- 一般来讲，寻求更大生活空间的居民会放弃在市区附近生活。尽管住在市区上班方便，并能享受城市服务，但他们更愿意搬到郊区，因为那里房子更大，院子更宽敞。同样，当工程师需要大电流用于负载点(POL)设计时，他们一般会放弃高密度转换器(带集成MOSFET)的便利，取而代之使用一个更复杂的涉及控制器(带外部MOSFET)解决方案。控制器，与郊区环境相类似，具有相对的灵活性和经济性，但会占据更多不动产，更多的电路板空间。
直到最近，电流超过10-15A的应用一般会依赖带外部MOSF
- 关键字：
MOSFET 封装
- 下面对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。
1，MOS管种类和结构
MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。
至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。
对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小，且容易制造。所以开
- 关键字：
MOS管 MOSFET
- 横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)在混动汽车和电动汽车(EV，Electric Vehicles)市场发布了先进的高能效功率半导体器件，同时还公布了新产品AEC-Q101汽车质量认证时间表。
电动汽车和混动汽车通过提高电能利用率来延长续航里程。意法半导体最新的碳化硅(SiC)技术让车企能够研制续航里程更长、充电速度更快的电动和混动汽车，使其更好地融入车主的生活。作为碳化硅技术的领导者，针对汽车所有主要电气模块，意法半导体率先推
- 关键字：
意法半导体 MOSFET
- 英飞凌科技股份公司为其EiceDRIVER™ Compact隔离型门级驱动IC产品家族带来了宽体封装新成员。全新1EDI Compact 300 mil器件采用DSO-8 300 mil封装，可增大爬电距离并改善热性能。 全新IC的爬电距离为8 mm，输入至输出隔离电压1200 V。它们专为驱动高压功率MOSFET和IGBT而设计。目标应用包括通用和光伏逆变器、工业变频器、电动汽车充电站、焊接设备及商用和农用车等。优化的
- 关键字：
英飞凌 SiC-MOSFET
- 基于超级结技术的功率MOSFET已成为高压开关转换器领域的业界规范。它们提供更低的RDS(on)，同时具有更少的栅极和和输出电荷，这有助于在任意给定频率下保持更高的效率。在超级结MOSFET出现之前，高压器件的主要设计平台是基于平面技术。但高压下的快速开关会产生AC/DC电源和逆变器方面的挑战。从平面向超级结MOSFET过渡的设计工程师常常为了照顾电磁干扰(EMI)、尖峰电压及噪声考虑而牺牲开关速度。本应用指南将比较两种平台的特征，以便充分理解和使用超级结技术的优点。
为了理解两种技术的差异，我
- 关键字：
MOSFET 超级结结构
- 横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics，简称ST;纽约证券交易所代码：STM)最新的MDmeshTM DM2 N-通道功率MOSFET为低压电源设计人员提高计算机、电信网络、工业、消费电子产品的能效创造新的机会。 全世界的人都在获取、保存、分享大量的电子书、视频、相片和音乐文件，数据使用量连续快速增长，运行云计算技术的服务器集群、互联互通的电信网络、数据用户终端设备的耗电量也随之越来越高，人们对这些设备能耗最小化的需求越来越多
- 关键字：
意法半导体 MOSFET
- MOSFET和三极管，在ON 状态时，MOSFET通常用Rds，三极管通常用饱和Vce。那么是否存在能够反过来的情况，三极管用饱和Rce，而MOSFET用饱和Vds呢? 三极管ON状态时工作于饱和区，导通电流Ice主要由Ib与Vce决定，由于三极管的基极驱动电流Ib一般不能保持恒定，因而Ice就不能简单的仅 由Vce来决定，即不能采用饱和Rce来表示(因Rce会变化)。由于饱和状态下Vce较小，所以三极管一般用饱和Vce表示。 MOS管在ON状态时工作于线性区(相当于三极管的饱
- 关键字：
MOSFET 三极管
- 本文通过等效电路分析，通俗易懂的讲解IGBT的工作原理和作用，并精简的指出了IGBT的特点。可以说，IGBT是一个非通即断的开关，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
IGBT(绝缘栅双极型晶体管)，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。
- 关键字：
IGBT MOSFET
- MOSFET的击穿有哪几种? Source、Drain、Gate 场效应管的三极:源级S 漏级D 栅级G (这里不讲栅极GOX击穿了啊，只针对漏极电压击穿) 先讲测试条件，都是源栅衬底都是接地，然后扫描漏极电压，直至Drain端电流达到1uA。所以从器件结构上看，它的漏电通道有三条：Drain到source、Drain到Bulk、Drain到Gate。 1) Drain->Source穿通击穿: 这个主要是Drain加反偏电压后，使得Drain/Bulk
- 关键字：
MOS管 MOSFET
- 为了降低能源成本，设备设计人员正在不断寻找优化功率密度的新方法。通常情况下，电源设计人员通过增大开关频率来降低功耗和缩小系统尺寸。由于具有诸多优势如宽输出调节范围、窄开关频率范围以及甚至在空载情况下都能保证零电压开关，LLC 谐振转换器应用越来越普遍。但是，功率 MOSFET 出现故障一直是LLC 谐振转换器中存在的一个问题。在本文中，我们将阐述如何避免这些情况下出现MOSFET 故障。
初级 MOSFET 的不良体二极管性能可能导致一些意想不到的系统或器件故障，如在各种异常条件下发生严重的直通
- 关键字：
谐振转换器 MOSFET
- 为了提高系统可靠性并降低保修成本，设计人员在功率器件中加入故障保护电路，以免器件发生故障，避免对电子系统造成高代价的损害。这通常利用外部传感器、分立电路和软件来实现，但是在更多情况下，设计人员使用完全自保护的MOSFET功率器件来完成。 图1显示了完全自保护MOSFET的一般拓扑结构。这些器件常见的其他特性包括状态指示、数字输入、差分输入和过压及欠压切断。高端配置包括片上电荷泵功能。但是，大多数器件都具备三个电路模块，即电流限制、温度限制和漏-源过压箝制，为器件提供大部分的保护。 &n
- 关键字：
MOSFET 功率器件
- 功率MOSFET在目前一些大功率电源的产品设计中得到了广泛的应用，此前本文曾经就几种常见的MOSFET电路设计类型进行了简单总结和介绍。在今天的文章中，本文将会就这一功率器件的另一种应用方式，即有隔离变压器存在的互补驱动电路，进行简要分析。 有隔离变压器的互补驱动电路作为一种比较常见的驱动电路形式，在目前的家电产品设计中应用较多，其典型电路结构如图1(a)所示。在图1(a)所给出的电路结构中，V1、V2为互补工作，电容C起隔离直流的作用，T1为高频、高磁率的磁环或磁罐。
- 关键字：
MOSFET 驱动电路
- 功率器件MOSFET是目前应用频率最高的电子元件之一，也是很多电子工程师在入门学习时的重点方向。如果设计得当，MOSFET驱动电路可以帮助工程师快速、高效、节能的完成电路系统的驱动设计，本文在这里将会分享一种比较常见的MOSFET驱动电路设计方案，该方案尤其适用于小功率电路系统的采用。 下图中，图1(a)所展示的是一种目前业内比较常用的小功率MOSFET驱动电路，这一电路系统的特点是简单可靠，且设计成本比较低，尤其适用于不要求隔离的小功率开关设备。图1(b)所示驱动电路开关速度很快，驱动能力强，为防
- 关键字：
MOSFET 驱动电路
- Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的两款40V车用MOSFET DMTH4004SPSQ及DMTH4005SPSQ温度额定值高达+175°C，非常适合在高温环境下工作。DMTH4004SPSQ旨在满足水泵和燃油泵等超过750W的高功率无刷直流电机应用的要求;DMTH4005SPSQ则适用于低功率无刷直流应用，包括备用泵和暖通空调系统。 DMTH4004SPSQ及DMTH4005SPSQ为满足三相无刷直流电机控制应用的严格要求，
- 关键字：
Diodes MOSFET
- 全球领先的高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild (NASDAQ: FCS) 在2016年APEC上发布了新一代100V N沟道Power MOSFET旗舰产品——FDMS86181 100V屏蔽栅极PowerTrench® MOSFET。 FDMS86181是Fairchild新一代PowerTrench MOSFET系列的首款器件，能够使需要100V MOSFET的电源、电机驱动和其他应用
- 关键字：
Fairchild MOSFET
mosfet-driver介绍
您好，目前还没有人创建词条mosfet-driver!
欢迎您创建该词条，阐述对mosfet-driver的理解，并与今后在此搜索mosfet-driver的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
