- 针对智能手机和平板电脑等移动设备的快速充电是消费电子行业中增长最快和规模最大的市场之一，相应电源适配器每年全球使用量达数亿件以上。其中涉及一系列新兴技术和挑战，包括USB PowerDelivery（PD）。本文将探讨一些目前与快充相关的AC/DC功率转换关键技术，重点讨论对USB PD的支持、技术的发展，以及Dialog在这方面提供的最新产品和解决方案。
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MOSFET 202105
- 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向大功率通用逆变器、AC伺服、商用空调、路灯等工业设备，开发出内置1700V耐压SiC MOSFET*1的AC/DC转换器*2IC“BM2SC12xFP2-LBZ”。近年来，随着节能意识的提高，在交流400V级工业设备领域，可支持更高电压、更节能、更小型的SiC功率半导体的应用越来越广。而另一方面，在工业设备中，除了主电源电路之外，还内置有为各种控制系统提供电源电压的辅助电源，但出于设计周期的考量，它们中仍然广泛采用了耐压较低的Si-MOSFET和损耗较
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MOSFET IGBT
- 随着汽车电气和电子系统设计日趋复杂化，汽车电子系统的安全性逐渐成为消费者与厂商衡量新一代汽车产品优劣的重要指标。如何量化评估汽车功能是否安全，如何减少、规避驾驶过程中遇到的各类风险，如何做到汽车功能安全等问题变得十分突出，为了解决上述难题，ISO26262 汽车功能安全国际标准应运而生。ISO26262 定义的功能安全是为了避免因电气／电子系统故障而导致的不合理风险。由于电子控制器失效的可预见性非常低，为了保证即使出现部分电子器件故障，汽车系统也能在短期（故障容错时间内）内安全运行，需要进行功能安全防护。
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202106 MOSFET
- 0 引言近年来，电力电子领域最重要的发展是所谓的宽禁带（WBG）材料的兴起，即碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）。WBG 材料的特性有望实现更小、更快、更高效的电力电子产品。WBG 功率器件已经对从普通电源和充电器到太阳能发电和能量存储的广泛应用和拓扑结构产生了影响。SiC 功率器件进入市场的时间比氮化镓长，通常用于更高电压、更高功率的应用。电机在工业应用的总功率中占了相当大的比例。它们被用于暖通空调（HVAC）、重型机器人、物料搬运和许多其他功能。提高电机驱动的能效和可靠性是降低
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202106 MOSFET WBG 202106
- 摘要随着汽车电动化推进，智能充电基础设施正在迅速普及，智能电网内部的V2G车辆给电网充电应用也是方兴未艾，越来越多的应用领域要求有源前端电力变换器具有双向电流变换功能。本文在典型的三相电力应用中分析了SiC功率MOSFET在高频PFC变换器中的应用表现，证明碳化硅电力解决方案的优势，例如，将三相两电平全桥(B6)变换器和NPC2三电平(3L-TType)变换器作为研究案例，并与硅功率半导体进行了输出功率和开关频率比较。前言随着汽车电动化推进，智能充电基础设施正在迅速普及，智能电网内部的V2G车辆给电网充电
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MOSFET IGBT
- 专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics)近日 宣布与PANJIT签订全球分销协议。PANJIT是一家成立于1986年的分立式半导体制造商。签订本协议后，贸泽开始备货PANJIT 丰富多样的产品，包括二极管、整流器和晶体管。贸泽备货的PANJIT产品线包括高度可靠的汽车级E-Type瞬态电压抑制器 (TVS)。150W至400W的E-type TVS产品采用外延 (EPI) 平面晶圆工艺，与传统晶圆工艺相比，该工艺具有高浪涌、低反向电流和更好的箝位电压
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MOSFET
- 近日，英飞凌科技股份公司近日推出全新EasyPACK™ 2B模块。作为英飞凌1200 V系列的产品，该模块采用有源钳位三电平（ANPC）拓扑结构，并集成了CoolSiC™ MOSFET、TRENCHSTOP™ IGBT7器件、NTC温度传感器以及PressFIT压接引脚。此功率模块适用于储能系统（ESS）这样的快速开关应用，还有助于提高太阳能系统的额定功率和能效，并可满足对1500 V DC-link太阳能系统与日俱增的需求。Easy模块F3L11MR12W2M1_B74专为在整个功率因数（cos φ）范
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MOSFET
- 空间应用电源需要在抗辐射技术环境中运行，防止极端粒子相互作用及太阳和电磁事件的影响，因为这类事件会降低空间系统的性能并干扰运行。为满足这一要求，Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）近日宣布其M6 MRH25N12U3抗辐射型250V、0.21欧姆Rds（on）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）获得了商业航天和国防空间应用认证。Microchip耐辐射M6 MRH25N12U3 MOSFET为电源转换电路提供了主要的开关元件，包括负载点转换器、DC-DC转换器、电
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MOSFET LET IC MCU
- 推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor)，近日发布一对1200 V完整的碳化硅 (SiC) MOSFET 2-PACK模块，进一步增强其用于充满挑战的电动车 (EV) 市场的产品系列。随着电动车销售不断增长，必须推出满足驾驶员需求的基础设施，以提供一个快速充电站网络，使他们能够快速完成行程，而没有“续航里程焦虑症”。这一领域的要求正在迅速发展，需要超过350 kW的功率水平和95%的能效成为“常规”。鉴于这些充电桩部署在不同的环境和地点，紧凑性、鲁棒性和增强的可靠性都是设计人员面
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MOSFET
- 图腾柱PFC电路能显著改善交流输入转换器的效率，但是主流半导体开关技术的局限性使其不能发挥全部潜力。不过，SiC FET能突破这些局限性。本文介绍了如何在数千瓦电压下实现99.3%以上的效率。正文交流输入电源的设计师必须竭力满足许多要求，包括功能要求、安全要求和EMC要求等等。他们通常需要进行权衡取舍，一个好例子是既要求达到服务器电源的“钛”标准等能效目标，又要用功率因素校正（PFC）将线路谐波发射保持在低水平，以帮助电网可靠高效地运行。在大部分情况下，会通过升压转换器部分实施PFC，升压转换器会将整流后
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SiC FET PFC
- 英飞凌科技向三星电子供应具有最高能源效率及最低噪音的功率产品。这些功率装置已整合在三星最新款的单门式(RR23A2J3XWX、RR23A2G3WDX)与FDR(对开式：RF18A5101SR)变频式冰箱。变频是当代变频器设计中，采用直流转交流的新兴转换趋势。与传统的开/关控制相比，能让产品应用更安静平稳地运转，同时也减少平均耗电量。 三星首款在压缩机中使用分立式装置设计的冰箱，采用英飞凌多款电源解决方案：EiceDRIVER、CoolSET Gen 5，以及压缩机马达用的 600V CoolMO
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三星 MOSFET 英飞凌
- 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出采用薄型S06L封装的新款光伏输出光耦（“光伏耦合器”）---“TLP3910”，适用于驱动高压功率MOSFET的栅极，这类MOSFET用于实现隔离式固态继电器（SSR）[1]功能。今日开始批量出货。SSR是以光电可控硅、光电晶体管或光电晶闸管为输出器件的半导体继电器，它适用于对大电流执行开／关控制的应用。光伏耦合器是一种内置光学器件但不具有用于执行开关功能的MOSFET的光继电器。在配置隔离式SSR设计时，通过将光伏耦合器与MOSFET结合使用，便
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MOSFET SSR
- 基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布推出新型0.55 mΩ RDS(on) 40 V功率MOSFET，该器件采用高可靠性的LFPAK88封装，适用于汽车(BUK7S0R5-40H)和工业(PSMNR55-40SSH)应用。这些器件是Nexperia所生产的RDS(on) 值最低的40 V器件，更重要的是，它们提供的功率密度相比传统D2PAK器件提高了50倍以上。此外，这些新型器件还可在雪崩和线性模式下提供更高的性能，从而提高了耐用性和可靠性。Nexperia产品市场经理Neil M
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Nexperia 低RDS(on) MOSFET
- 近些年，随着电动汽车以及其他系统的增长，碳化硅（SiC）功率半导体市场正在经历需求的突然激增，因此也吸引了产业链相关企业的关注。在产业应用进一步成熟的趋势下，SiC的争夺战正一触即发。碳化硅材料之殇SiC器件成本高的一大原因就是SiC衬底贵，目前，衬底成本大约是加工晶片的50%，外延片是25%，器件晶圆生产环节20%，封装测试环节5%。SiC衬底不止贵，生产工艺还复杂，与硅相比，碳化硅很难处理、研磨和锯切，挑战非常大。所以大多数企业都是从Cree、Rohm等供应商购买衬底。SiC器件广泛用于光伏逆变器、工
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SiC 功率半导体
- 随着半导体技术和工艺的飞速发展，电子设备得到了广泛应用，而作为一名电力工程师，模拟电路是一门很基础的课，对于学生来说，获得电子线路基本知识、基本理论和基本技能,能为深入学习电子技术打下基础。1. 电接口设计中，反射衰减通常在高频情况下变差，这是因为带损耗的传输线反射同频率相关，这种情况下，尽量缩短PCB走线就显得异常重要。2. 稳压二极管就是一种稳定电路工作电压的二极管，由于特殊的内部结构特点，适用反向击穿的工作状态，只要限制电流的大小，这种击穿是非破坏性的。3. PN结具有
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模电 三极管 MOSFET
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