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利用氮化镓芯片组实现高效率、超紧凑的反激式电源
- 目前市面上出现了一个新的芯片组，它由具有耐用的750V氮化镓(GaN)初级侧开关的反激式IC方案与创新的高频有源钳位方案组合而成，能够为手机、平板电脑和笔记本电脑设计出额定功率高达110W的新型超紧凑充电器。此芯片组来自Power Integrations，包含内部集成PowiGaN™开关的InnoSwitch™4-CZ零电压开关(ZVS)反激式控制器和提供有源钳位解决方案的ClampZero™产品系列。这些新IC可用于设计效率高达95%且在不同输入电压条件下保持恒定的反激式电源。这种InnoSwitch
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如何选择合适的电路保护
- 问题：有什么有源电路保护方案可以取代TVS二极管和保险丝？答案：可以试试浪涌抑制器。摘要所有行业的制造商都在不断推动提升高端性能，同时试图在此类创新与成熟可靠的解决方案之间达成平衡。设计人员面临着平衡设计复杂性、可靠性和成本这一困难任务。以一个电子保护子系统为例，受其特性限制，无法进行创新。这些系统保护敏感且成本高昂的下游电子器件（FPGA、ASIC和微处理器），这些器件都要求保证零故障。许多传统的可靠保护解决方案（例如二极管、保险丝和TVS器件）能够保持待保护状态，但它们通常低效、体积庞大且需要维护。为
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东芝支持功能安全的车载无刷电机预驱IC的样品出货即将开始
- 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，已开始供应“TB9083FTG”的测试样品，这是一种面向汽车应用的预驱IC（其中包括电动转向助力系统和电气制动器使用的无刷电机）。东芝将在2022年1月提供最终样品，并将在2022年12月开始量产。TB9083FTG是一种3相预驱IC，能够控制和驱动用于驱动3相直流无刷电机的外置N沟道功率MOSFET。该产品支持ASIL-D[1]功能安全规范[2]且符合ISO 26262标准第二版的要求，适用于高安全级别的汽车系统。这种新型IC内置三通道预驱，用于控制和
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Vishay SiC45x系列microBUCK同步降压稳压器荣获21IC 2021年度Top 10电源产品奖
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其Vishay Siliconix SiC45x系列microBUCK®同步降压稳压器被《21IC中国电子网》评为2021年度Top 10电源产品奖获奖产品。这款稳压器采用PowerPAK® 5 mm x 7 mm小型封装，以其高达40 A的额定输出电流，优于前代稳压器的功率密度和瞬变响应能力受到表彰。Top 10电源产品奖已连续举办十九届，成为业内创新电源产品的标志性奖项。获奖产品由工程师投票，经21IC编委会综合技术创新、能效、应用开
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双脉冲测试基础系列：基本原理和应用
- 编者按双脉冲是分析功率开关器件动态特性的基础实验方法，贯穿器件的研发，应用和驱动保护电路的设计。合理采用双脉冲测试平台，你可以在系统设计中从容的调试驱动电路，优化动态过程，验证短路保护。双脉冲测试基础系列文章包括基本原理和应用，对电压电流探头要求和影响测试结果的因素等。为什么要进行双脉冲测试？在以前甚至是今天，许多使用IGBT或者MOSFET做逆变器的工程师是不做双脉冲实验的，而是直接在标定的工况下跑看能否达到设计的功率。这样的测试确实很必要，但是往往这样看不出具体的开关损耗，电压或者电流的尖峰情况，以及
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基于NCL35076或NCL30076的高能效、高精度、高可靠性的可调光LED照明降压方案
- 本文主要介绍安森美 (onsemi)的基于NCL35076连续导通模式 (CCM) DC-DC 降压控制器的75 W方案和基于NCL30076准谐振(QR)降压控制器的100 W及240 W方案。两款方案的典型应用是LED照明系统、模拟/PWM可调光LED驱动器，模拟调光范围宽，从1%到100%。安森美专有的LED电流计算技术和内部检测及反馈放大器的零输入电压偏移，在整个模拟调光范围内进行精确的稳流，稳流精度在满载时<±2%，在1%的负载时<±20%。卓越的调光特性可根据负载情况在CCM (N
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面向工业环境的大功率无线电力传输技术
- 1. 简介随着无线电力传输技术在消费类电子产品中的日益普及，工业和医疗行业也把关注焦点转移至这项技术及其固有优势。在如 WLAN 和蓝牙（Bluetooth）等各项无线技术的推动下，通信接口日益向无线化发展，无线电力传输技术也成为一种相应的选择。采用一些全新的方案，不仅能带来明显的技术优势，还能为新的工业设计开辟更多可能性。这项技术提供了许多新的概念，特别是在需要对抗腐蚀性清洁剂、严重污染和高机械应力等恶劣环境的工业领域，例如 ATEX、医药、建筑机械等。比如，它可以替代昂贵且易损
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仿真看世界之SiC MOSFET单管的并联均流特性
- 开篇前言关于SiC MOSFET的并联问题，英飞凌已陆续推出了很多技术资料，帮助大家更好的理解与应用。此文章将借助器件SPICE模型与Simetrix仿真环境，分析SiC MOSFET单管在并联条件下的均流特性。特别提醒仿真无法替代实验，仅供参考。1、选取仿真研究对象SiC MOSFETIMZ120R045M1(1200V/45mΩ)、TO247-4pin、两并联Driver IC1EDI40I12AF、单通道、磁隔离、驱动电流±4A(min)2、仿真电路Setup如图1所示，基于双脉冲的思路，搭建双管并
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意法半导体收购Norstel AB 强化碳化硅产业供应链
- 近年随着电动汽车产业崛起，碳化硅（SiC）功率半导体市场需求激增，吸引产业链相关企业的关注，国际间碳化硅(SiC)晶圆的开发驱使SiC争夺战正一触即发。与硅(Si)相比，碳化硅是具有比硅更宽的能带隙(energy bandgap，Eg)的半导体；再者，碳化硅具有更高的击穿电场 (breakdown electric field，Ec)，因此可被用于制造功率组件应用之电子电路的材料，因为用碳化硅制成的芯片即使厚度相对小也能够经受得起相对高的电压。表一分别示出了硅和碳化硅的能带隙(Eg)、击穿电场(Ec)和电
- 关键字： 意法半导体 Norstel AB 碳化硅 SiC
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