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nand+ddr 文章 最新资讯

第二季DRAM合约价涨幅上修至13~18%；NAND Flash约15~20%

  • 据TrendForce集邦咨询最新预估，第二季DRAM合约价季涨幅将上修至13~18%；NAND Flash合约价季涨幅同步上修至约15~20%，全线产品仅eMMC/UFS价格涨幅较小，约10%。403地震发生前，TrendForce集邦咨询原先预估，第二季DRAM合约价季涨幅约3~8%；NAND Flash为13~18%，相较第一季涨幅明显收敛，当时从合约价先行指标的现货价格就可看出，现货价已出现连续走弱，上涨动能低落、交易量降低等情况。究其原因，主要是除了AI以外的终端需求不振，尤其笔电、智能手机
  • 关键字： DRAM  NAND Flash  TrendForce  

累计上涨100%还不停！消息称SK海力士将对内存等涨价 至少上调20%

  • 5月6日消息，供应链爆料称，SK海力士将对旗下LPDDR5、LPDDR4、NAND、DDR5等产品提价，涨幅均有15%-20%。按照消息人士的说法，海力士DRAM产品价格从去年第四季度开始逐月上调，目前已累计上涨约60%-100%不等，下半年涨幅将趋缓。靠着存储涨价，三星电子2024年第一季营业利润达到了6.606万亿韩元。财报显示，三星电子一季度存储业务营收17.49万亿韩元，环比增长11%，同比暴涨96%，在整体的半导体业务营收当中的占比高达75.58%。三星表示，一季度存储市场总体需求强劲，特别是生
  • 关键字： SK海力士  三星  DDR5  NAND Flash  上涨  

美光率先量产面向客户端和数据中心的200+层QLC NAND产品

  • Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布，美光232层QLC NAND现已量产，并在部分 Crucial 英睿达固态硬盘（SSD）中出货。与此同时，美光 2500 NVMeTM SSD 也已面向企业级存储客户量产，并向 PC OEM 厂商出样。这些进展彰显了美光在 NAND 技术领域的长期领导地位。美光 232 层 QLC NAND 可为移动
  • 关键字： 美光  QLC NAND  

群联3月营收年增73%，创历史单月新高纪录

  • 近日，存储厂商群联公布了2024年3月份营运结果，合并营收为新台币67.75亿元，年成长达73%，刷新历史单月营收新高纪录。全年度营收累计至3月份达新台币165.26亿元，年成长达64%，为历史同期次高。群联表示，2024年3月份SSD控制芯片总累计总出货量年成长达96%，其中PCIe SSD控制芯片总出货量年增率达176%，刷新历史单月新高。此外，全年度累计至3月份之整体NAND闪存位元数总出货量的年成长率（Bit Growth Rate）也达80%，刷新历史同期新高，显示整体市场需求持续缓步回升趋势不
  • 关键字： 群联  SSD固态硬盘  NAND Flash  

3D NAND，1000层竞争加速

  • 据国外媒体Xtech Nikkei报道，日本存储芯片巨头铠侠（Kioxia）首席技术官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在东京城市大学的应用物理学会春季会议上宣布，该公司计划到2031年批量生产超过1000层的3D NAND Flash芯片。众所周知，在所有的电子产品中，NAND闪存应用几乎无处不在。而随着云计算、大数据以及AI人工智能的发展，以SSD为代表的大容量存储产品需求高涨，堆叠式闪存因此而受到市场的青睐。自三星2013年设计出垂直堆叠单元技术后，NAND厂商之间的竞争便主要集中在芯
  • 关键字： NAND Flash  存储芯片  铠侠  

3D NAND，1000层竞争加速！

  • 据国外媒体Xtech Nikkei报道，日本存储芯片巨头铠侠（Kioxia）首席技术官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在东京城市大学的应用物理学会春季会议上宣布，该公司计划到2031年批量生产超过1000层的3D NAND Flash芯片。众所周知，在所有的电子产品中，NAND闪存应用几乎无处不在。而随着云计算、大数据以及AI人工智能的发展，以SSD为代表的大容量存储产品需求高涨，堆叠式闪存因此而受到市场的青睐。自三星2013年设计出垂直堆叠单元技术后，NAND厂商之间的竞争便主要集中在芯
  • 关键字： 3D NAND  集邦咨询  

第二季NAND Flash合约价季涨13~18%，Enterprise SSD涨幅最高

  • TrendForce集邦咨询表示，除了铠侠（Kioxia）和西部数据（WDC）自今年第一季起提升产能利用率外，其它供应商大致维持低投产策略。尽管第二季NAND Flash采购量较第一季小幅下滑，但整体市场氛围持续受供应商库存降低，以及减产效应影响，预估第二季NAND Flash合约价将强势上涨约13~18%。eMMC方面，中国智能手机品牌为此波eMMC最大需求来源，由于部分供应商已降低供应此类别产品，中国模组厂出货大幅提升。买方为了满足生产需求开始扩大采用模组厂方案，助益中国模组厂技术进一步升级及
  • 关键字： TrendForce  NAND Flash  Enterprise SSD  

存储大厂现场展示HBM3E产品

  • 近日，存储大厂美光科技在GTC 2024活动，展示一系列存储解决方案。该公司此前刚宣布8层堆叠HBM3E已量产，并预计2024年第二季搭配NVIDIA H200 GPU出货。美光展示的解决方案，分别包括8层堆叠24GB HBM3E解决方案与后续12层36GB HBM3E解决方案；使用单片晶粒具低延迟与低功耗优势的DDR5 RDIMM；支持NVIDIA Grace CPU的LPDDR5X存储解决方案与LPCAMM2模组；可提供AI与存储器工作负载所需的容量、频宽、弹性的CXL存储器模组，并携手MemVerg
  • 关键字： DDR  美光科技  HBM  

集邦咨询：存储新技术DDR、HBM等大放异彩

  • 迈过2023年的经济逆风行业下行周期，2024年存储市场起势，存储芯片价格上涨。为了适配近两年人工智能热浪需求，存储新技术革新步伐加速，DDR、LPDDR、GDDR新技术在2024年迎来放量周期；HBM加速迈进，HBM3/HBM3e持续突破，有望带动存储市场迸发新的活力。一2024是DRAM技术迸发活力的一年从1998年三星生产出最早的商用DDR SDRAM芯片，到DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的延续，再到今年跃升主流的DDR5，和即将到来的DDR6、DDR7，DRAM技术还在持续突破。按照不
  • 关键字： 存储  DDR  HBM  

2024年，存储新技术DDR、HBM等大放异彩！

  • 迈过2023年的经济逆风行业下行周期，2024年存储市场起势，存储芯片价格上涨。为了适配近两年人工智能热浪需求，存储新技术革新步伐加速，DDR、LPDDR、GDDR新技术在2024年迎来放量周期；HBM加速迈进，HBM3/HBM3e持续突破，有望带动存储市场迸发新的活力。一2024是DRAM技术迸发活力的一年从1998年三星生产出最早的商用DDR SDRAM芯片，到DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的延续，再到今年跃升主流的DDR5，和即将到来的DDR6、DDR7，DRAM技术还在持续突破。按照不同的
  • 关键字： DDR  GDDR6  HBM  

西部数据NAND Flash业务拆分最新进展，新任CEO揭晓

  • 月5日，西部数据宣布，在NAND Flash业务拆分后，将保留原名，专注经营核心HDD业务，并表示这一分拆过程有望在2024年下半年完成。与此同时，将为即将分拆的闪存和传统硬盘业务任命CEO。西部数据称，现任西部数据全球运营执行副总裁 Irving Tan 将出任剩下的独立 HDD公司的CEO，继续以西部数据的身份运营。现任CEO David Goeckeler则受命转往NAND Flash部门成立的新公司，出任新公司执行长。图片来源：西部数据西部数据与铠侠合并进展如何？据悉，自2021年以来，西部数据及
  • 关键字： 闪存芯片  NAND Flash  西部数据  

2023Q4 NAND 闪存行业产值环比增长 24.5%：三星增长 44.8% 居首位

  • IT之家 3 月 6 日消息，集邦咨询近日发布市场研究报告，表示 2023 年第 4 季度 NAND 闪存产值 114.9 亿美元，环比增长 24.5%，2024 年第 1 季度 NAND 产值将继续保持上涨，预估环比会继续增长两成。三星第四季营收以三星（Samsung）增长幅度最高，主要是服务器、笔记本电脑与智能手机需求均大幅增长。三星该季度出货量环比增加 35%，平均销售价格环比增加 12%，带动营收上升至 42 亿美元，环比增加 44.8%。SK 集团SK 集团（SK Group）受惠于价
  • 关键字： NAND 闪存  存储  市场分析  

1年利润暴跌84.9%！三星乐观 今年业绩回暖：存储涨价是开始

  • 2月1日消息，存储一哥三星2023年的日子不太好过，全年利润暴跌84.9%，确实没办法，不过他们保持乐观态度。2023年IT市场整体低迷，尤其是存储芯片价格暴跌的背景下，三星全年营收为258.94万亿韩元，同比减少14.3%；营业利润为6.57万亿韩元，同比下滑84.9%。按照三星的说法，2024年上半年业绩会回暖，其中以存储产品价格回暖最为明显，相关SSD等产品涨价不会停止，只会更猛烈。NAND芯片价格止跌回升后，目前报价仍与三星、铠侠、SK海力士、美光等供应商达到损益两平点有一段差距。国内重量级NAN
  • 关键字： 存储  三星  镁光  海力士  NAND  

一季度 NAND Flash合约价预计上涨15%-20%

  • 供应商为了尽量减少损失，正在推高 NAND Flash 价格。
  • 关键字： NAND Flash  

DDR硬件设计要点

  • 1. 电源 DDR的电源可以分为三类：a主电源VDD和VDDQ，主电源的要求是VDDQ=VDD，VDDQ是给IO buffer供电的电源，VDD是给但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一个电源使用。有的芯片还有VDDL，是给DLL供电的，也和VDD使用同一电源即可。电源设计时，需要考虑电压，电流是否满足要求，电源的上电顺序和电源的上电时间，单调性等。电源电压的要求一般在±5%以内。电流需要根据使用的不同芯片，及芯片个数等进行计算。由于DDR的电流一般都比较大，所以PCB设计时，如果有一个完整的电源平
  • 关键字： DDR  内存  
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