MagnaChip 推出用于液晶 (LCD) 电视和液晶显示器背照灯元件的新型节能 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）系列。
这款 N-P 多芯片 MOSFET 系列拥有专为液晶电视和液晶显示器逆变器设计的 N 通道功率和 P 通道功率互补 MOSFET 系列。该系列产品为半桥或全桥逆变器设计提供了一个最优化的解决方案，有 DPAK（分立元件封装）和 SOIC-8（小型集成电路封装），在单一设备中综合了 N 通道和 P 通道，从而节省了电路板空间和成本。此外，该 N-P 多芯片 MOS
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液晶 MagnaChip MOSFET 显示器
1 引言
长期以来，直流电机以其良好的线性特性、优异的控制性能等特点成为大多数变速运动控制和闭环位置伺服控制系统的最佳选择。特别随着计算机在控制领域，高开关频率、全控型第二代电力半导体器件(GTR、GTO、MOSFET、IGBT等)的发展，以及脉宽调制(PWM)直流调速技术的应用，直流电机得到广泛应用。为适应小型直流电机的使用需求，各半导体厂商推出了直流电机控制专用集成电路，构成基于微处理器控制的直流电机伺服系统。但是，专用集成电路构成的直流电机驱动器的输出功率有限，不适合大功率直流电机驱动需求
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直流电机 驱动 PWM MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出采用 PowerPAK SC-75 封装的 p 通道功率 MOSFET 系列，该系列包括额定电压介于 8V～30V 的多个器件，这些是采用此封装类型的业界首批具有上述额定电压的器件。
日前推出的这些器件包括业界首款采用 PowerPAK SC-75 封装的 -12V (SiB419DK) 及 -30V (SiB415DK) 单 p 通道功率 MOSFET。先前宣布推出的 SiB417DK 为首款 -8V 的此类器件，目前此类器件又
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Vishay MOSFET p 通道 功率
PAM(Power Analog Microelectronics)推出内置MOSFET高压30瓦的LED驱动器,采用台积电的双极型CMOS-DMOS(BCD)工艺制成。具有从5.5V 到40V很宽的输入电压范围，它是一个非常灵活的LED驱动器,可以工作于升压、降压、升降压（SEPIC）三种工作方式。它可以利用内置的MOSFET来驱动10个3瓦的LED，或者30个1瓦的LED。由于它在很宽的电压范围内的恒流特性和95%以上的效率，使它不论是在输入电压跌落或很高的环境温度时，都能正常工作。因为利用了台积
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驱动器 PAM MOSFET LED 台积电
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出宽输入范围同步降压型开关稳压器控制器 LTC3851，该器件驱动所有 N 沟道功率 MOSFET 级并具有一致或比例跟踪功能。4V 至 38V 的输入范围促成种类繁多的应用，包括大多数中间总线电压和电池化学组成。强大的片上 MOSFET 栅极驱动器允许使用大功率外部 MOSFET，以在 0.8V 至 5.5V 的输出电压范围内产生高达 20A 的输出电流，从而使 LTC3851 非常适合于负载点需求。应用包括汽车、工业、
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凌力尔特 稳压器 控制器 MOSFET
Maxim Integrated Products推出能够提供2A和1A输出电流的双路输出、高开关频率DC-DC转换器MAX5098A/MAX5099.转换器直接采用汽车电池供电，集成了能承受高达80V瞬态电压的抛负载保护电路，器件的工作电压可低至4.5V，以适应冷启动情况。另外，器件具有可编程的200kHz至2.2MHz宽开关频率范围，从而可以工作于AM频段以外的频率。可靠的保护特性和较宽开关频率范围使MAX5098A/MAX5099成为高端设备、仪表盘显示器和汽车广播等汽车应用的理想选择。
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Maxim DC-DC 转换器 MOSFET
据iSuppli公司，预计2008年中国市场电动自行车出货量将低于2007年，与2005年大增80%以及过去10年94%的复合年增长率形成鲜明对比。2008年中国电动自行车产量将达到2110万辆，营业收入为29亿美元。比2007年2130万的出货量下降不到1%。这意味着今年中国的多数电动自行车厂商可能遭遇亏损。
图 2004-2012年中国电动自行车产量与预测
来源：iSuppli，2008年6月
中国电动自行车厂商目前面临更加不确定的消费者以及更加严格的政府法规。经过10年
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半导体 电动自行车 MOSFET 电池 200808
MOSFET 理想二极管控制器在低压应用中，为坚固的电源“或”提供快速接通和关断
凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)日前推出 0V 至 18V 理想二极管控制器 LTC4352，该器件使多个电源能够进行低损耗“或”连接而对电源电压有最小干扰。LTC4352 调节外部 N 沟道 MOSFET 上的正向压降，以确保在二极管“或”应用中电源之间平滑传送电流。在低压系统中，控制器之间的慢切换导
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凌力尔特 MOSFET 理想二极管 控制器
受到市场需求减缓以及库存调整等问题的影响，2007年，中国功率器件市场增长率较2006年出现较大幅度的下降，市场销售额为762.3亿元，比2006年增长了13.3%。
在中国功率器件市场中，电源|稳压器管理IC仍旧占据市场首要位置，MOSFET位于第二位，大功率晶体管位于第三位，此三大产品销售额占到整体市场的80%
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功率器件 消费电子 电源管理IC MOSFET
卓芯微电子(Innova-Semi)推出P型MOSFET集成肖特基产品RCRH010FA 和RCRH003FB。P沟道增强型场效应管采用高密度DMOS生产工艺，具有极低的导通电阻，并且在低至1.8V的栅极电压下仍可正常开启。配合使用的肖特基芯片采用Low VF工艺，同时具有极佳的反向漏电特性。
该两款产品主要应用在充电电路，DC/DC 转换器和LED控制电路。整个器件在正向导通时具有很低的正向压降，不仅满足使用USB接口进行充电的要求，同时具有极低的功率耗散，提升整个系统的能效。
这两款产
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MOSFET 卓芯微电子 充电电路 电源管理
过去15到20年间，汽车用功率MOSFET已从最初的技术话题发展到蓬勃的商业领域。选用功率MOSFET是因为其能够耐受...
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MOSFET 汽车电子系统 系统功率
Maxim推出高压、高速MOSFET驱动器MAX15018/MAX15019，用于驱动高边和低边n沟道MOSFET。器件具有高端(HS)引脚，允许高达125V的输入电压，该指标优于竞争产品的105V电压。MAX15018/MAX15019与工业标准的HIP2100IB和HIP2101IB引脚兼容，理想用于必须承受100V或更高瞬态电压的电信电源产品中，保证足够的安全裕量。
MAX15018/MAX15019提供3A源出/吸入峰值电流，传输延迟仅为35ns (典型值)，驱动器之间能够保证2ns (
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Maxim MOSFET 驱动器 TTL
意法半导体日前推出一款250A表面贴装的功率MOSFET晶体管，新产品拥有市场上最低的导通电阻，可以把功率转换损耗降至最低，并提高系统性能。
新产品STV250N55F3是市场上首款整合ST PowerSO-10™ 封装和引线带楔焊键合技术的功率MOSFET，无裸晶片封装的电阻率极低。新产品采用ST的高密度STripFET III™ 制程，典型导通电阻仅为1.5毫欧。STripFET III更多优点包括：开关损耗低，抗雪崩性能强。除提高散热效率外，九线源极连接配置还有助于
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MOSFET ST 意法半导体 晶体管
不同应用对功率半导体器件提出了新的需求，包括低功耗、高可靠性、高速度、小尺寸等，这些新的需求又对功率半导体器件的生产工艺提出了种种新的挑战。
天津中环半导体股份有限公司技术部部长饶祖刚表示，性能不同的功率半导体器件满足了差异化应用的需求，而这些不同功率半导体器件对制造工艺提出了多重挑战。
功率器件要满足差异化应用需求
功率半导体器件工作在大功率条件下，除了要具备低功耗的特点外，不同的应用还提出了一些新需求。例如，在电动车、混合动力汽车这样的应用中，功率半导体器件需要
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功率半导体器件 低功耗 MOSFET
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