- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款双芯片20V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK® SC-70封装，具有8V栅源电压和迄今为止双芯片P沟道器件所能达到的最低导通电阻。
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Vishay MOSFET SiA923EDJ
- 通常，许多资料和教材都认为，MOSFET的导通电阻具有正的温度系数，因此可以并联工作。当其中一个并联的MOSFET的温...
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MOSFET RDS
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出两款新的100V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiR870DP和Si4190DY。SiR870DP和Si4190DY使用了Vishay的新型ThunderFET®技术，在具有4.5V电压等级的100V MOSFET中具有业内最低的导通电阻。
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Vishay MOSFET
- 近日（2010年11月2日）凌力尔特公司(LinearTechnologyCorporation)推出窄/宽输入电压范围(2.7V至5...
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MOSFET
- 全球功率半导体和管理方案领导厂商–国际整流器公司(InternationalRectifier，简称IR)推出一系列25V及3...
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MOSFET
- 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 LTC4444/-5 的 H 级版本，该器件是一款高速、高输入电源电压 (100V)、同步 MOSFET 栅极驱动器，为在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端 N 沟道功率 MOSFET 而设计。该驱动器与功率 MOSFET 以及凌力尔特公司很多 DC/DC 控制器之一相结合，可构成完整的高效率同步稳压器。LTC4444H/-5 在 -40°C 至 150°C 的节温范围内工作，而 I 级版本的工作温度范
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Linear MOSFET
- 降低能量消耗、延长电池寿命，这是每个工程师在设计便携式电子产品时努力的目标。电池技术的进步非常缓慢，所以便携式产品的设计者把延长电池寿命的重点放在电源管理上。多年以来，从事电源管理业务的半导体制造商尽力跟上终端系统用户的需求。越来越多的便携式电子产品在功能上花样翻新，这些产品需要峰值性能，要求设计者在设备的物理尺度内实现尽可能高的效率。虽然电池行业努力开发具有比传统镍镉(NiCd)电池电量更高的替代电池技术，但还远不能满
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Vishay MOSFET
- 今天，电源工程师面临的一个主要挑战是如何减小商用电子产品中电源电路的电路板空间。在任何电子产品零售商店里转上一圈，你就会发现个人电脑已经变得更小，甚至小型化已经成为许多电子设备的发展趋势。随着这些产品的尺寸不断减小，它们的功能正在增加。在更小的空间内实现更多功能，意味着要缩小留给电源电路的面积，这会导致一系列热、功率损耗和布局方面的严峻挑战。
工程师应对这种挑战的一个办法是利用在MOSFET硅技术和封装
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电源设计 MOSFET PowerPAIR
- 英飞凌位于奥地利菲拉赫工厂生产的第35亿颗CoolMOS高压MOSFET顺利下线。这使英飞凌成为全球最成功的500V至900V晶体管供应商。通过不断改进芯片架构，使得CoolMOS晶体管技术不断优化，这为取得成功奠定了坚实基础。
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英飞凌 MOSFET
- 应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor)推出6款新的通过AEC-Q101认证逻辑电平单通道功率MOSFET，用于汽车模块，采用小型扁平引脚(FL)封装。
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安森美 MOSFET
- 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出车用平面 MOSFET 系列，适用于内燃机 (ICE) 、混合动力和全电动汽车平台的多种应用。
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IR MOSFET
- 摘要：升压变换器通常应用在彩色监视器中。为提高开关电源的效率，设计者必须选择低开关损耗的MOSFET。在升压变换器中，利用QFET新型MOSFET能够有效地减少系统损耗。1引言 在开关电源设计中，效率是一个关键性的参
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减少 开关 损耗 MOSFET 新型 变换器 利用 升压
- 六款新的逻辑电平功率MOSFET通过AEC-Q101认证，采用小型扁平引脚封装，兼具大额定电流及低导通阻抗，针对汽车...
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MOSFET 安森美半导体
- 在本电源设计小贴士以及下次的小贴士中，我们将研究一种估算热插拔 MOSFET 温升的简单方法。热插拔电路用于将电容输入设备插入通电的电压总线时限制浪涌电流。这样做的目的是防止总线电压下降以及连接设备运行中断。
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温升 1部分 MOSFET 估算 设计 电源 TI 德州仪器
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