- 在关断状态下，功率MOSFET的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。MOSFET体二极管的击穿或雪崩表明反向偏置体二极管两端的电场使得漏极和源极端子之间有大量电流流动。典型的阻断状态漏电流在几十皮安到几百纳安的数量级。根据电路条件不同，在雪崩、MOSFET漏极或源极中，电流范围可从微安到数百安。
额定击穿电压，也可称之为“BV”，通常是在给定温度范围（通常是整个工作结温范围）内定义的MOSFET器件的最小阻断电压（例如30V）。数据表中的BVdss值是在低雪崩电流（通常为
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MOSFET 雪崩 电流
- 本文阐述了大容量锂离子电池包内部功率MOSFET的配置以及实现二级保护的方案；论述了其实现高功率密度使用的功率MOSFET所采用的晶圆技术和CSP封装技术的特点；提出了保证电池包安全可靠工作，功率MOSFET必须具有的技术参数，以及如何正确测量MOSFET的工作温度；最后，给出了输出端并联电阻以及提高控制芯片的输出检测电压2种方案，避免漏电流导致电池包不正常工作的问题。
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电池充放电管理 雪崩 短路 漏电流 MOSFET 202112
- 在看到MOSFET数据表时，你一定要知道你在找什么。虽然特定的参数很显眼，也一目了然(BVDS、RDS(ON)、栅极电荷)，其它的一些参数会十分的含糊不清、模
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MOSFET 雪崩
- 汽车电子模块要求采取反向电池保护措施，以避免不良电池操作可能导致的损坏风险。肖特基二极管是这种应用的首选器件，因为它们具有很低的前向
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肖特基二极管 雪崩
- 雪崩光电二极管（APD）是一种高灵敏度、高速度的光电二极管。施加反向电压时，能启动其内部的增益机构。APD的增益可以由反向偏置电压的幅度来控制。反向偏置电压越大增益就越高。APD在电场强度的作用下工作，光电流的
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雪崩 光电二极管 电流 测量
- 在功率MOSFET的数据表中，通常包括单脉冲雪崩能量EAS，雪崩电流IAR，重复脉冲雪崩能量EAR等参数，而许多电子工程师在设计电源系统的过程中，很少考虑到这些参数与电源系统的应用有什么样的联系，如何在实际的应用中评
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解析 能量 雪崩 UIS MOSFET
- 摘要：分析了功率MOSFET雪崩击穿的原因，以及MOSFET故障时能量耗散与器件温升的关系。和传统的双极性晶体管相比，反向偏置时MOSFET雪崩击穿过程不存在“热点”的作用，而电气量变化却十分复杂。寄生器件在
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问题 分析 击穿 雪崩 MOSFET 功率
- 技术人员正在“减势土墩”上安装设备
行业:
科研产品:
实时模块, FPGA模块, CompactRIO挑战:
通过收集关于雪流速度和压力的实时数据，确定雪崩中雪流规律以及雪崩阻滞屏障的有效性。解决
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CompactRIO LabVIEW 法国 雪崩
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- 在功率MOSFET的数据表中，通常包括单脉冲雪崩能量EAS，雪崩电流IAR，重复脉冲雪崩能量EAR等参数，而许多电子工程师在设计电源系统的过程中，很少考虑到这些参数与电源系统的应用有什么样的联系，如何在实际的应用中评定这些参数对其的影响，以及在哪些应用条件下需要考虑这些参数。本文将论述这些问题，同时探讨功率MOSFET在非钳位感性开关条件下的工作状态。
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雪崩 能量 UIS MOSFET 功率 理解
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