飞兆半导体公司 (Farichild Semiconductor)为智能电话、手机、上网本、医疗和其它便携式应用的设计人员带来一款单一P沟道MOSFET器件FDZ197PZ，能够实现更高的效率水平和更小的外形尺寸。FDZ197PZ在VGS= 4.5V时提供64mOhm之RDS(ON) 值，较同类解决方案低15%，且占位面积仅为1mm x 1.5 mm，在提高效率之余，同时减少了电路板空间需求。该器件采用WL-CSP封装，比占位面积相似的传统塑料封装MOSFET具有更佳功耗和传导损耗特性。FDZ197P
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Farichild MOSFET FDZ197PZ ESD
意法半导体(纽约证券交易所代码：STM)公布截至2009年6月27日的第二季度及上半年的财务报告。
意法半导体2009年第2季度收入总计19.93亿美元，包含被ST-Ericsson合并的前爱立信移动平台的全部业务，和1800万美元的技术授权费。净收入环比增幅20%，反映了意法半导体所在的所有市场以及全部地区的需求回暖，特别是中国和亚太地区的需求增长强劲。因为商业大环境的原因，在所有市场以及各地区第2季度的净收入低于去年同期水平，但电信市场和亚太地区的表现则例外。
总裁兼首席执行官 Car
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ST MOSFET MEMS GPS 无线宽带
通用测试
电容-电压(C-V)测试广泛用于测量半导体参数，尤其是MOSCAP和MOSFET结构。此外，利用C-V测量还可以对其他类型的半导体器件和工艺进行特征分析，包括双极结型晶体管(BJT)、JFET、III-V族化合物器件、光伏电池、MEMS器件、有机TFT显示器、光电二极管、碳纳米管(CNT)和多种其他半导体器件。
这类测量的基本特征非常适用于各种应用和培训。大学的研究实验室和半导体厂商利用这类测量评测新材料、新工艺、新器件和新电路。C-V测量对于产品和良率增强工程师也是极其重要的，
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吉时利 C-V测试 半导体 MOSFET MOSCAP
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出低静态电流、两相双路输出同步降压型 DC/DC 控制器 LTC3858/-1。该器件在一个输出有效时仅消耗 170uA 电流，而两个输出都有效时消耗 300uA。两个输出都关断时，LTC3858/-1 仅消耗 8uA，非常适用于汽车和笔记本电脑应用。LTC3858/-1 的 4V 至 38V 宽输入电源范围能够针对负载突降和冷车发动情况所常见的汽车宽输入电压瞬变提供保护作用，并涵盖多种电池化学组成。输出电流高达 20A
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Linear MOSFET 控制器
恩智浦半导体(NXP Semiconductors，由飞利浦创立的独立半导体公司)今日宣布推出全球首款N通道、1毫欧以下25V MOSFET产品，型号为PSMN1R2-25YL，它拥有最低的导通电阻RDSon以及一流的FOM 参数。该产品是迄今为止采用Power-SO8封装(无损耗封装：LFPAK)中拥有最低导通电阻RDSon的MOSFET，也是恩智浦现有MOSFET系列的延伸。最新一代MOSFET器件集高性能Power-S08 LFPAK封装与最新Trench 6硅技术于一体，可在各种严苛应用条件下
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NXP MOSFET PSMN1R2-25YL Power-SO8
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 为设计人员带来业界领先的双MOSFET解决方案FDMC8200，可为笔记本电脑、上网本、服务器、电信和其它 DC-DC 设计提供更高的效率和功率密度。该器件在3mm x 3mm MLP模块中集成了经优化的控制 (高侧) 和同步 (低侧) 30V N沟道MOSFET，二者均使用的专用先进高性能PowerTrench® 7 MOSFET技术，提供出色的低RDS(ON)、总体栅极电荷(QG)和米勒电荷 (QGD)，这些性能最大限度地
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Fairchild MOSFET PowerTrench FDMC8200
Diodes公司推出新型ZXMC10A816器件，它采用SO8封装，包含一对互补100V增强式MOSFET，性能可媲美体积更大的独立封装器件。ZXMC10A816适用于H桥电路，应用范围包括直流风扇和逆变器电路、D类放大器输出级以及其他多种48V应用。
Diodes 亚太区技术市场总监梁后权指出：“这个N通道和P通道组合的MOSFET能够代替采用SOT223及DPak (TO252) 封装的同等器件，有助减省电路板空间及元件数目，同时简化栅极驱动电路设计。比方说，SO8充分发挥了
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Diodes MOSFET ZXMC10A816
Diodes 公司推出四款半桥MOSFET 封装，为空间受限的应用减少了元件数量和PCB尺寸，极大地简化了直流风扇和 CCFL 逆变器电路设计。
Diodes 亚太区技术市场总监梁后权指出：“ZXMHC 元件为SO8封装，包含两对互补N型和P型MOSFET，可取代四个分立式SOT23封装的MOSFET或两个SO8 互补MOSFET 封装。对于现有不同类型的电机或其它感性负载驱动装置来说，这意味着可节省至少一半的PCB占板面积，同时大幅降低整体存货成本。”
ZXM
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Diodes MOSFET 半桥器件 ZXMHC SO8
Maxim推出内置升压开关的低电压、降压调节器MAX17083。该器件专为空间紧张的应用而设计，在微小的16mm² TQFN封装中集成了双路n沟道MOSFET功率开关。内部25mΩ、低边功率MOSFET能够提供高达5A的持续负载电流，在保证高效率的同时减少了元件数量。MAX17083无需外部肖特基二极管以及外部升压二极管，进一步节省了空间和成本。这款小型降压调节器理想用于超便携移动PC (UMPC)、上网本、便携式游戏机及其它紧凑的低功耗应用。
MAX17083采用电流模式
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Maxim 降压调节器 MAX17083 MOSFET
今日在深圳举办的中国国际电源展览会上，英飞凌科技宣布推出OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET系列。全新推出的这个产品系列具备业内领先的导通电阻(RDS(on))和品质因素(FOM, Qg * RDS(on))特性，可在任何负载条件下，降低开关模式电源(SMPS)、电机控制和快速开关D类功放等电源产品的功率损耗并改善其整体能效。
OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET系列，是交流/直流开关模式电源(譬如面向全球市场的台式机和计算机服务器装备的电源)的同步整流的
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英飞凌 MOSFET OptiMOS SMPS
本文描述了不对称半桥转换器的基本工作原理，并介绍了一种相比普通分立式MOSFET及PWM控制器解决方案具有显著优势的集成式功率开关。此外还阐释了这种专门为软开关转换器而设计的功率开关如何降低设计总成本和元件数目、减小尺寸和重量，同时提高效率、产能和系统可靠性。
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飞兆 SMPS PWM MOSFET PCB版图设计 200906
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出AUIRS2003S 200V IC，适用于低、中、高压汽车应用，包括汽车预电充开关、步进驱动器和DC-DC转换器。
AUIRS2003S符合AEC-Q100标准，是一款坚固耐用、灵活的高速功率MOSFET驱动器，并备有高、低侧参考输出通道，适用于恶劣的汽车环境及引擎罩下的应用。这款输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，可将驱动器跨导降至最低，而浮动通道可在最高200V的高侧配置中驱动一个 N 沟道功率MOSFET。
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IR MOSFET 驱动器IC
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列新型 25V 及 30V N通道沟道 HEXFET 功率 MOSFET 。它们针对同步降压转换器和电池保护增强了转换性能，适用于消费和网络领域的计算应用。
新 MOSFET 系列采用了 IR 经过验证的硅技术，可提供基准通态电阻 (RDS(on)) ，并且提高了转换性能。新器件的低传导损耗改善了满载效率及热性能，即使在轻负载条件下，低转换损耗也有助于实现高效率
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IR MOSFET 硅技术
Diodes公司应用的高热效率、超小型DFN封装的双器件组合技术,推出便携式充电设备的开关。
Diodes 亚太区技术市场总监梁后权先生指出，DMS2220LFDB和 DMS2120LFWB把一个20V的P沟道增强模式MOSFET与一个配套二极管组合封装，提供2mm x 2mm DFN2020及3mm x 2mm DFN3020两种封装以供选择。DMP2160UFDB则把两个相同的MOSFET组合封装成DFN2020形式。
与传统便携式应用设计中常用的体积较大的3mm x 3mm封装相
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Diodes MOSFET DFN封装
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 为隔离式DC-DC应用设计人员提供一款新型100V MOSFET器件FDMS86101，具有低达50% 的RDS(ON) 和出色的品质因数 (figure of merits, FOM)，有效提高电源设计的效率。FDMS86101是采用5mm x 6mm MLP Power56 封装的100V MOSFET器件，使用了飞兆半导体先进的PowerTrench® 工艺技术，能够最大限度地减小导通阻抗，同时保持优良的开关性能和稳健性
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Fairchild MOSFET
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