- 美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2024年2月20日 — 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出多功能新型30V n沟道TrenchFET® 第五代功率MOSFET---SiSD5300DN,进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度,增强热性能。Vishay Siliconix SiSD5300DN采用源极倒装技术3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-F封装,10V栅极电压条件下导
- 关键字:
Vishay 源极倒装技术 PowerPAK 功率MOSFET
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出首款采用PowerPAK® 1212-8封装的30V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si7625DN。在这种电压等级和3.3mmx3.3mm占位面积的P沟道MOSFET中,该器件的导通电阻是最低的。
新款Si7625DN可用于笔记本电脑、上网本和工业/通用系统中的适配器、负载和电池开关。适配器开关(在适配器、墙上电源和电池电源之间切换)通常是开启并且吸收电流。Si7625DN更低的
- 关键字:
Vishay MOSFET PowerPAK TrenchFET
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出集成的DrMOS解决方案 --- SiC762CD。在紧凑的PowerPAK® MLP 6x6的40脚封装内,该器件集成了对PWM信号优化的高边和低边N沟道MOSFET、完整功能的MOSFET驱动IC,以及阴极输出二极管。新的SiC762CD完全符合DrMOS®规定的服务器、PC、图形卡、工作站、游戏机和其他高功率CPU系统中电压调节器(VR)标准。该器件的工作频率超过1MHz,效率高达92%。
SiC7
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Vishay 驱动IC PowerPAK SiC762CD
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