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sic mosfet 文章 进入sic mosfet技术社区

安森美在ASPENCORE全球电子成就奖和EE Awards Asia赢得头筹

  • 领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi)近日宣布其NCP51561隔离SiC MOSFET门极驱动器获ASPENCORE全球电子成就奖(WEAA)的功率半导体/驱动器类奖项。WEAA项目表彰对全球电子行业的创新和发展做出杰出贡献的企业和个人,由ASPENCORE全球分析师及其用户社群选出获奖者。安森美同时宣布其压铸模功率集成模块(TM-PIM)获EE Awards Asia的功率IC产品类奖项,同时公司以其先进的汽车方案和智能电源产品获得最孚众望的电动车(EV)功率半导体供应商奖。EE Awa
  • 关键字: MOSFET  

2021基本创新日盛大开启 碳化硅系列新品重磅发布

  • 新基建和“双碳”战略目标推动下,第三代半导体产业正在开启发展加速度,有望成为绿色经济的中流砥柱,引领新一轮产业革命。“创新为基,创芯为本”,11月27日,2021基本创新日活动在深圳盛大启幕。基本半导体总经理和巍巍博士在会上发布了汽车级全碳化硅模块、第三代碳化硅肖特基二极管、混合碳化硅分立器件三大系列碳化硅新品,至此基本半导体产品布局进一步完善,产品竞争力再度提升,将助力国内第三代半导体产业进一步发展,受到了现场来自汽车、工业、消费等领域以及第三代半导体产业生态圈的多位业内人士的高度关注。汽车级全碳化硅功
  • 关键字: 第三代半导体  碳化硅  MOSFET  

东芝推出用于IGBT/MOSFET栅极驱动的薄型封装高峰值输出电流光耦

  • 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布,推出采用薄型SO6L封装的两款光耦---“TLP5705H”和“TLP5702H”,可在小型IGBT/MOSFET中用作绝缘栅极驱动IC。这两款器件于近日开始支持批量出货。TLP5705H是东芝首款采用厚度仅有2.3毫米(最大值)的薄性封装(SO6L)可提供±5.0A峰值输出电流额定值的产品。传统采用缓冲电路进行电流放大的中小型逆变器与伺服放大器等设备,现在可直接通过该光耦驱动其IGBT/MOSFET而无需任何缓冲器。这将有助于减少部件数量并实现设计小型
  • 关键字: MOSFET  

非常见问题第191期:负载点DC-DC转换器解决电压精度、效率和延迟问题

  • 问题:为什么使用DC-DC转换器应尽可能靠近负载的负载点(POL)电源?答案:效率和精度是两大优势,但实现POL转换需要特别注意稳压器设计。接近电源。这是提高电源轨的电压精度、效率和动态响应的最佳方法之一。负载点转换器是一种电源DC-DC转换器,放置在尽可能靠近负载的位置,以接近电源。因POL转换器受益的应用包括高性能CPU、SoC和FPGA——它们对功率级的要求都越来越高。例如,在汽车应用中,高级驾驶员辅助系统(ADAS)——例如雷达、激光雷达和视觉系统——中使用的传感器数量在稳步倍增,导致需要更快的数
  • 关键字: MOSFET  

多通道电流传感器自动测试系统

  • 多通道电流传感器自动测试系统可以根据测试需求,实现电流传感器的比例误差、上升时间、零点偏置、零点漂移、线性度等参数的自动测试。其中精密恒流源输出可至200 A,准确度优于0.01%,多台并联可达到2 kA。覆盖了大多数中低准确度的测试需求,同时可配合准确度高达10-6的标准电流传感器解决更高准确度的测试需求。
  • 关键字: 电流传感器  自动测试  精密恒流源  比例误差  202111  MOSFET  

Diodes Incorporated 目标电动汽车产品应用推出高电流 TOLL MOSFETs

  • Diodes 公司为金属氧化物半导体场效晶体管 (MOSFET) 近日推出节省空间、高热效率的 TOLL (PowerDI®1012-8) 封装,能在 175°C、100 瓦等级的 DMTH10H1M7STLWQ及 DMTH10H2M5STLWQ 下运作,另外,80 瓦等级的 DMTH8001STLWQ 金属氧化物半导体场效晶体管 (MOSFET) 比 TO263 占据的 PCB 面积少了百分之二十。产品的特色是剖面外的模板只有 2.4 毫米厚。这特色让产品成为高可靠性电力产品应用的最佳选择,像是能量热回
  • 关键字: MOSFET  

意法半导体端口保护IC为STM32 USB-C双角色输电量身定制

  • 意法半导体TCPP03-M20 USB Type-C端口保护 IC为双角色输电(DRP)应用量身定制,针对能给相连设备充电又能接受其他 USB-C电源的双向充放电产品,可以简化其设计。作为有ST UCPD (USB Type-C 和Power Delivery)接口IP模块的 STM32G0*、STM32G4、STM32L5 和 STM32U5 微控制器的配套芯片,TCPP03-M20让设计者以经济划算的方式进行USB Type-C 接口硬件分区,实现以 STM32 为主微控制器的双芯片解决方案,从而节省
  • 关键字: MOSFET  STM32  

SRII重磅亮相CICD 2021,以先进ALD技术赋能第三代半导体产业

  • 功率器件作为半导体产业的重要组成部分,拥有非常广泛的技术分类以及应用场景。例如,传统的硅基二极管、IGBT和MOSFET等产品经过数十年的发展,占据了绝对领先的市场份额。不过,随着新能源汽车、数据中心、储能、手机快充等应用的兴起,拥有更高耐压等级、更高开关频率、更高性能的新型SiC、GaN等第三代半导体功率器件逐渐崭露头角,获得了业界的持续关注。如今,在生产工艺不断优化、成本持续降低的情况下,老牌大厂与初创企业纷纷加码第三代半导体,SiC和GaN功率器件开始投入批量应用,并迎来了关键的产能爬坡阶段。作为半
  • 关键字: MOSFET  

Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二极管系列

  • 基础半导体元器件领域的专家Nexperia,今天宣布推出650V、10A SiC肖特基二极管,正式进军高功率碳化硅(SiC)二极管市场。这对于高效功率氮化镓(GaN) FET的可靠供应商Nexperia而言是一项战略性举措,旨在扩展高压宽禁带半导体器件产品范围。 Nexperia的首款SiC肖特基二极管为工业级器件,重复反向峰值电压为650V(VRRM),持续正向电流为10A(IF),旨在为功率转换应用实现超高性能、高效率、低损耗。以及兼容高压的具有更高爬电距离的纯双引脚(R2P)封装,使该系列
  • 关键字: Nexperia  碳化硅  SiC  二极管  

提高迟滞,实现平稳的欠压和过压闭锁

  • 电阻分压器可将高电压衰减至低压电路能够承受的电平,且低压电路不会出现过载或损坏。在功率路径控制电路中,电阻分压器有助于设置电源欠压和过压闭锁阈值。这种电源电压验证电路常见于汽车系统、便携式电池供电仪器仪表以及数据处理和通信板中。欠压闭锁(UVLO)可防止下游电子系统在异常低的电源电压下工作,避免导致系统故障。例如,当电源电压低于规格要求时,数字系统可能性能不稳定,甚至死机。当电源为可充电电池时,欠压闭锁可防止电池因深度放电而受损。过压闭锁(OVLO)可保护系统免受破坏性地高电源电压的影响。由于欠压和过压阈
  • 关键字: MOSFET  

基于eGaN FET的2 kW、48V/12V DC/DC转换器演示板,让设计师实现用于轻度混合动力汽车的更高效、更小、更快的双向转换器

  • EPC9163是一款两相48 V/12 V双向转换器,可提供2 kW的功率和实现96.5%的效率,是适用于轻度混合动力汽车和备用电池装置的小型化解决方案。宜普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC9163,这是一款 2 kW、两相的48 V /12 V双向转换器演示板,可在非常小的占板面积上实现 96.5%的效率。该演示板的设计具有可扩展性 - 并联两个转换器可以实现4 kW的功率,或者并联三个转换器以实现6 kW。该板采用8个100 V 的eGaN®FET(EPC2218),并由模块控制,该模块采用Mic
  • 关键字: MOSFET  

Qorvo®收购领先的碳化硅功率半导体供应商UnitedSiC公司

  • 移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中RF解决方案的领先供应商Qorvo®,Inc.(纳斯达克代码:QRVO)今天宣布,已收购位于新泽西州普林斯顿领先碳化硅(SiC)功率半导体供应商UnitedSiC公司。对UnitedSiC的收购扩大了Qorvo在快速增长的电动汽车(EV)、工业电源、电路保护、可再生能源和数据中心电源市场的影响力。UnitedSiC公司将成为Qorvo基础设施和国防产品(IDP)业务之一,将由Chris Dries博士领导,他曾是UnitedSiC公司的总裁兼首席执行官,现任Qorv
  • 关键字: SiC  电源  

添加灵活的限流功能

  • 问题:我可以根据负载轻松而精确地进行限流吗?答案:可以使用限流IC进行限流。在一些电源管理应用中,需要精确地限制电流。无论是要保护电源(例如,中间电路电压需要过载保护以便能够可靠地为其他系统部件提供电能),还是在故障情况下保护可能由于过流而造成损坏的负载,都需要精确地限制电流。在寻找合适的DC-DC负载点稳压器来满足此要求时,我们发现市面上具有可调限流功能的电压转换器很少见。可调限流功能在采用外部电源开关的控制器设计中更加常见,而所有的集成解决方案很少提供此类功能。而且,可调限流功能的精度通常不是很高。以
  • 关键字: MOSFET  

使用无损耗过零点检测功能提高智能家居和智能建筑(HBA)应用中的AC输入开关效率和可靠性

  • 在越来越多的应用中,对导通和关断AC输入电源的器件的性能进行优化是一个重要考虑因素,这些应用包括智能家居/智能建筑(HBA)、支持物联网(IoT)的家电、智能开关和插头、调光器和人体感应传感器,特别适用于采用继电器或可控硅进行功率控制的设计。当AC电源异步导通或关断而不考虑其所处的电压时,效率和可靠性会受到不利影响,必须添加电路以保护开关免受高瞬态电流的影响。当AC电源异步导通时,浪涌电流可能超过100A。反复暴露于高浪涌电流会对继电器和可控硅的可靠性和使用寿命产生负面影响。电触点的预期寿命因浪涌电流需求
  • 关键字: MOSFET  

在单个封装中提供完整的有源功率因数校正解决方案

  • 源设计者如今面临两个主要问题:消除有害的输入谐波电流和确保功率因数尽可能地接近于1。有害的谐波电流会导致传输设备过热,并带来后续必须解决的干扰难题;这两者也会对电路的尺寸和/或效率产生不利影响。如果施加在线路上的负载不是纯电阻性的,输入电压和电流波形之间将产生相移,从而增加视在功率并降低传输效率。如果非线性负载使输入电流波形失真,则会引起电流谐波,从而进一步降低传输效率并将干扰引入市电电网。如果要解决这些问题,需要了解功率变换的基本原理。电源当中通常将来自墙上插座的交流电压连接至整流电路,整流管将交流电压
  • 关键字: MOSFET  
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