Diodes 公司推出专为IP电话(VoIP)通信开发的新型60V N沟道器件，扩展了其MOSFET产品系列。新型 Diodes DMN60xx 系列专为处理产生正极线和负极线换行线路馈电 (Tip and Ring Linefeeds) 所需的高脉冲电流，以及抵挡电源开关时引起的雪崩能量而设计。该器件能够满足基于变压器的用户线路接口电路 (SLIC) 直流/直流转换器对基本切换功能的严格要求。
Diodes 这次推出的四款产品提供四种不同的行业标准封装选择，包括：SOT223封装的DMN606
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Diodes MOSFET
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 宣布拓展了车用DirectFET®2功率MOSFET系列。该系列具有非常出色的功率密度、双面冷却功能以及最小寄生电感和电阻，适用于重负载应用，包括电动助力转向系统、电源、混合动力汽车的电池开关、微型混合动力汽车的集成起动发电机系统等。
与传统的标准塑料封装器件相比，IR 的车用 DirectFET®2 器件可以实现整个系统级尺寸和更低的成本，以及超高的性
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IR MOSFET
当维持相同的结点温度时，可以获得更高的输出功率和改善功率密度。另外，散热能力的提高使得电路在提供额定电流的同时，还可以额外提供不超过额定电流50%的更高电流，并使器件工作在更低的温度、减少发热对其他器件的影响，也提高了系统的可靠性。
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技术 MOSFET 封装 新型 供电 需求 满足
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新型500V、16A的N沟道功率MOSFET --- SiHP16N50C、SiHF16N50C、SiHB16N50C和SiHG16N50C。新MOSFET在10V栅极驱动下具有0.38Ω的超低最大导通电阻，栅极电荷降至68nC，采用TO-220AB、TO-220 FULLPAK、D2PAK和TO-247AC封装。
SiHP16N50C (TO-220AB)、SiHF16N50C (TO-220 FULLPA
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Vishay MOSFET
金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)是由一个金氧半(MOS)二机体和两个与其紧密邻接的P-n接面(p-n junction)所组成。自从在1960年首次证明后，MOSFET快速的发展
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MOSFET 双峰效 方法
Diodes 公司推出专为IP电话(VoIP)通信开发的新型60V N沟道器件，扩展了其MOSFET产品系列。新型 Diodes DMN60xx 系列专为处理产生正极线和负极线换行线路馈电 (Tip and Ring Linefeeds) 所需的高脉冲电流，以及抵挡电源开关时引起的雪崩能量而设计。该器件能够满足基于变压器的用户线路接口电路 (SLIC) 直流/直流转换器对基本切换功能的严格要求。
Diodes 这次推出的四款产品提供四种不同的行业标准封装选择，包括：SOT223封装的DMN606
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Diodes MOSFET
功率MOSFET作为双极晶体管的替代品最早出现于1976年。与那些少数载流子器件相比，这些多数载流子器件速度更快、更坚固，并且具有更高的电流增益。因此开关型电源转换技术得以真正商用化。早期台式电脑的AC/DC开关电
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领域 应用 转换 电源 MOSFET 功率
前言
Panansonic电工的PhotoMOS在输出中采用了光电元件和功率MOSFET，是作为微小模拟信号用而开发出的SSD，以高功能型的HF型为首，正逐步扩展系列，如通用型的GU型、高频型的RF型。
上次介绍了PhotoMOS的概要，此次将介绍内置在PhotoMOS中构成控制电路的独特的光电元件的特点、构造、布线等。
FET型MOSFET输出光电耦合器的基本电路
图1是PhotoMOS中具有代表性的、即所谓的FET型MOSFET输出光电耦合器的最基本电路。在该电路中由于输出
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Panansonic PhotoMOS MOSFET
高级半导体解决方案领导厂商瑞萨电子株式会社(以下简称瑞萨电子)已于近日宣布开始供应第12代新型功率MOSFET(金属氧化物半导体晶体管)产品—— RJK0210DPA、RJK0211DPA和RJK0212DPA。新产品作为面向DC/DC转换器的功率半导体器件，主要面向计算机服务器和笔记本电脑等的应用。
本次推出的3款功率MOSFET可用于控制CPU和存储器的电压转换电路。例如，可作为降压电路，用于将电池提供的12V电压转换为1.05V，以便为CPU所用。随着公司进一步推进
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瑞萨电子 MOSFET
To emulate the natural soft start of an incandescent bulb, this circuit makes use of the thermal-foldback protection built into an LED-driver IC (MAX16832). It thereby avoids the annoying and almost i
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driver LED enhances Soft-start
b触点型“PhotoMOS”的开发
随着PhotoMOS MOSFET输出光电耦合器的优势被广泛了解，人们将其用于信息通信设备、OA设备、FA设备及其他广泛的领域。为了满足大众进一步的需求，本公司开发出了“可通过机械实现、并拥有所有触点构成(b触点、c触点)”的PhotoMOS MOSFET输出光电耦合器。
为实现该产品的开发，我们在功率MOSFET制造工艺中采用了融有DSD法(Double-Diffused and Selective Do
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Panasonic MOSFET PhotoMOS
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 今天宣布推出汽车用 DirectFET®2 功率 MOSFET 系列，适合D 类音频系统输出级等高频开关应用。
新推出的 AUIRF7640S2、AUIRF7647S2 和 AUIRF7675M2 器件，拓展了 IR 适用于汽车 D 类音频系统的 DirectFET®2 功率 MOSFET 阵营，并利用低栅极电荷 (Qg) 作出优化，来改善总谐波失真
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IR MOSFET
采用功率MOSFET及其驱动器和光纤收发器件，研究了激光触发开关脉冲功率源控制技术中的快上升沿(≤5 ns)触发信号产生、驱动、传输及光纤隔离、高耐压脉冲变压器使用等关键技术。给出了激光器外触发控制电路的设计及测试结果，并对其应用特点进行了分析和讨论。
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MOSFET 激光器 触发系统
Diodes 公司推出采用超小型 SOT963封装的双极晶体管 (BJT)、MOSFET和瞬态抑制二极管 (TVS) 器件，性能可媲美甚至超过采用更大封装的器件。
Diodes SOT963的占板面积仅有0.7 mm2，比SOT723封装少30%，比SOT563封装少60%，适合低功耗应用。占板面积节省加上0.5 mm的离板高度，让Diodes 的 SOT963 封装器件能够满足各种超便携式电子产品的要求。
现阶段推出的SOT963封装产品线包括6款通用双极双晶体管组合、3款小信号双MOS
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Diodes MOSFET BJT TVS
This application note presents an LED driver solution for MR16 and similar retrofit lamps. The circuit drives LEDs from a 12VAC input. The solution works with both magnetic and electronic transformers
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similar retrofit lamps and MR16 driver solution for
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