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mosfet-driver 文章 进入mosfet-driver技术社区

IR推出具有高封装电流额定值的全新沟道型HEXFET功率MOSFET系列

  • 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
  • 关键字: InternationalRectifier  HEXFET  MOSFET  

基于漏极导通区特性理解MOSFET开关过程

  • 本文先介绍了基于功率MOSFET的栅极电荷特性的开关过程;然后介绍了一种更直观明析的理解功率MOSFET开关过程的方法:基于功率MOSFET的导通区特性的开关过程,并详细阐述了其开关过程。
  • 关键字: MOSFET  漏极  导通  开关过程    

表面贴装功率MOSFET封装的演进

  • 功率MOSFET不仅是一种普遍使用的电子元件,而且也代表着一个众所周知的事实――硅技术的创新已经与满足市场需求的表面贴装封装的创新形影不离。

  • 关键字: MOSFET  表面贴装  封装    

如何进行OLED电源设计

  •   有些设计者为了追求较高的转换效率, 选择了升压方式,产生一组高于输入的稳定输出, 如图三的升压架构。由于功率开关MOSFET是外置的, 可提供较大的输出功率。在输出功率许可的条件下,也可以选择内置MOSFET功率开关的升压转换器,如MAX1722, 可有效节省空间、降低成本。 手机Vdd解决方案   对于手机Vdd,可以选择Buck电路提供所需要的电压。图四便是一个内置MOSFET功率开关的同步降压结构,可提供400mA的输出电流。工作频率高达1.2MHz, 允许设计者选用小尺寸的电感和输出电容,
  • 关键字: MOSFET  电源  OLED  

尺寸缩小对沟槽MOSFET性能的影响

  • 0 引言   近几年,随着电子消费产品需求的日益增长,功率MOSFET的需求也越来越大。其中,TMOS由于沟道是垂直方向,在相同面积下,单位元胞的集成度较高,因此导通电阻较低,同时又具有较低的栅-漏电荷密度、较大的电流容量,从而具备了较低的开关损耗及较快的开关速度,被广泛地应用在低压功率领域。   低压TMOS的导通电阻主要是由沟道电阻和外延层电阻所组成,为了降低导通电阻,同时不降低器件其他性能,如漏源击穿电压,最直接的办法是减少相邻元胞的间距,在相同的面积下,增加元胞的集成度。基于此,本文借助了沟槽
  • 关键字: MOSFET  

飞兆半导体推出业界最薄的MicroFET™ (0.55mm) MOSFET

  •   飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新超薄的高效率MicroFET产品FDMA1027,满足现今便携应用的尺寸和功率要求。FDMA1027是20V P沟道PowerTrench® MOSFET,FDFMA2P853则是20V P沟道PowerTrench® MOSFET,带有肖特基二极管,并采用2mm x 2mm x 0.55mm MLP封装。相比低电压设计中常用的3mm x 3mm x 1.1mm MOSFET,新产品的体积减小55%、高度降低5
  • 关键字: 飞兆半导  FDMA1027  MOSFET  

安森美半导体推出8款新器件用于消费和工业应用

  •   2008年11月13日 – 全球领先的高性能、高能效硅解决方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)推出8款新的MOSFET器件,专门为中等电压开关应用而设计。这些MOSFET非常适用于直流马达驱动、LED驱动器、电源、转换器、脉宽调制(PWM)控制和桥电路中,这些应用讲究二极管速度和换向安全工作区域(SOA),安森美半导体的新MOSFET器件提供额外的安全裕量,免应用受未预料的电压瞬态影响。   这些新的60伏(V)器件均是单N沟道MOS
  • 关键字: 安森美半导体  MOSFET  

Diodes推出新型功率MOSFET优化低压操作

  •   Diodes Incorporated全面扩展旗下的功率MOSFET产品系列,加入能够在各种消费、通信、计算及工业应用中发挥负载和切换功能的新型器件。新器件涵盖Diodes和Zetex产品系列,包括27款30V逻辑电平、9款20V低阈值的N、P和采用不同工业标准封装的互补MOSFET。   这些新型功率MOSFET采用SOT323、SOT23、SOT26和SO8形式封装,引脚和占位面积与现有器件兼容,性价比具有竞争优势,不仅能减少物料清单,还能在无需额外成本的情况下提升性能。新器件可用于DC/DC转
  • 关键字: Diodes  MOSFET  

美国国家半导体推出多款全新的SIMPLE SWITCHER 控制器及业界首套MOSFET 筛选工具

  •   二零零八年十月二十一日--中国讯 -- 美国国家半导体公司 (National Semiconductor Corporation)(美国纽约证券交易所上市代号:NSM)宣布推出一系列全新的 SIMPLE SWITCHER® 同步降压控制器。与此同时,该公司还推出了业界首套端到端MOSFET的筛选工具,可有效的协助工程师精简开关控制器的设计。      该系列全新的 PowerWise® SIMPLE SWITCHER 同步降压控制器共有 4 个不同型号,全部都
  • 关键字: 半导体  控制器  MOSFET  

详细讲解MOSFET管驱动电路

  • 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很...
  • 关键字: MOSFET  结构  开关  驱动电路  

基于MOSFET内部结构设计优化驱动电路

  • 功率MOSFET具有开关速度快,导通电阻小等优点,因此在开关电源,马达控制等电子系统中的应用越来越广。通常在实际...
  • 关键字: MOSFET  结构  开关  马达  驱动电路  

IR推出25W至500W可扩展输出功率D类音频功率放大器参考设计

  •   国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出针对每通道25W以上D类音频放大器的IRAUDAMP7参考设计,适用于包括家庭影院设备、乐器和汽车娱乐系统等应用。IRAUDAMP7的功率范围为25W至500W,为单层PCB提供了高度的扩展性。   IRAUDAMP7S 120W双通道、半桥式设计可以实现120W 8欧姆D类音频放大器91%的效率,在频率1 kHz的60W 8欧姆时的THD+N为0.005% (均为典型) .IRAUDAMP7D采用了IR的DIP16封
  • 关键字: IR  D类音频放大器  参考设计  MOSFET  

中国功率器件市场增速放缓MOSFET是亮点

  •   在中国中,电源|稳压器管理IC仍旧占据市场首要位置,(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)位于第二位,大功率晶体管位于第三位,此三大产品销售额占整体市场的80%以上。IGBT(绝缘栅双极晶体管)销售额虽然不大,但随着其在工业控制、消费电子领域中应用的不断增多,其市场销售额保持着较快的增长,是中国功率器件市场中的新兴产品。   从应用领域上看,消费电子领域销售额位列第一位,工业控制居于第二,计算机领域销售额位于第三位。这三大领域销售额占整体市场的68.9%,是功率器件的重要应用市场。同时,凭借笔记本电脑
  • 关键字: MOSFET  功率晶体管  消费电子  IC  LDO  液晶电视  

Micrel推出两款新型同步降压调节器

  •   麦克雷尔公司 (Micrel Inc.)推出 MIC23030 和 MIC23031,为其 HyperLight Load(TM) 同步降压调节器家族增添了两名新成员。这项在 MIC23030/1 中实施的专利架构能为便携式产品提供一流的瞬态性能和刚好3毫伏的输出电压纹波。该调节器内置 MOSFET,可在一个1.6mm x 1.6mm 的小型 Thin MLF(R) 封装中提供高达4亿安的输出电流,而损耗量仅为21微安的静态电流。这些 HyperLight Load(TM) 降压调节器能够实现高达93
  • 关键字: 麦克雷尔  Micrel  降压调节器  MOSFET  

安森美半导体与中国领先空调制造商达成设计协作

  •   高能效电源解决方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor)日前宣布,佛山市中格威电子有限公司(广东志高集团)选用其NCP1027为广东志高空调有限公司节能空调新产品电控系统供电,实现更高的工作效率和更低的待机能耗。   安森美半导体的NCP1027为志高空调在10瓦(W)输出功率电平提供新的解决方案。安森美半导体专有的跳周期工作技术使空调在低峰值电流下工作;公司的高压技术体现在带有启动电流源的内置700 V MOSFET,而这MOSFET和启动电流源都直接连接至大电容。为了防止低输出电
  • 关键字: 安森美  电源  能耗  MOSFET  
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