- RS Components于今日宣布，增加飞兆半导体900种新装置，飞兆是全球领先节能半导体技术供应商。RS目前拥有最先进、最全面的飞兆电源产品系列，均可从库存直接发货至广大设计工程师。
新添加的电源IC家族包括飞兆获得大奖的直流直流控制器，融合了领先行业的便携式装置高功率、高性能、功率密度和规格等特点。RS推出的飞兆系列也包括Intellimax™负荷开关和MOSFET、高性能光耦合器、二极管、IGBT、逻辑及接口产品。
飞兆的FAN2XXX和FAN5XXX直流直流控制器家族
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RS 电源 IGBT MOSFET Intellimax
- 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 今天推出适用于汽车的 AUIRF7739L2 和 AUIRF7665S2 DirectFET®2 功率 MOSFET。这两款产品以坚固可靠、符合AEC-Q101标准的封装为汽车应用实现了卓越的功率密度、双面冷却和极小的寄生电感和电阻。
IR 的这些首款汽车用 DirecFET2 件完全不含铅，与传统标准塑料封装元件相比，可降低整体系统级尺寸和成本，实现更优异的性能和效率。
IR 亚洲区销售副总裁潘大伟
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IR MOSFET AUIRF7739L2 AUIRF7665S2 DirectFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，将其Super Junction FET®技术延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封装。
新的SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK
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Vishay MOSFET FET
- 英飞凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件，进一步扩大OptiMOSTM产品阵容。全新200V和250V器件适用于48V系统、DC/DC变换器、不间断电源(UPS)和直流电机驱动。凭借同类器件中最低的优质化系数(FOM)，OptiMOS 200V和250V技术可使系统设计的导通损耗降低一半。
对于应用二极管整流的48V开关电源而言，工程师们现在有了全新的选择，从而使得整体效率大于95%。这比当前典型的效率水平高出两个百分点，从功率损耗的角度看，也就是发热量降
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英飞凌 MOSFET OptiMOS
- 日前，德州仪器 (TI) 宣布面向高电流 DC/DC 应用推出业界第一个通过封装顶部散热的标准尺寸功率 MOSFET 产品系列。相对其它标准尺寸封装的产品，DualCool™ NexFET™ 功率 MOSFET 有助于缩小终端设备的尺寸，同时还可将MOSFET允许的电流提高 50%，并改进散热管理。
该系列包含的 5 款 NexFET 器件支持计算机与电信系统设计人员使用具有扩充内存及更高电流的处理器，同时显著节省板级空间。这些采用高级封装的 MOSFET 可广泛用于各种
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TI MOSFET
- 台晶圆代工厂产能供应失序情形，近期已逐渐从8寸晶圆向下蔓延到5寸及6寸晶圆，包括LCD驱动IC及电源管理IC纷向下抢夺5寸、6寸晶圆产能动作，让许久未传出缺货的金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)亦出现客户一直紧急追单，MOSFET市场明显供不应求现象，对台系相关供应商如富鼎、尼克森及茂达2010年第1季营收表现，将有显著贡献。
台系MOSFET供应商指出，近期合作的5寸、6寸晶圆厂内部产能利用率直线拉升，影响所及，尽管公司紧急向晶圆厂加单，不过，由于加单动作明显落后其它业者，未来3个月可
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晶圆代工 电源管理 MOSFET
- 日前，德州仪器 (TI) 宣布面向高电流 DC/DC 应用推出业界第一个通过封装顶部散热的标准尺寸功率 MOSFET 产品系列。相对其它标准尺寸封装的产品，DualCool™ NexFET™ 功率 MOSFET 有助于缩小终端设备的尺寸，同时还可将MOSFET允许的电流提高 50%，并改进散热管理。
该系列包含的 5 款 NexFET 器件支持计算机与电信系统设计人员使用具有扩充内存及更高电流的处理器，同时显著节省板级空间。这些采用高级封装的 MOSFET 可广泛用于
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TI MOSFET DualCool NexFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款12V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- SiB455EDK。该器件采用热增强的PowerPAK® SC-75封装，占位面积为1.6mm x 1.6mm，具有业内P沟道器件最低的导通电阻。
SiB455EDK是采用第三代TrenchFET P沟道技术的最新产品，使用了自对准工艺技术，在每平方英寸的硅片上装入了10亿个晶体管单元。这种最先进的技术实现了超精细、亚微米的节距工艺，将业内
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Vishay MOSFET TrenchFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用SOT-923封装的60V N沟道功率MOSFET --- SiM400。该器件为业界最小的60V功率MOSFET，比SC-70和SC-90等封装能节约更多的空间。
SiM400是迄今为止最小的60V功率MOSFET，其SOT-923封装的尺寸为1mm x 0.6mm，最大厚度仅有0.43mm。器件的占位尺寸比SC-89小77%，厚度则薄了26%。
在VGS为10V、4.5V和3.5V的情况下，新器件的导通电阻分别
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Vishay MOSFET SiM400
- 英飞凌科技股份公司今天宣布，公司与飞兆半导体公司之间的专利侵权诉讼已达成和解。2008年11月，英飞凌向美国特拉华州地方法院提起诉讼。本诉和反诉标的包括与超结功率晶体管以及沟槽式功率 MOSFET和IGBT功率晶体管有关的14项专利。
通过广泛的半导体技术专利交叉许可，双方就上述诉讼达成和解。根据和解协议，飞兆半导体将向英飞凌支付许可费，但协议的具体条款和条件保密。
英飞凌和飞兆半导体将通知美国特拉华州地方法院，双方已经达成和解，并将申请撤诉。
作为半导体行业的全球领袖，英飞凌目前正
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英飞凌 MOSFET IGBT
- 下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电
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MOSFET 应用 原理 电路 驱动
- 新型电力半导体器件的代表，IGBT的产业化在我国还属空白。无论技术、设备还是人才，我国都处于全方位的落后状态。应当认识到，电力半导体器件和集成电路在国民经济发展中地位同样重要，因此，政府应该对IGBT产业予以大力扶持。
众所周知，电力电子技术可以提高用电效率，改善用电质量，是节省能源的王牌技术。当今以绝缘栅双极晶体管(IGBT)为代表的新型电力半导体器件是高频电力电子线路和控制系统的核心开关元器件，它的性能参数将直接决定着电力电子系统的效率和可靠性。IGBT已成为新型电力半导体器件的代表性器件，
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器件 IGBT 封装 测试 MOSFET
- 近年来随着介观物理和纳米电子学对散粒噪声研究的不断深入，人们发现散粒噪声可以很好的表征纳米器件内部电子传输特性。由于宏观电子元器件中也会有介观或者纳米尺度的结构，例如缺陷、小孔隙和晶粒等，因而也会
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MOSFET 噪声测试 方法研究
- 安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)推出高度集成保护的NCV840x系列低端自保护MOSFET。这系列器件通过了AEC-Q101标准认证，非常适用于严格的汽车及工业工作环境中的开关应用。
NCV8401、NCV8402、NCV8402D(双裸片)、NCV8403及NCV8404的设计是为了提供强固及可靠的工作，这些器件全都有丰富的自保护特性，包括限温及限流、静电放电(ESD)保护，以及用于过压保护(OVP)的集成漏极至栅极钳位。
安森美半导体汽车
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安森美 MOSFET 驱动IC
- 利用低端栅极驱动器IC可以简化开关电源转换器的设计，但这些IC必须正确运用才能充分发挥其潜力，以最大限度地减小电源尺寸和提高效率。如何根据额定电流和功能来选择适当的驱动器，驱动器周围需要哪些补偿元件，以及如何确定热性能等是设计时要注意的方面。
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Fairchild 转换器 MOSFET 开关电源 栅极驱动器 200912
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