温度控制是MOSFET或IGBT功率模块有效工作的关键因素之一。尽管某些MOSFET配有内部温度传感器 (体二极管),但其他方法也可以用来监控温度。半导体硅PTC热敏电阻可以很好进行电流控制,或铂基或铌基(RTD)电阻温度检测器可以用较低阻值,达到更高的检测线性度。无论传感器采用表面贴装器件、引线键合裸片还是烧结裸片,NTC热敏电阻仍是灵敏度优异,用途广泛的温度传感器。只要设计得当,可确保模块正确降额,并最终在过热或外部温度过高的情况下关断模块。本文以键合NTC裸片为重点,采用模拟电路仿真的方法说明功率模
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IGBT MOSFET
用于消防控制系统的集中供电电源应具备不间断供电的特性,能够进行电池充电及智能显示。本文通过半桥拓扑设计主电电路,以STM8S003F3P作为电源的控制单片机,使用继电器控制电路实现主备电无缝切换,使用电池充电电路对蓄电池进行智能充电管理,最后搭建实际电路进行验证。验证结果表明:设计的集中供电电源输出性能指标较高,且能够实现不间断供电及电池充电功能,满足消防控制系统供电要求。
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集中供电电源 半桥拓扑 充电管理 智能 202104 MOSFET IGBT
随着电子系统变得越来越密集并且互连程度越来越高,降低电磁干扰 (EMI) 的影响日益成为一个关键的系统设计考虑因素。鉴于 EMI 可能在后期严重阻碍设计进度,浪费大量时间和资金,因此必须在设计之初就考虑 EMI 问题。开关模式电源 (SMPS) 是现代技术中普遍使用的电路之一,在大多数应用中,该电路可提供比线性稳压器更大的效率。但这种效率提高是有代价的,因为 SMPS 中功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 的开关会产生大量 EMI,进而影响电路可靠性。EMI 主要来自不连续的输入电流、开关节
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MOSFET
基础半导体器件领域的专家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列开始批量供货。与之前的技术和竞争对手器件相比,新款器件具有显著的性能优势。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ(典型值)的RDS(on)性能,适用于2 kW至10 kW的单相AC/DC和DC/DC工业开关模式电源(SMPS),特别是必须满足80 PLUS®钛金级效率认证的服务器电源和高效率要求的电信电源。该器件也非常适合相同功率范围内的太阳能逆变器和伺服驱动器。 全新650V H2功率GaN FET采用TO-2
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Nexperia MOSFET GaN
工业自动化简单说来指从人力制造转向机器人制造,涉及信息物理系统(CPS)、物联网(IoT)/工业物联网(IIoT)、云计算(Cloud Computing)和人工智能(AI)等多种技术,可实现经济增长和利润最大化,提高生产效率,并避免人力在执行某些任务时的安全隐患。安森美半导体为工业自动化提供全面的高能效创新的半导体方案。其中,机器人半导体方案构建框图如图1所示。图1 工业自动化-机器人半导体方案构建框图电机控制设计人员可采用安森美半导体的无刷直流电机(BLDC)控制器实现BLDC电机控制,如高
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MOSFET BLDC IoT IIoT
意法半导体(STMicroelectronics) 以“意法半导体,科技始之于你”为主题亮相2021年慕尼黑上海电子展,展示其行业领先的智能出行、电源和能源管理、物联网和5G产品及解决方案。 作为意法半导体重要的业务领域之一,此次展台的焦点是一辆智能电动轿跑小鹏P7,这款先进的新能源智能汽车的车辆控制单元(VCU)中采用意法半导体的先进的多功能芯片L9788,这是首个集成CAN FD收发器的U-chip解决方案,符合最高的功能性安全标准,产品竞争优势包括节省物料清单(BOM)成本、减少印刷电路板(PCB)
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意法半导体 SiC BMS
2021年4月11日,为期三天的第97届中国电子展在深圳会展中心圆满落幕,展会与第九届中国电子信息博览会(CITE2021)同期举办,现场有超1500家参展商参展,共发布近万件新产品、新技术,全方位、多角度展示我国电子信息产业的最新发展成果。同时,博览会期间还举办了近100场同期活动,吸引了超过10万名专业观众到场参观,500余万观众线上观展。据主办方介绍,展会以“创新驱动 高质量发展”为主题,展览展示、论坛会议和现场活动三大板块联动,三位一体,亮点纷呈。亮点一展览:展示最新产品 9号馆——基础
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MOSFET
日趋严格的CO2排放标准以及不断变化的公众和企业意见在加速全球电动汽车(EV)的发展。这为车载充电器(OBC)带来在未来几年巨大的增长空间,根据最近的趋势,到2024年的复合年增长率(CAGR(TAM))估计将达到37.6%或更高。对于全球OBC模块正在设计中的汽车,提高系统能效或定义一种高度可靠的新拓扑结构已成为迫在眉睫的挑战。用于单相输入交流系统的简单功率因数校正(PFC)拓扑结构(图1)是个传统的单通道升压转换器。该方案包含一个用于输入交流整流的二极管全桥和一个PFC控制器,以增加负载的功率因数,从
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MOSFET PFC
日前,Vishay Intertechnology, Inc. 近日推出通过AEC-Q101认证、全球先进的p沟道80 V TrenchFET® MOSFET---SQJA81EP。新型Vishay Siliconix SQJA81EP导通电阻达到80 V p沟道器件优异水平,可提高汽车应用功率密度和能效。SQJA81EP采用欧翼引线结构5.13 mm x 6.15 mm PowerPAK® SO-8L小型单体封装,10 V条件下最大导通电阻仅为17.3 mW /典型值为14.3 mW。日前发布的汽车级M
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MOSFET
背景资讯大多数中间总线转换器 (IBC) 使用一个体积庞大的电源变压器来提供从输入至输出的隔离。另外,它们一般还需要一个用于输出滤波的电感器。此类转换器常用于数据通信、电信和医疗分布式电源架构。这些 IBC 可由众多供应商提供,而且通常可放置于业界标准的 1/16、1/8 和 1/4 砖占板面积之内。典型的 IBC 具有一个 48V 或 54V 的标称输入电压,并产生一个介于 5V 至 12V 之间的较低中间电压以及从几百 W 至几 kW 的输出功率级别。中间总线电压用作负载点稳压器的输入,将负责给 FP
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MOSFET IBC
STGAP2SiCS能够产生高达26V的栅极驱动电压,将欠压锁定(UVLO)阈压提高到15.5V,满足SiC MOSFET开关管正常导通要求。如果电源电压低引起驱动电压太低,UVLO保护机制将确保MOSFET处于关断状态,以免产生过多的耗散功率。这款驱动器有双两个输入引脚,让设计人员可以定义栅极驱动信号的极性。STGAP2SiCS在输入部分和栅极驱动输出之间设计6kV电气隔离,电隔离有助于确保消费电子和工业设备的用电安全。4A吸电流/拉电流驱动能力使其适用于高端家用电器、工业驱动装置、风扇、电磁炉、电焊机
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MOSFET UVLO
1 电机驱动系统的关键是可靠性和能效电机在现代生活中无处不在, 从气候控制、电器和商业制冷到汽车、工厂和基础设施。根据国际能源署 (International Energy Agency) 的数据,电机占全球总电力消耗的45%,因此电机驱动电子设备的可靠性和能效会对世界各地的舒适、便利和环境及各种应用产生影响。工业自动化和机器人是电机最重要的应用之一,随着传统机器人、协作机器人和自主移动机器人的采用,我们看到工厂和其他设施变得更加自动化。一种提高电机驱动系统能效的方法是,以基于三相
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MOSFET IPM 202103
近年来,谐振变换器的热度越来越高,被广泛用于计算机服务器、电信设备、灯具和消费电子等各种应用场景。谐振变换器可以很容易地实现高能效,其固有的较宽的软开关范围很容易实现高频开关,这是一个关键的吸引人的特性。本文着重介绍一个以半桥LCC谐振变换数字控制和同步整流为特性的300W电源。图1所示的STEVAL-LLL009V1是一个数控300W电源。原边组件包括PFC级和DC-DC功率级(半桥LCC谐振变换器),副边组件包括同步整流电路和STM32F334微控制器,其中STM32F334微控制器对DC-DC功率级
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MOSFET IC
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