- 应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor)扩充N沟道功率MOSFET器件阵容，新推出带集成肖特基二极管的30 V产品。
NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF在10 V时分别拥有2 毫欧(mΩ)、3 mΩ及5 mΩ的最大导通阻抗(RDS(on))值，针对降压转换器应用中的同步端而优化，达致更高电源能效。典型门电荷(在4.5 V门极-源极电压(Vgs)时)规格分别为39.6纳库仑(nC)、25.6 nC及1
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安森美 MOSFET 肖特基二极管
- 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出首款汽车专用 MOSFET 系列，适用于需要低导通电阻的各种应用，包括电动助力转向系统 (EPS) 、集成式起动发电机 (ISA) 泵和电机控制、DC-DC 转换、电池开关，以及内燃机 (ICE) 和混合动力汽车平台的其它重载应用。
新器件采用了 IR 经过验证的 Gen 10.2 技术，可提供低至 1.0 mΩ 的导通电阻 (最大) ，在各种表面贴装器件 (SMD) 和通孔封装上均可承受 24V 至
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IR MOSFET
- 下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非所有原创。包含 MOS管的推选 ，特征，驱动以及运用 电路。
在运用 MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会思虑 M
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MOSFET 利用 原理 电路 驱动
- 日前，Vishay宣布推出新款500V N沟道功率MOSFET --- SiHF8N50L-E3。与前一代器件相比，该器件的开关速度和损耗均得到了改善。SiHF8N50L-E3适用于ZVS拓扑，具有低至63ns的trr和114nC的Qrr，栅极电荷为34nC。
SiHF8N50L-E3改善了反向恢复特性，从而能够更好地抵御EMI，实现更高的效率，同时避免出现导致MOSFET烧毁的内部体二极管恢复故障。
Vishay今天推出的新MOSFET具有500V电压等级，在10V栅极驱动下的最大导通电
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Vishay MOSFET
- 美国iSuppli公布了关于GaN(氮化镓)功率半导体市场将迅速增长的调查报告)。报告显示，2010年的市场规模近乎为零，但3年后到2013年将猛增至1.836亿美元。各厂商将以替代现有功率MOSFET的方式，不断扩大市场规模。iSuppli预测，该产品在高性能服务器、笔记本电脑、手机及有线通信设备等方面的应用将取得进展。
目前，GaN功率半导体正处于在研究室评测阶段，或者刚开始商用化的阶段。不过，GaN功率半导体与采用Si(硅)的功率MOSFET相比，具有导通电阻较低等优点，可提高电源电路的转
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GaN MOSFET
- 在功率MOSFET的数据表中，通常包括单脉冲雪崩能量EAS，雪崩电流IAR，重复脉冲雪崩能量EAR等参数，而许多电子工程师在设计电源系统的过程中，很少考虑到这些参数与电源系统的应用有什么样的联系，如何在实际的应用中评定这些参数对其的影响，以及在哪些应用条件下需要考虑这些参数。本文将论述这些问题，同时探讨功率MOSFET在非钳位感性开关条件下的工作状态。
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雪崩 能量 UIS MOSFET 功率 理解
- 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)的液晶电视功率解决方案相比现今使用的传统解决方案，可为设计人员提供显著优势，最近的创新技术能够减少元件数目，简化设计，并进一步提高可靠性——所有这些可以大幅降低成本。
通过技术进步，飞兆半导体的半桥解决方案Ultra FRFET系列进一步优化设计，具有35ns~65ns的同类最佳反向恢复时间(trr)和业界最小的反向恢复电流(1.8A ~ 3.1A)。目前的液晶电视设计使用MOSFET和半桥电路中的两个快速恢
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Fairchild 液晶电视 MOSFET
- 据iSuppli公司，由于高端服务器、笔记本电脑、手机和有线通讯领域的快速增长，氮化鎵(GaN)电源管理半导体市场到2013年预计将达到1.836亿美元，而2010年实际上还几乎一片空白。
GaN是面向电源管理芯片的一种新兴工艺技术，最近已从大学实验阶段进入商业化阶段。该技术对于供应商来说是一个有吸引力的市场机会，它可以向它们的客户提供目前半导体工艺材料可能无法企及的性能。
iSuppli公司认为，在过去两年里，有几件事情使得GaN成为电源管理半导体领域中大有前途的新星。
首先，硅在
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iSuppli MOSFET 电源管理芯片
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出2010年的“Super 12”高性能产品。这些系列器件具有业内领先的标准，如容值电压、电流等级和导通电阻。这些创新产品在http://www.vishay.com/landingpage/super12/2010/进行展示，是很多关键应用的理想选择，也是Vishay广泛的产品线组合的典型代表产品。
2010年将要发布的Super 12产品是：
597D和T97多模钽电容：对于+28V应
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Vishay 电容 导通电阻 MOSFET
- 全球高性能模拟半导体设计和制造领导厂商Intersil公司今天宣布，推出最新的双通道同步降压稳压器 --- ISL8088。该器件采用超小封装，具有非常高的功率转换效率和低静态电流。
ISL8088是每通道800mA的双通道降压稳压器，内部集成了功率MOSFET。2.7V～5.5V的输入电压和35mA的静态电流，使ISL8088成为电池供电和其他“绿色电源”应用的理想之选。ISL8088可以选择工作在强制的PWM模式和自动的PWM/PFM模式，以延长电池寿命。
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Intersil 稳压器 ISL8088 MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出旗下microBUCK系列集成同步降压稳压器中的新器件 --- SiC414。6A SiC414是DC-DC转换器解决方案，具有先进的控制器IC和栅极驱动器、两个针对PWM控制优化的N沟道MOSFET(高边和低边)、在独立降压稳压器配置中的自启动开关，采用节省空间的MLPQ 4mm x 4mm的28引脚封装。
microBUCK系列的产品综合了Vishay独特的分立MOSFET设计、IC专长和封装工艺，为客户提供了具有成本效
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Vishay microBUCK MOSFET 封装
- 在节能环保意识的鞭策及世界各地最新能效规范的推动下，提高能效已经成为业界共识。与反激、正激、双开关反激、双开关正激和全桥等硬开关技术相比，双电感加单电容(LLC)、有源钳位反激、有源钳位正激、非对称半桥(AHB)及移相全桥等软开关技术能提供更高的能效。因此，在注重高能效的应用中，软开关技术越来越受设计人员青睐。
另一方面，半桥配置最适合提供高能效/高功率密度的中低功率应用。半桥配置涉及两种基本类型的MOSFET驱动器，即高端(High-Side)驱动器和低端(Low-Side)驱动器。高端表示M
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安森美 MOSFET 变压器 硅芯片
- 国际著名电子、电机和工业产品分销商RS Components于今日宣布，通过其在线目录RS Online(RS在线：http://www.rs-components.com)渠道推出三洋(SANYO)半导体公司的1200类半导体产品。
此次推出的产品中，除了有采用三洋半导体独自技术达成的用于电源电池管理的MOSFET系列(具有业界最高水准的低导通电阻特性, 并实现了小型薄型大功率), 低压驱动闪光用IGBT产品以外，还包括低饱和电压,射频用各种双极晶体管产品。 通过驱使独自的核心技术, 三洋在多
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RS MOSFET IGBT
- 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列新型HEXFET® 功率MOSFET，其中包括能够提供业界最低导通电阻 (RDS(on)) 的IRFH6200TRPbF。
这些新的功率MOSFET采用IR最先进的硅技术，是该公司首批采用5x6mm PQFN封装、优化铜片和焊接片芯的器件。IRFH6200TRPbF 20V器件可实现业界领先的RDS(on)，在4.5V Vgs下，最高仅为1.2mΩ，显著降低了手工工具等直流电机驱动应用的传导损耗。
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IR MOSFET HEXFET
- PI公司今日宣布推出TOPSwitch-JX系列器件，新产品系列共由16款高度集成的功率转换IC组成，其内部均集成有一个725 V功率MOSFET，适用于设计反激式电源。新型TOPSwitch-JX器件采用多模式控制算法，可提高整个负载范围内的功率效率。由于在满功率下工作效率较高，因此可减少正常工作期间的功率消耗量，同时降低系统散热管理的复杂性及费用支出。在低输入功率水平下，高效率还可使适配器的空载功耗降至最低，增大待机模式下对系统的供电量，这一点特别适用于受到能效标准和规范约束的产品应用。
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PI 功率转换IC TOPSwitch-JX MOSFET
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