- 宾夕法尼亚、MALVERN—2011年3月31日—日前，Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE股市代号：VSH)宣布，发布新款40V和60VN沟道Trench FET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。两款器件采用SO-8或PowerPAK®SO-8封装，具有业内最低的导通电阻，以及最低的导通电阻与栅极电荷乘积，即优值系数。
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MOSFET 最低导通电阻
最低导通电阻介绍
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