本文先介绍了基于功率MOSFET的栅极电荷特性的开关过程;然后介绍了一种更直观明析的理解功率MOSFET开关过程的方法:基于功率MOSFET的导通区特性的开关过程,并详细阐述了其开关过程。
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MOSFET 漏极 导通 开关过程
功率MOSFET不仅是一种普遍使用的电子元件,而且也代表着一个众所周知的事实――硅技术的创新已经与满足市场需求的表面贴装封装的创新形影不离。
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MOSFET 表面贴装 封装
有些设计者为了追求较高的转换效率, 选择了升压方式,产生一组高于输入的稳定输出, 如图三的升压架构。由于功率开关MOSFET是外置的, 可提供较大的输出功率。在输出功率许可的条件下,也可以选择内置MOSFET功率开关的升压转换器,如MAX1722, 可有效节省空间、降低成本。
手机Vdd解决方案
对于手机Vdd,可以选择Buck电路提供所需要的电压。图四便是一个内置MOSFET功率开关的同步降压结构,可提供400mA的输出电流。工作频率高达1.2MHz, 允许设计者选用小尺寸的电感和输出电容,
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MOSFET 电源 OLED
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近几年,随着电子消费产品需求的日益增长,功率MOSFET的需求也越来越大。其中,TMOS由于沟道是垂直方向,在相同面积下,单位元胞的集成度较高,因此导通电阻较低,同时又具有较低的栅-漏电荷密度、较大的电流容量,从而具备了较低的开关损耗及较快的开关速度,被广泛地应用在低压功率领域。
低压TMOS的导通电阻主要是由沟道电阻和外延层电阻所组成,为了降低导通电阻,同时不降低器件其他性能,如漏源击穿电压,最直接的办法是减少相邻元胞的间距,在相同的面积下,增加元胞的集成度。基于此,本文借助了沟槽
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MOSFET
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新超薄的高效率MicroFET产品FDMA1027,满足现今便携应用的尺寸和功率要求。FDMA1027是20V P沟道PowerTrench® MOSFET,FDFMA2P853则是20V P沟道PowerTrench® MOSFET,带有肖特基二极管,并采用2mm x 2mm x 0.55mm MLP封装。相比低电压设计中常用的3mm x 3mm x 1.1mm MOSFET,新产品的体积减小55%、高度降低5
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飞兆半导 FDMA1027 MOSFET
2008年11月13日 – 全球领先的高性能、高能效硅解决方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)推出8款新的MOSFET器件,专门为中等电压开关应用而设计。这些MOSFET非常适用于直流马达驱动、LED驱动器、电源、转换器、脉宽调制(PWM)控制和桥电路中,这些应用讲究二极管速度和换向安全工作区域(SOA),安森美半导体的新MOSFET器件提供额外的安全裕量,免应用受未预料的电压瞬态影响。
这些新的60伏(V)器件均是单N沟道MOS
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安森美半导体 MOSFET
Diodes Incorporated全面扩展旗下的功率MOSFET产品系列,加入能够在各种消费、通信、计算及工业应用中发挥负载和切换功能的新型器件。新器件涵盖Diodes和Zetex产品系列,包括27款30V逻辑电平、9款20V低阈值的N、P和采用不同工业标准封装的互补MOSFET。
这些新型功率MOSFET采用SOT323、SOT23、SOT26和SO8形式封装,引脚和占位面积与现有器件兼容,性价比具有竞争优势,不仅能减少物料清单,还能在无需额外成本的情况下提升性能。新器件可用于DC/DC转
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Diodes MOSFET
二零零八年十月二十一日--中国讯 -- 美国国家半导体公司 (National Semiconductor Corporation)(美国纽约证券交易所上市代号:NSM)宣布推出一系列全新的 SIMPLE SWITCHER® 同步降压控制器。与此同时,该公司还推出了业界首套端到端MOSFET的筛选工具,可有效的协助工程师精简开关控制器的设计。
该系列全新的 PowerWise® SIMPLE SWITCHER 同步降压控制器共有 4 个不同型号,全部都
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半导体 控制器 MOSFET
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很...
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MOSFET 结构 开关 驱动电路
功率MOSFET具有开关速度快,导通电阻小等优点,因此在开关电源,马达控制等电子系统中的应用越来越广。通常在实际...
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MOSFET 结构 开关 马达 驱动电路
国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出针对每通道25W以上D类音频放大器的IRAUDAMP7参考设计,适用于包括家庭影院设备、乐器和汽车娱乐系统等应用。IRAUDAMP7的功率范围为25W至500W,为单层PCB提供了高度的扩展性。
IRAUDAMP7S 120W双通道、半桥式设计可以实现120W 8欧姆D类音频放大器91%的效率,在频率1 kHz的60W 8欧姆时的THD+N为0.005% (均为典型) .IRAUDAMP7D采用了IR的DIP16封
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IR D类音频放大器 参考设计 MOSFET
在中国中,电源|稳压器管理IC仍旧占据市场首要位置,(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)位于第二位,大功率晶体管位于第三位,此三大产品销售额占整体市场的80%以上。IGBT(绝缘栅双极晶体管)销售额虽然不大,但随着其在工业控制、消费电子领域中应用的不断增多,其市场销售额保持着较快的增长,是中国功率器件市场中的新兴产品。
从应用领域上看,消费电子领域销售额位列第一位,工业控制居于第二,计算机领域销售额位于第三位。这三大领域销售额占整体市场的68.9%,是功率器件的重要应用市场。同时,凭借笔记本电脑
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MOSFET 功率晶体管 消费电子 IC LDO 液晶电视
麦克雷尔公司 (Micrel Inc.)推出 MIC23030 和 MIC23031,为其 HyperLight Load(TM) 同步降压调节器家族增添了两名新成员。这项在 MIC23030/1 中实施的专利架构能为便携式产品提供一流的瞬态性能和刚好3毫伏的输出电压纹波。该调节器内置 MOSFET,可在一个1.6mm x 1.6mm 的小型 Thin MLF(R) 封装中提供高达4亿安的输出电流,而损耗量仅为21微安的静态电流。这些 HyperLight Load(TM) 降压调节器能够实现高达93
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麦克雷尔 Micrel 降压调节器 MOSFET
高能效电源解决方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor)日前宣布,佛山市中格威电子有限公司(广东志高集团)选用其NCP1027为广东志高空调有限公司节能空调新产品电控系统供电,实现更高的工作效率和更低的待机能耗。
安森美半导体的NCP1027为志高空调在10瓦(W)输出功率电平提供新的解决方案。安森美半导体专有的跳周期工作技术使空调在低峰值电流下工作;公司的高压技术体现在带有启动电流源的内置700 V MOSFET,而这MOSFET和启动电流源都直接连接至大电容。为了防止低输出电
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安森美 电源 能耗 MOSFET
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