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飞兆半导体推出一款单一P沟道MOSFET器件

  •   飞兆半导体公司 (Farichild Semiconductor)为智能电话、手机、上网本、医疗和其它便携式应用的设计人员带来一款单一P沟道MOSFET器件FDZ197PZ,能够实现更高的效率水平和更小的外形尺寸。FDZ197PZ在VGS= 4.5V时提供64mOhm之RDS(ON) 值,较同类解决方案低15%,且占位面积仅为1mm x 1.5 mm,在提高效率之余,同时减少了电路板空间需求。该器件采用WL-CSP封装,比占位面积相似的传统塑料封装MOSFET具有更佳功耗和传导损耗特性。FDZ197P
  • 关键字: Farichild  MOSFET  FDZ197PZ  ESD  
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