- 在本《电源设计小贴士》中,我们将最终对一种估算热插拔 MOSFET 温升的简单方法进行研究。在《电源设计小贴士28》中,我们讨论了如何设计温升问题的电路类似方法。我们把热源建模成了电流源。根据系统组件的物理属性
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温升 2部分 MOSFET 估算 设计 电源 TI 德州仪器
- 本电源设计小贴士以及下次的小贴士中,我们将研究一种估算热插拔 MOSFET 温升的简单方法。热插拔电路用于将电容输入设备插入通电的电压总线时限制浪涌电流。这样做的目的是防止总线电压下降以及连接设备运行中断。
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MOSFET 热插拔 方案
- 在本电源设计小贴士以及下次的小贴士中,我们将研究一种估算热插拔MOSFET温升的简单方法。热插拔电路用于将电...
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MOSFET 温升
- 在功率MOSFET的数据表中,通常包括单脉冲雪崩能量EAS,雪崩电流IAR,重复脉冲雪崩能量EAR等参数,而许多电子工程师在设计电源系统的过程中,很少考虑到这些参数与电源系统的应用有什么样的联系,如何在实际的应用中
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考虑 应用 能量 雪崩 MOSFET
- 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 宣布扩大了旗下包括逻辑电平器件系列在内的 40V 至 100V 汽车专用 MOSFET 组合。新系列 MOSFET 适合传统内燃机 (ICE) 平台以及微型混合动力和全混合动力平台上的重载应用。
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IR MOSFET
- 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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3G MOSFET RF功率放大器 RF
- 恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V.今天发布了NextPower系列首款30V Power-SO8 MOSFET,拥有业界最低RDSon,4.5V时仅为1.4mΩ。全新的MOSFET器件PSMN1R0-30YLC,专门针对4.5V开关应用优化,采用LFPAK封装技术,是目前业界最牢固的Power-SO8封装。NextPower技术已专门针对高性能DC-DC转换应用进行了优化,例如隔离电源和电源OR-ing中的同步降压调节器、同步整流器。
技术要点:
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恩智浦 MOSFET
- Diodes公司推出两款新型双通道器件DMS3017SSD及DMS3019SSD,扩展了旗下DIOFET产品系列。DMS3017SSD及DMS3019SSD将一个经过优化的控制MOSFET及一个专有DIOFET集成在一个SO8封装中,为消费类及工业应用的负载点转换器提供高效的解决方案。
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Diodes mosfet
- 虽然工程师都熟谙MOSFET数据手册上的品质因数,但为了选择出合适的MOSFET,工程师必需利用自己的专业知识对各个具体应用的不同规格进行全面仔细的考虑。例如,对于服务器电源中的负载开关这类应用,由于MOSFET基本上
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MOSFET
- 本文不准备写成一篇介绍功率MOSFET的技术大全,只是让读者去了解如何正确的理解功率MOSFET数据表中的常用主要参数,以帮助设计者更好的使用功率MOSFET进行设计。 数据表中的参数分为两类:即最大额定值和电气特性值。
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MOSFET 数据表
- 本文主要介绍瑞萨电子(又称:Renesas)高压MOS在客户电源等产品开发时的选型以及特性的说明,为客户的产品开发提供参考性的设计意见。
MOSFET以其电压控制、开关频率高、开关速度快等优点,广泛应用于电源等产品中。Renesas高压MOS涵盖漏源电压(VDSS)等级600V、800V、900V、1400V,具有极低的RDS(ON)和丰富的封装系列,应用十分广泛。
MOSFET最重要的两个参数是漏源电压(VDSS)和导通电阻RDS(ON)。电流值和最大耗散功率值必须仔细观察,因为它们只有
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Renesas MOSFET
- 用于高能效电源转换的高压集成电路业界的领导者Power Integrations公司今日宣布推出全新的HiperPFS产品,一款集成高压MOSFET并可实现功率因数校正(PFC)的控制器芯片。HiperPFS器件采用创新的控制方案,可提高轻载条件下的效率。此外,与使用分立式MOSFET和控制器的设计相比,HiperPFS器件能大幅减少元件数和缩小电路板占用面积,同时简化系统设计并增强可靠性。HiperPFS器件采用极为紧凑的薄型eSIPä封装,适合75 W至1 kW的PFC应用。
欧洲
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PI HiperPFS MOSFET 控制器芯片
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款600V、47A N沟道功率MOSFET --- SiHG47N60S,该MOSFET在10V栅极驱动下具有0.07Ω的超低最大导通电阻,栅极电荷减小到216nC,采用TO-247封装。
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Vishay Siliconix MOSFET
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