市场需求逐步恢复
● 能效需求催生功率器件应用热潮
● 扩内需政策为企业提供增长空间
陈坤和
从2008年底到2009年初，所有电子产品的需求均有减少，功率半导体也不例外。我们认识到，困难时期可能成为重新把公司塑造成一个更精简、更专注、更赢利企业的催化剂。由于各国政府的经济刺激措施纷纷把提升能效列为重点内容，许多企业开始关注功率产品。在中国，由于政府刺激消费电子市场，中国市场需求增长，推动功率管理和其他半导体产品的需求开始复苏。从长期来看，功率半导体将与许多其他领域的半导体产品
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功率器件 MOSFET
现有的MOSFET技术和硅工艺种类繁多，这使得选择合适的MOSFET驱动器成了一个富有挑战性的过程。
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MOSFET 选择正确 驱动器
Diodes公司推出两款N沟道MOSFET，为网络电话 (VoIP) 通信设备的设计人员带来一种更坚固的解决方案，极大地降低了电路的复杂性和成本。
ZXMN15A27K及ZXMN20B28K经过特别设计，能满足各种VoIP应用中基于用户线接口电路(SLIC)DC/DC转换器对变压器中初级开关位置的严格要求。这些应用涵盖宽带语音系统、PBX系统、有线和DSL网关。
两款新器件的击穿电压(BVDSS)分别为150V及200V，能够承受SLIC环境下的高脉冲雪崩能量和通信模式，不需要额外的保护电
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Diodes MOSFET
CMOS器件的等比例缩小发展趋势，导致了栅等效氧化层厚度、栅长度和栅面积都急剧减小。对于常规体MOSFET，当氧化层厚度2 nm时，大量载流子以不同机制通过栅介质形成显著的栅极漏电流。栅极漏电流不仅能产生
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研究 模型 噪声 电流 MOSFET
过去，人们常把集成电路比作电子系统的大脑，而把功率半导体器件比作四肢，因为集成电路的作用是接受和处理信息，而功率器件则根据这些信息指令产生控制功率，去驱动相关电机进行所需的工作。如今，新型功率半导体器件如MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)、IGBT(绝缘栅双极型晶体管)及功率集成电路应用逐渐普及，其为信息系统提供电源的功能也越来越引人注目。功率半导体器件在电子系统中的地位已不仅限于“四肢”，而是为整个系统“供血”的“心脏&rdq
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功率半导体 MOSFET IGBT
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位面积的热增强PowerPAK SC-70®封装，具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。新款SiA433EDJ是采用第三代TrenchFET® P沟道技术的最新器件，使用了自矫正的工艺技术，在每平方英寸的硅片上装进了1亿个晶体管。这种最先进的技术实现了超精细、亚微米的间距工艺，将目前业界最好的P沟道MOSFET
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Vishay MOSFET SiA433EDJ
通常，许多资料和教材都认为，MOSFET的导通电阻具有正的温度系数，因此可以并联工作。当其中一个并联的MOSFET的温度上升时，具有正的温度系数导通电阻也增加，因此流过的电流减小，温度降低，从而实现自动的均流达到平衡。同样对于一个功率MOSFET器件，在其内部也是有许多小晶胞并联而成，晶胞的导通电阻具有正的温度系数，因此并联工作没有问题。但是，当深入理解功率MOSFET的传输特性和温度对其传输特性的影响，以及各个晶胞单元等效电路模型，就会发现，上述的理论只有在MOSFET进入稳态导通的状态下才能成立，而在
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MOSFET RDS ON 温度系数
日前，Vishay宣布推出两款MICRO FOOT功率MOSFET --- Si8461DB和Si8465DB，最大尺寸为1mm x 1 mm x 0.548mm，是迄今为止业界最小的芯片级功率MOSFET。
在种类繁多的便携式设备中，20V的P沟道Si8461DB和Si8465DB可用于负载开关、电池开关和充电开关应用。器件的小尺寸和薄厚度有助于减少电源管理电路所占用的空间，以及/或是实现更多的功能。与市场上尺寸与之最接近的芯片级功率MOSFET相比，1mm x 1mm x 0.548mm的M
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Vishay MOSFET Si8461DB Si8465DB
全球领先的高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor)推出24款新的30伏(V)、N沟道沟槽(Trench)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、µ8FL及SOIC-8封装， 为计算机和游戏机应用中的同步降压转换器提供更高的开关性能。
新系列的MOSFET利用安森美半导体获市场验证的沟槽技术，提供优异的导通阻抗[RDS(on)]及更高的开关性能，用于个人计算机(PC)、服务器、游戏机、处理器稳压电源
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安森美 MOSFET 沟槽 同步降压转换器
本文详细分析计算开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程，从而使电子工程师知道哪个参数起主导作用并更加深入理解MOSFET。
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MOSFET 开关损耗
特点－
工作电压范围：5V~450V
支持四种调光方式：开关调光、脉冲信号(PWM)调光、DC调光（0~5V）、热平衡调光。
多重保护功能：LED开路保护、LED短路保护、过电流保护、过温度保护
支持隔离或非
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绿达 LED Driver
1 引言
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不均 问题 探究 分配 电流 管并联 应用 MOSFET
1. 引言
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MOSFET 射频功率 功率放大器
随绿色经济的兴起，节能降耗已成潮流。在现代化生活中，人们已离不开电能。为解决“地球变暖”问题，电能消耗约占人类总耗能的七成，提高电力利用效率被提至重要地位。
据统计，60%至70%的电能是在低能耗系统中使用的，而其中绝大多数是消耗于电力变换和电力驱动。在提高电力利用效率中起关键作用的是功率器件，也称电力电子器件。如何降低功率器件的能耗已成为全球性的重要课题。
在这种情况下，性能远优于普遍使用的硅器件的碳化硅(SiC)器件受到人们青睐。SiC器件耐高温(工作温度和环境
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丰田 SiC 碳化硅 MOSFET 200910
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