基于UCC27321高速MOSFET驱动芯片的功能与应用,1 引言
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芯片 功能 应用 驱动 MOSFET UCC27321 高速 基于
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出具高效率和出色热性能，并有助实现更薄、更轻和更紧凑的电源解决方案的MOSFET产品系列，可应对工业、计算和电信系统对更高效率和功率密度的设计挑战。
FDMC7570S是采用3mm x 3mm MLP 封装、具有业界最低RDS(ON)的25V MOSFET器件，可提供无与伦比的效率和结温性能。FDMC7570S在10VGS 下的RDS(ON) 为1.6mOhm，在4.5VGS下则为2.3mOhm;其传导损耗更比其它外形尺寸相同
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Fairchild MOSFET 电源
飞兆半导体公司 (Fairchild Semicondcutor) 将在IIC China 2010展会上，展示其最新的功率技术和移动技术。时间及地点分别是3月4至5日于深圳会展中心2号展馆2K19展台，以及3月15至16日于上海世贸商城四楼8H01展台。
智能移动解决方案：
飞兆半导体将展示其丰富的模拟技术产品系列，以及相关的定制解决方案和系统级专有技术，这些产品及方案在解决移动领域之设计和应用难题方面发挥不可或缺的重要作用。例如，飞兆半导体的业界最小的USB附件开关FSA800将所有主
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飞兆 功率 智能移动 MOSFET
中心议题：
马达的结构
提升马达工作的效率
解决方案：
正弦脉冲调制控制方式
智能功率模块
近些年来，家用电器对节能的要求变得越来越强烈。这是很显然的，仅电冰箱所消耗的能量就超过家庭用电量的10%。由于电冰箱的马达主要在低速运转，就有非常大的节能潜力，通过在低速驱动器中简单改进马达的驱动效率就能实现。
同样，据估计工业用电的65%被电驱动马达所消耗，毫无疑问，商家正逐渐意识到节能将成为改善收益率和竞争能力的关键。在电驱动马达中降低能量消耗有两种主要的方式：改善
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工业电子 马达 MOSFET
英飞凌科技股份公司近日宣布，公司将在2010年应用电力电子会议和产品展示会上，推出OptiMOS 25V器件系列，壮大OptiMOS 功率 MOSFET产品阵容。该系列器件经过优化，适合应用于计算机服务器电源的电压调节电路和电信/数据通信的开关。这种全新的MOSFET还被集成进满足英特尔DrMOS规范的TDA21220 DrMOS。
通过大幅降低三个关键的能效优值(FOM)，这种全新的器件无论在任何负载条件下，都可使MOSFET功耗降低20%，同时达到更高的性能。此外，更高的功率密度还能让典型电
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英飞凌 OptiMOS MOSFET DrMOS
功率MOSFET以其导通电阻低和负载电流大的突出优点，已经成为开关电源（switch-mode power supplies，SMPS）整流组件的最佳选择，专用MOSFET驱动器的出现又为优化SMPS控制器带来了契机。那些与SMPS控制器集成在一起的
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技术 荟萃 驱动 MOSFET 功率 开关电源 电源
CISSOID，在高温半导体解决方案的领导者，介绍了 VENUS，他们的新系列高温 30V 的 P通道功率 MOSFET 晶体管保证操作在摄氐负55度到225度之间。P通道功率 MOSFETs 的VENUS系列命名为 CHT-PMOS3002，CHT-PMOS3004 及CHT-PMOS3008，其最大漏电流额定分别为2A，4A及8A。它们补充了该公司在2009年11月介绍的 N 通道 MOSFETs 的 SATURN 系列。
VENUS 功率 MOSFETs 表现出色的高温性能。在摄氏 225
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CISSOID MOSFET 晶体管
应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体扩充公司市场领先的功率开关产品阵容，推出包括500伏特(V)和600 V器件的高压功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)系列。这些新方案的设计适合功率因数校正(PFC)和脉宽调制(PWM)段等高压、节能应用的强固要求，在这些应用中，加快导通时间及降低动态功率损耗至关重要。具体而言，这些方案非常适合用于游戏机、打印机和笔记本电源适配器，及应用于ATX电源、液晶显示器(LCD)面板电源和工业照明镇流器。
这些新的500 V和60
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安森美 MOSFET 功率开关
恩智浦半导体(NXP Semiconductors)今天宣布推出全新60 V和100 V晶体管，扩充Trench 6 MOSFET产品线。新产品采用Power SO-8LFPAK封装，支持60 V和100 V两种工作电压。Trench 6芯片技术和高性能LFPAK封装工艺的整合赋予新产品出色的性能和可靠性，为客户提供众多实用价值。
LFPAK是一种“真正”意义上的功率封装，通过优化设计实现最佳热/电性能、成本优势和可靠性。LFPAK是汽车行业标准AEC-Q101唯一认可的
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NXP 晶体管 MOSFET
1对于理想开关的需求功率 MOSFET 可作为高频率脉冲宽度调变 (PWM) 应用中的电气开关，例如稳压器及/或控制电源应用之中负载电流的开关。作为负载开关使用时，由于切换时间通常较长，因此装置的成本、尺寸及导通电阻
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NexFETTM MOSFET
在电源系统中，MOSFET驱动器一般仅用于将PWM控制IC的输出信号转换为高速的大电流信号，以便以最快的速度打开和关闭MOSFET。由于驱动器IC与MOSFET的位置相邻，所以就需要增加智能保护功能以增强电源的可靠性。 UC
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MOSFET 驱动器 数字控制电源 性能
应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体扩充N沟道功率MOSFET系列，新增12款100伏(V)器件。安森美半导体经过完备测试的N沟道功率MOSFET提供高达500毫焦(mJ)的业界领先雪崩额定值，非常适用于要顾虑因非钳位电感型负载引致过渡电压应力的设计。
安森美半导体这些100 V功率MOSFET器件的典型应用包括工业电机控制、电源、不间断电源(UPS)中的电源逆变器，以及汽车中的直接燃气喷射(DGI)。这些无铅器件，符合RoHS指令，关键的规范特性包括：
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安森美 MOSFET
电脑的麦克风电路The sound card for a PC generally has a microphone input, speaker output and sometimes line inputs and outputs. The mic input is designed for dynamic microphones only in impedance rang
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电路 耳机 功放 JFET-MOSFET 以及 麦克风 电脑
Maxim推出用于高压系统的高边MOSFET驱动器MAX15054。该器件能够为需要采用降压或升降压拓扑结构、但不带必需的高边MOSFET驱动器的HB (高亮度) LED设计提供低成本方案。MAX15054在单串和多串LED驱动器中通过使用降压以及单电感升降压拓扑结构，并将地电位作为输出电压的参考点，从而使设计人员避免了采用SEPIC结构带来的成本和设计复杂度。
MAX15054可提供2A驱动电流，具有极低(12ns，典型值)的传输延时和较短的上升、下降时间。器件的双UVLO (欠压锁定)功能保
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Maxim 驱动器 MOSFET MAX15054
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驱动器 LTC4449，该器件为在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端 N 沟道功率 MOSFET 而设计。这个驱动器结合凌力尔特公司的 DC/DC 控制器和功率 FET 可形成一个完整的高效率同步稳压器，该稳压器可用作降压型或升压型 DC/DC 转换器。
LTC4449 在 4V 至 6.5V 范围内驱动高端和低端 MOSFET 栅极，以高达 38V 的电源电压工作。这个强大的驱动器可以吸收
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Linear MOSFET 驱动器 LTC4449
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