现代创新理论的提出者约瑟夫·熊彼特认为，企业家的职能就是实现“创新”，引进生产要素或生产条件的“新组合”，目的是最大限度地获取超额利润。创新催生利润，因此“创新”一词得到狂热追捧，几乎所有企业都在打出各式各样的创新口号。
不仅业内企业在摸索和实践着创新，作为“深圳(国际)集成电路技术创新与应用展览会”的组织机构——深圳市半导体行业协会也在积极行动。他们在深入调研了
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IC设计 MOSFET 音频解码器
电源工程师一直面对减小应用空间和提高功率密度的两个主要挑战，而在笔记本电脑、负载点、服务器、游戏和电信应用中，上述两点尤为重要。为了帮助设计人员应对这些挑战，全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)开发出FDMS36xxS系列功率级非对称双MOSFET模块。
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飞兆 MOSFET FDMS36xxS
全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 扩展其封装系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封装。新的封装采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技术，为一系列的低功耗应用，包括智能手机、平板电脑、摄像机、数码相机、笔记本电脑、服务器和网络通讯设备，提供超小型、高密度和高效率的解决方案。
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IR PQFN MOSFET
全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 扩展其封装系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封装。新的封装采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技术，为一系列的低功耗应用，包括智能手机、平板电脑、摄像机、数码相机、笔记本电脑、服务器和网络通讯设备，提供超小型、高密度和高效率的解决方案。
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IR HEXFET MOSFET
据IHS iSuppli公司的研究，2010年中国功率MOSFET市场快速增长，销售额达到23亿美元，比2009年的16亿美元增长43%。
直到去年第三季度，功率MOSFET在2010年多数时间都处于供应不足局面，难以满足中国各行业的需求，包括本地数据处理、消费与通信领域。功率MOSFET是为处理较高的功率级而设计的功率半导体器件，主要用于电源与DC-DC转换器中的低电压开关。
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MOSFET DC-DC转换器
在这篇《电源设计小贴士》中，我们将研究在同步降压功率级中如何对传导功耗进行折中处理，而其与占空比和 FET 电阻比有关。进行这种折中处理可得到一个用于 FET 选择的非常有用的起始点。通常，作为设计过程的一个组
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MOSFET 同步降压 电阻比
据IHS iSuppli公司的研究，2010年中国功率MOSFET市场快速增长，销售额达到23亿美元，比2009年的16亿美元增长43%。
直到去年第三季度，功率MOSFET在2010年多数时间都处于供应不足局面，难以满足中国各行业的需求，包括本地数据处理、消费与通信领域。功率MOSFET是为处理较高的功率级而设计的功率半导体器件，主要用于电源与DC-DC转换器中的低电压开关。
去年功率MOSFET在中国市场强劲增长，可能主要归功于中国政府的推动。为了鼓励投资和刺激经济，中国政府推出了一系
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MOSFET 无线通信
DC-DC电源、马达控制、热插拔和负载开关应用，以及服务器的次级同步整流应用的设计人员，需要使用具有更低传导损耗和开关损耗的MOSFET器件以期提高设计的效率。
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Fairchild MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，Vishay发布2011年的“Super 12”特色产品。这些元器件具有业界领先的规格标准，如导通电阻、导通电阻与栅极电荷乘积(FOM)、温度范围和电流等级。这些创新产品在http://www.vishay.com/landingpage/super12/ver3/ 进行展示，是许多关键应用的上佳之选，也充分反映出Vishay产品线之丰富。
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Vishay MOSFET
恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ：NXPI) 今日宣布，其采用LFPAK封装的NextPower系列25V和30V MOSFET将有15款新产品开始供货。这些恩智浦功率MOSFET家族的最新成员在六个关键参数方面找到了最佳平衡点，并且具有行业最低的RDS (on) (25V和30V均为亚1 mΩ级)，是高性能、高可靠性开关应用的理想之选。
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恩智浦 MOSFET
英飞凌的最新一代高压CoolMOS™ MOSFET取得了又一项创新，设立了能效的新标准。在德国纽伦堡举办的PCIM Europe 2011展会(5月17日至19日)上，英飞凌展出了全新推出的650V CoolMOS™ CFD2，它是世界上第一款漏源击穿电压为650V并且集成了快速体二极管的高压晶体管。这个新的CFD2器件延续了600V CFD产品的优点，不仅可以提高能效，而且具备更软的交换功能，从而降低了电磁干扰(EMI)，提升产品的竞争优势。
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英飞凌 MOSFET
Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封装的高性能MOSFET产品线。该封装仅占用0.6平方毫米的PCB面积，较同类SOT723封装器件节省一半以上的占板空间，其结点至环境热阻 (ROJA) 为256ºC/W，在连续条件下功耗高达1.3W，而同类产品的功耗则多出一倍。
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Diodes MOSFET
Diodes公司推出旗下有助节省空间的DFN3020封装分立式产品系列的首批MOSFET。这三款双MOSFET组合包含了20V和30V N沟道及30V互补器件。这些双DFN3020 MOSFET的电学性能与较大的SOT23封装器件不相上下，可以替代两个独立的SOT23封装MOSFET，节省七成的电路板空间。
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Diodes MOSFET
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