- 开关模式电源有三种常用电流检测方法是:使用检测电阻,使用MOSFET RDS(ON),以及使用电感的直流电阻(DCR)。每种方法都有优点和缺点,选择检测方法时应予以考虑。检测电阻电流作为电流检测元件的检测电阻,产生的检测误差最低(通常在1%和5%之间),温度系数也非常低,约为100 ppm/°C (0.01%)。在性能方面,它提供精度最高的电源,有助于实现极为精确的电源限流功能,并且在多个电源并联时,还有利于实现精密均流。图1.RSENSE电流检测另一方面,因为电源设计中增加了电流检测电阻,所以电阻也会产
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MOSFET DCR
- 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布,面向工业应用推出一款集成最新开发的双通道碳化硅(SiC)MOSFET芯片(具有3300V和800A特征)的模块---“MG800FXF2YMS3”,该产品将于2021年5月投入量产。为达到175℃的通道温度,该产品采用具有银烧结内部键合技术和高贴装兼容性的iXPLV(智能柔性封装低电压)封装。这款模块可充分满足轨道车辆和可再生能源发电系统等工业应用对高效紧凑设备的需求。◆ 应用● 用于轨道车辆的逆变器和转换
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MOSFET
- 电流检测电阻的位置连同开关稳压器架构决定了要检测的电流。检测的电流包括峰值电感电流、谷值电感电流(连续导通模式下电感电流的最小值)和平均输出电流。检测电阻的位置会影响功率损耗、噪声计算以及检测电阻监控电路看到的共模电压。放置在降压调节器高端对于降压调节器,电流检测电阻有多个位置可以放置。当放置在顶部MOSFET的高端时(如图1所示),它会在顶部MOSFET导通时检测峰值电感电流,从而可用于峰值电流模式控制电源。但是,当顶部MOSFET关断且底部MOSFET导通时,它不测量电感电流。图1 带高端RSENSE
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MOSFET
- 关键半导体器件领域的专家Nexperia今天宣布推出一系列采用节省空间的LFPAK56D封装技术的半桥(高端和低端)汽车MOSFET。采用两个MOSFET的半桥配置是许多汽车应用(包括电机驱动器和DC/DC转换器)的标准构建模块。这种新封装提供了一种单器件半桥解决方案。与用于三相电机控制拓扑的双通道MOSFET相比,由于去掉了PCB线路,其占用的PCB面积减少了30%,同时支持在生产过程中进行简单的自动光学检测(AOI)。LFPAK56D半桥产品采用现有的大批量LFPAK56D封装工艺,并具有成熟的汽车级
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Nexperia MOSFET AEC-Q101
- 设计要点 DN571 - 引言对于高电压输入/输出应用,无电感型开关电容器转换器 (充电泵) 相比基于电感器的传统降压或升压拓扑可显著地改善效率和缩减解决方案尺寸。通过采用充电泵取代电感器,一个 “跨接电容器” 可用于存储能量和把能量从输入传递至输出。电容器的能量密度远高于电感器,因而采用充电泵可使功率密度提高 10 倍。但是,由于在启动、保护、栅极驱动和稳压方面面临挑战,所以充电泵传统上一直局限于低功率应用。ADI公司的LTC7820 克服了这些问题,可实现高功率密度、高效率 (达 99%) 的解决方案
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MOSFET
- 可再生能源仍然是世界范围内的大趋势。随着捕获风能、太阳能和其他形式的可再生能源的方法不断发展,可再生能源系统的成本和效率对公司和消费者都越来越有吸引力。实际上,2016年,全球对可再生能源的资本投资跌到了多年来最低水平,但是却创下了一年内可再生能源设备安装数量最多的记录。在用于可再生能源系统的组件中,逆变器是一项尤其关键的系统组件。由于大多数可再生能源都是通过直流电(DC)产生的,因此逆变器在将直流电(DC)转换为交流电(AC)以有效整合到现有电网中起着关键作用。在混合了不同可再生能源的混合动力系统和微电
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PWM AC DC MOSFET SPWM
- 引言人们普遍认为,SiC MOSFET可以实现非常快的开关速度,有助于显著降低电力电子领域功率转换过程中的能量损耗。然而,由于传统功率半导体封装的限制,在实际应用中并不总是能发挥SiC元器件的全部潜力。在本文中,我们首先讨论传统封装的一些局限性,然后介绍采用更好的封装形式所带来的好处。最后,展示对使用了图腾柱(Totem-Pole)拓扑的3.7kW单相PFC进行封装改进后获得的改善效果。功率元器件传统封装形式带来的开关性能限制TO-247N(图1)是应用最广泛的功率晶体管传统封装形式之一。如图1左侧所示,
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MOSFET
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.近日宣布,其赞助的同济大学大学生电动方程式车队---DIAN Racing首次荣获中国大学生电动方程式汽车大赛(FSEC)总冠军。DIAN Racing车队由100多名成员组成,致力于提高汽车速度和能效,同时为国际清洁能源的发展做出贡献。每年,车队设计制造一款先进的电动赛车,参加包括FSEC在内的国际大学生方程式汽车赛。在2020年襄阳站的角逐中,DIAN Racing车队以设计报告和直线加速赛第一,8字绕环第二,耐久性第三的优异成绩获得本届比
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MOSFET
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.近日宣布,其赞助的同济大学大学生电动方程式车队---DIAN Racing首次荣获中国大学生电动方程式汽车大赛(FSEC)总冠军。DIAN Racing车队由100多名成员组成,致力于提高汽车速度和能效,同时为国际清洁能源的发展做出贡献。每年,车队设计制造一款先进的电动赛车,参加包括FSEC在内的国际大学生方程式汽车赛。在2020年襄阳站的角逐中,DIAN Racing车队以设计报告和直线加速赛第一,8字绕环第二,耐久性第三的优异成绩获得本届比
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MOSFET
- 0 引言电机(Electric machinery,俗称“马达”)是指依据电磁感应定律实现电能转换或传递的一种电磁装置,用来产生驱动转矩作为电器或各种机械的动力源。目前通常使用微控制器(MCU)对电机的启停及转速进行控制。本文介绍了基于兆易创新(GigaDevice)公司GD32 MCU 的一种创新型高精度反电动势电压采样方案,广泛应用于工业控制、智能制造、消费电子、家用电器、交通运输等领域实现高效电机控制。图1 有刷直流电机1 电机控制概况按照工作电源的不
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MOSFET BLDC
- 全球都在共同积极应对新冠肺炎病毒(COVID-19)这个充满挑战的新环境,疫情加速了许多本来就在进行的趋势,所有趋势都潜藏着一个一致的主题,那就是弹性。互联网的应用比以前有了更大的发展和进步。有很多人在网上订购生活必需品送货上门,以尽可能保持社交距离。人们的工作、社交、教育、娱乐几乎超出了预期,被迫学习和适应相关的工具。幸运的是,通信和信息网络的基础设施已做出了令人难以置信的反应,在增加的流量和负荷下保持了良好的状态。网络使用量的增长刺激了对这一关键基础设施的投资力度,5G基础设施加速部署,云计算数据中心
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MOSFET Wi-Fi 6 202101
- 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)推出非常适用于FA和机器人等工业设备以及空调等消费电子产品的共计24款Pch MOSFET*1/*2产品,其中包括支持24V输入电压的-40V和-60V耐压单极型“RQxxxxxAT / RDxxxxxAT / RSxxxxxAT / RFxxxxxAT系列”和双极型“UTxxx5 / QHxxx5 / SHxxx5系列”。本系列产品作为ROHM拥有丰硕市场业绩的Pch MOSFET产品,采用了第五代新微米工艺,实现了业界超低的单位面积导通电阻*3。-40
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MOSFET
- 半导体基础元器件领域的高产能生产专家Nexperia今天发布获得AEC-Q101认证的新重复雪崩专用FET (ASFET)产品组合,重点关注动力系统应用。该技术已通过十亿个雪崩周期测试,可用于汽车感性负载控制,例如电磁阀和执行器。除了提供更快的关断时间(高达4倍)外,该技术还能通过减少BOM数量简化设计。 在汽车动力总成中的电磁阀和执行器控制领域,基于MOSFET的电源方案通常围绕着升压、续流二极管或主动钳位拓扑结构进行构建。第四个选择是重复雪崩设计,利用MOSFET的重复雪崩能力来泄放在其关
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Nexperia AEC-Q101 MOSFET
- 无论是调整座椅至最佳位置还是能够轻松打开行李箱,车身电子设备系统都可使用电机来提高驾乘人员的舒适性和便利性。金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)控制这些应用的电动装置。但将MOSFET用作开关给电子控制模块设计(包括电磁干扰(EMI)和热管理、电流感应、断电制动以及诊断与保护)带来了新的技术性挑战。德州仪器开发的集成电路(IC)电机驱动器产品集成了模拟功能,可帮助电子控制模块设计人员应对这些挑战,同时减小解决方案尺寸并缩短开发时间。本文中,我们将讨论可帮助应对这些设计挑战、集成到电机驱动集成电路中
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MOSFET
- 1 电动汽车BMS的技术趋势对恩智浦而言,我们所观察到的电动汽车制造商在规划整个车型电气化过程中正在面对如下挑战,这也代表了现在技术发展的趋势。1) 电池成本的持续降低是电动车普及以及车厂盈利的重要决胜点。除电芯降本外,还需要不断优化电子电气以及机械架构,并制作支持自动化组装的生产线,这样才能提高生产效率。2) 延长里程需要提高比能量,缩短充电时间则要增加比功率,在逐渐挑战比能量和比功率极限的过程中,电池管理功能安全的等级、诊断的精度
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BMS SiC
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