用时，S/H主要用于在执行模数转换所需的时间段内，让模拟输入电压电平保持恒定不变。具体来说，S/H是数据转换系统必须具备的系统功能模块，所用的模数转换器在进行转换期间，必须提供恒定且准确的模拟输入。逐次逼近类型模数转换器就是
  • 关键字： MOSFET  

大联大品佳集团推出基于NXP产品的5G open frame解决方案

  • 大联大控股近日宣布，其旗下品佳推出基于恩智浦（NXP）TEA2206的240W 5G open frame解决方案。图示1-大联大品佳推出基于NXP产品的5G open frame解决方案的展示板图当前，系统对于电源设计要求正在变得愈发苛刻。随着能源法规不断完善，针对效率的要求不断提高，在电源已做到极致的情况下，单纯地使用原始架构已不能满足需求，因此必须有新一代的架构设计来满足现行的需求。大联大品佳针对高效率的5G电源应用，基于NXP技术推出了open frame解决方案，该方案搭载输入端同步整流技术IC
  • 关键字： MOSFET  

硅晶体管创新还有可能吗？ 意法半导体超结MDmesh案例研究

  • 前言自从固态晶体管取代真空电子管以来，半导体工业取得了令人惊叹的突破性进展，改变了我们的生活和工作方式。如果没有这些技术进步，在封城隔离期间我们就无不可能远程办公，与外界保持联系。总之，没有半导体的技术进步，人类就无法享受科技奇迹。举个例子，处理器芯片运算能力的显著提高归功于工程师的不断努力，在芯片单位面积上挤进更多的晶体管。根据摩尔定律，晶体管密度每18个月左右就提高一倍，这个定律控制半导体微处理器迭代50多年。现在，我们即将到达原子学和物理学的理论极限，需要新的技术，例如，分层垂直堆叠技术。同时，我们
  • 关键字： MOSFET  

贸泽与Vishay携手推出全新电子书介绍汽车级电子元件的新应用

  • 专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics)近日宣布与Vishay Intertechnology, Inc.合作推出全新电子书An Automotive Grade Above（推动汽车电子进一步发展），探讨支持电动汽车 (EV) 充电、车载信息娱乐系统等各种汽车应用所需的高性能解决方案。在这本电子书中，来自贸泽和Vishay的行业专家就现代汽车设计中一些富有创新性的技术提出了深入的见解，这些技术包括用于人机交互的光电传感器和用于电动/混动汽车设计的光
  • 关键字： MOSFET  

安森美半导体：为关键应用推出系列绿色解决方案

  • 1   关注关键应用的节能减排安森美半导体提供所有应用的电力电子解决方案，也专注于一些关键应用，包括能源基础设施（太阳能转换、储能、电动车充电站/ 桩）、工业、云计算和5G 基础设施。这些市场都有其独特的技术挑战。这些挑战由相同因素的不同组合驱动：提高能效、减小尺寸和质量以及优化系统成本或拥有成本。例如太阳能转换，从集中式逆变器到组串式逆变器的转变消除了逆变器的单点故障风险。如果一个组串式逆变器停止工作，仍可用其他组串来发电。它还有个额外的好处，就是能对较少量的面板进行最大功率点追踪。
  • 关键字： 202107  SiC  

储能领域蕴藏节能机会 ADI积极推动节能减排

  • ADI 公司的检测、信号转换和信号处理技术为全球的能源基础设施提供支持。从发电端的发电机电流电压监测/ 风机振动监测、输电环节的导线舞动监测/ 导线覆冰监测/ 地质灾害监测、变电环节的变压器振动监测到配电环节故障指示以及用电环节的电力计量，从微电网和公用事业到数据中心和工厂，再到最大限度提高可再生能源利用率及支持电动汽车充电桩的大规模部署，ADI的高性能半导体解决方案可帮助合作伙伴设计智能、灵活、高效的电力与能源系统。ADI中国汽车技术市场 高级经理 王星炜1   储能系统B
  • 关键字： 202107  MOSFET  储能  

超结高压MOSFET驱动电路及EMI设计

  • 分析了超结结构功率MOSFET在开关过程中由于Coss和Crss电容更强烈的非线性产生更快开关速度的特性；给出了不同外部驱动参数对开关过程的dV/dt和di/dt的影响；列出了不同驱动电路开关波形及开关性能的变化。最后，设计了优化驱动电路，实现优化的EMI结果，并给出了相应驱动电路的EMI测试结果。
  • 关键字： 202106  超结  驱动  EMI  非线性  MOSFET  

ROHM开发出实现超低导通电阻的新一代双极MOSFET

  • 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出内置有2枚耐压±40V和±60V的MOSFET且支持24V输入的双极MOSFET*1“QH8Mx5/SH8Mx5系列（Nch+Pch*2）”，非常适用于FA等工业设备和基站（冷却风扇）的电机驱动。近年来，为了支持工业设备和基站的电机所使用的24V输入，MOSFET作为用于驱动的器件，需要具备考虑到电压稳定裕度的、40V和60V的耐压能力。此外，为了进一步提高电机的效率并减小尺寸，对于MOSFET还提出了更低导通电阻和高速开关工作的要求。在这种背景下，
  • 关键字： MOSFET  

Nexperia新8英寸晶圆线启动，生产领先Qrr品质因数80 V/100 V MOSFET

  • 基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布，位于英国曼彻斯特的新8英寸晶圆生产线启动，首批产品使用最新的NextPower芯片技术的低RDS(on)和低Qrr ，80 V和100 V MOSFET。新生产线将立即扩大Nexperia的产能，新的PSMN3R9-100YSF (100 V)和PSMN3R5-80YSF (80 V)器件将具有行业内极低的Qrr品质因数(RDS(on) x Qrr)。Nexperia产品经理Mike Becker指出：“鉴于全球半导体短缺的情况下，Nexperia积极投资
  • 关键字： Nexperia  MOSFET  

安森美半导体推出创新的超高密度离线电源方案

  • 推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor)，近日推出业界首款专用临界导通模式 (CrM) 图腾柱PFC控制器，是该公司超高密度离线电源方案集的新成员。在传统的PFC电路中，整流桥二极管在240 W电源中的损耗约4 W，占总损耗的20%左右。相比之下，PFC级的能效通常为97%，LLC电路实现类似的性能。然而，用 "图腾柱 "配置的开关取代有损耗的二极管，并拉入升压PFC功能，可减少电桥损耗，显著提高整体能效。此外，NCP1680可适用于任何开关类型，无论是超级结
  • 关键字： MOSFET  

功率器件的演变

  • 随着世界中产阶级的增加以及汽车、暖通空调（HVAC）和工业驱动更加电气化，电力需求只会增加。在每个功率级（发电、配电、转换和消耗）所能达到的能效将决定整个电力基础设施的负担增加程度。在每个功率级，能效低会导致产生热量，这是主要的副产物。通常，消除热量或以其他方式处理热量需要消耗更多的能量。因此，减少每一功率级产生的废热具有相当大的影响。在转换级，电力电子器件产生的热量主要归咎于导通损耗和开关损耗。更高能效的半导体意味着更少的热量，因此也减少了能源浪费。低能效的半导体产生的热量是不可利用的，且大多是不需要的
  • 关键字： 202105  MOSFET  
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