(图片来源：YMTC)长江存储技术有限公司（YMTC），中国领先的 NAND 存储器生产商，自 2022 年底以来一直被美国商务部列入实体清单，这基本上禁止了其获取先进制造设备。尽管面临制裁和限制，YMTC 计划今年扩大其生产能力，目标是在 2026 年底前占据 NAND 存储器生产市场的 15%，据《Digitimes》报道。该公司还计划建设一条仅使用中国制造设备的试验生产线。YMTC 将扩大产能至每月 15 万片晶圆启动据 DigiTimes 报道，预计到 2024 年底，YMTC 的月产能将达到每月
关键字：
长江存储 NAND 内存
中国存储半导体公司长鑫存储科技 （CXMT） 和长江存储科技 （YMTC） 正在加强其在全球存储半导体市场的影响力，在大约一年后将其产能几乎翻了一番。自去年以来，中国内存开始在三星电子和 SK 海力士主导的通用 DRAM 市场中崭露头角，从传统 DRAM 开始，在国内市场需求和政府补贴的推动下，中国内存正在提高其竞争力。此外，它还对高带宽内存 （HBM） 和 300 层 3D NAND 闪存等先进产品线提出了挑战，缩小了与三星电子和 SK 海力士的差距。根据 ChosunBiz 21 日获得的 Omdia
关键字：
CXMT YMTC DRAM NAND
根据TrendForce预估，第三季NAND Flash价格走势，预估平均合约价将季增5%至10%，但eMMC、UFS产品，因智慧手机下半年展望不明，涨幅较低。client SSD市场因OEM/ODM上半年去化库存情况优于预期，增强第三季回补动能。 而Windows 10停止支持、新一代CPU推出引发换机潮，以及DeepSeek一体机热潮，皆带动client SSD需求。此外，部分原厂积极推动大容量QLC产品，带动出货规模。 综合以上因素，预估第三季client SSD将季增3%至8%。随NVIDIA B
关键字：
NAND Flash
SSD 对于提升 PC 及客户端设备的用户体验和系统性能至关重要。Micron Technology Inc.近日宣布，推出美光 2600 NVMe™ SSD，专为原始设备制造商（OEM）设计的高性价比客户端存储解决方案。2600 SSD 搭载业界首款应用于SSD的第九代 QLC NAND（G9 QLC NAND），并采用美光创新的自适应写入技术（Adaptive Write Technology™，AWT），在兼顾 QLC
关键字：
美光 自适应写入 QLC NAND
TrendForce最新释出的存储器市场观察指出，2025年第二季以来快速上涨的DDR4价格涨势，恐将在第四季触顶回落; 而NAND市场虽受惠AI需求带动，但因供需未形成紧张态势，价格预期多呈持平。TrendForce表示，DDR4近期的强劲涨势，主要来自供应商削减产出与市场抢货潮，但这波动能可能难以延续至年底。根据通路查核，随着价格进入高档区间，供应商正逐步释出库存，预期第四季整体供应将逐步改善。DDR5方面，目前价格趋势稳定，2025年第二、三季价格季增幅度预估介于3%至8%之间。 不过，部分二线OE
关键字：
DDR4 NAND
纵观整个电子行业，往更高密度的集成电路发展无疑是主流趋势。相对于逻辑电路追求晶体管密度提升，类似于FLASH NAND这样的非易失性存储还需要考虑到电子的稳定保存，单纯的提升制造工艺并不能很好的解决所有存储问题，在稳定保存的前提下追求更高的存储密度才能确保新技术、新产品可持续发展，存储单元向上要空间成为顺理成章的事情，因此在SLC（Single-Level Cell）之后才有MLC（Multi-Level Cell），TLC（Triple-Level Cell），以及日渐成为主流的QLC（Quad-Lev
关键字：
AI推理 QLC NAND Flash
韩国顶尖国家级研究机构 KAIST 发布了一份 371 页的论文，详细介绍了到 2038 年高带宽内存（HBM）技术的演进，展示了带宽、容量、I/O 宽度以及热量的增加。该路线图涵盖了从 HBM4 到 HBM8 的发展，包括封装、3D 堆叠、以内存为中心的架构以及嵌入 NAND 存储，甚至基于机器学习的方法来控制功耗。 请记住，该文件是关于 HBM 技术假设演进的，基于当前行业和研究方向，而不是任何商业公司的实际路线图。（图片来源：KAIST）每堆叠的 HBM 容量将从 288GB 增加到 34
关键字：
HBM.NAND
上半年，时至过半。回顾这半年的半导体市场，似是相对平静，但是仔细回想也有不少芯片巨头在该背景下做了诸多调整。它们接连「动刀」，果断退出部分产品领域。在这个过程中会对半导体产业造成哪些影响？又有哪些公司同步受益？芯片巨头，放弃这些芯片存储三巨头，计划停产 DDR3 和DDR4关于三星、SK 海力士、美光等主要 DRAM 制造商计划停产 DDR3 和 DDR4 内存的消息，想必业内人士早有耳闻。今年 2 月，这则消息正式传来，这一决策是由于对 HBM（高带宽内存）和 DDR5 等
关键字：
DDR3 DDR4 NAND HDD
据消息人士透露，三星计划在下个月停止接收MLC NAND芯片的订单，标志着其将逐步退出MLC NAND（多层单元NAND）业务。同时，三星还提高了MLC NAND的价格，促使部分客户开始寻找替代供应商。LG显示（LG Display）正是受影响的客户之一。该公司此前在其用于大型OLED面板的4GB eMMC（嵌入式多媒体卡）中使用三星的MLC NAND。目前，LG显示正在寻求其他供应商，以填补这一空缺。据悉，LG显示此前的eMMC产品还使用了ESMT和铠侠的产品。其中，ESMT的eMMC采用了三星的MLC
关键字：
三星 MLC NAND TLC QLC
业界传出，全球BT载板用基材龙头的日本三菱瓦斯化学株式会社（MGC），近日向客户发出BT材料「延迟交付」通知。 随着原料缺货日益严峻，载板供应中长期将出现短缺。 供应链业者同步透露，金价持续上涨、产品交期延长，NAND Flash控制芯片等领域，也可望转嫁成本上涨，包括群联、慧荣等主控业者有机会受惠。多家BT载板业者证实，确实2025年5月上旬时，陆续接获日本MGC书面通知，部分高阶材料订单交期将进一步拉长，显示先前传出ABF载板材料供不应求的情形，已进一步向BT载板供应链蔓延。据三菱发出的通知内容指出，
关键字：
台积电 CoWoS BT载板基材 NAND 主控芯片
NAND闪存将单元串联排列以实现高密度存储，优先考虑写入/擦除速度而不是直接寻址。
关键字：
闪存 NAND
1. 定义DDR：Double Date Rate 双倍速率同步动态随机存储器。DDR、DDR2、DDR3常用规格：2. 阻抗控制要求单端走线控制 50 欧姆，差分走线控制 100 欧姆3. DDR 布局要求通常，根据器件的摆放方式不同而选择相应的拓扑结构。A、DDR*1 片，一般采用点对点的布局方式，靠近主控，相对飞线 Bank 对称。间距可以按照是实际要求进行调整，推荐间距为 500-800mil。B、DDR*2 片，布局相对主控飞线 Bank 对称，常采用 T 型拓扑结构， 推荐间距如下：等长要求
关键字：
DDR PCB设计 存储
Sandisk Corp. 正在寻求 3D-NAND 闪存的创新，该公司声称该创新可以取代基于 DRAM 的 HBM（高带宽内存）用于 AI 推理应用。当 Sandisk 于 2025 年 2 月从数据存储公司 Western Digital 分拆出来时，该公司表示，它打算在提供闪存产品的同时追求新兴颠覆性内存技术的开发。在 2 月 11 日举行的 Sandisk 投资者日上，即分拆前不久，即将上任的内存技术高级副总裁 Alper Ilkbahar 介绍了高带宽闪存以及他称之为 3D 矩阵内存的东西。在同
关键字：
Sandisk 3D-NAND
业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice近日宣布推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash，该系列以其突破性的读取速度和创新的坏块管理（BBM）功能，可有效解决传统SPI NAND Flash响应速度慢、易受坏块干扰的行业痛点。作为一种巧妙融合了NOR Flash高速读取优势与NAND Flash大容量、低成本优势的新型解决方案，GD5F1GM9系列的面世将为SPI NAND Flash带来新的发展机遇，成为安防、工业、IoT等快速启动应用场景的理想之选。GD5F1GM9系列
关键字：
兆易创新 QSPI NAND
近日，兆易创新宣布推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash，该系列以其突破性的读取速度和创新的坏块管理（BBM）功能，可有效解决传统SPI NAND Flash响应速度慢、易受坏块干扰的行业痛点。作为一种巧妙融合了NOR Flash高速读取优势与NAND Flash大容量、低成本优势的新型解决方案，GD5F1GM9系列的面世将为SPI NAND Flash带来新的发展机遇，成为安防、工业、IoT等快速启动应用场景的理想之选。GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash采用24n
关键字：
兆易创新 Flash NAND
nand+ddr介绍
您好，目前还没有人创建词条nand+ddr!
欢迎您创建该词条，阐述对nand+ddr的理解，并与今后在此搜索nand+ddr的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473