摘要：文章对主流热插拔控制策略进行了比较分析，在介绍热插拔控制器TPS2491功能结构后，以24V电源背板总线数据采集卡为设计实例，详细介绍了基于TPS2491进行热插拔保护电路的设计过程，并对设计电路进行了测试验证，
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TPS2491 热插拔 保护电路 MOSFET
2010年，供应商发布了第一波基于GaN技术的功率半导体。但直到最近，这种产品的可用性依然不高，价格也高昂不下，GaN技术一直在寻找理想的应用空间。随着时间的推移，这些器件预计将逐步应用到电动汽车、移动设备的快速充电适配器、无线充电和其他系统中，GaN基功率半导体器件正在电源市场上攻城拔寨。
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GaN MOSFET
英飞凌科技股份公司发布针对高能效设计和应用的OptiMOS™ 5 150 V产品组合。该产品家族进一步壮大了行业领先的最新一代OptiMOS™ 5功率MOSFET的阵容。新的150 V产品家族专门针对要求低电荷、高功率密度和高耐受性的高性能应用而优化。它是英飞凌面向低压马达驱动、通讯电源同步整流和DC/DC Brick同步整流，以及太阳能电源优化器等系统解决方案的重要组成部分之一。
更环保的技术
英飞凌坚持不懈地研发适用于高能效设计的产品，以帮助减少全球二氧化碳排放
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英飞凌 MOSFET
东芝公司旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布推出适用于智能手机和平板电脑等移动设备中的负载开关的N沟道MOSFET，该产品实现了业界领先的1]低导通电阻。新产品出货即日启动。
新产品系列包括30V“SSM6K513NU”和40V“SSM6K514NU”。这些新MOSFET利用东芝最先进的“U-MOS IX-H系列”沟道工艺，实现了业界领先的低导通电阻：“SSM6K513NU”：6.5mOhm以及&
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东芝 MOSFET
大家都在谈论FinFET——可以说，这是MOSFET自1960年商用化以来晶体管最大的变革。几乎每个人——除了仍然热心于全耗尽绝缘体硅薄膜(FDSOI)的人，都认为20 nm节点以后，FinFET将成为SoC的未来。但
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SoC FinFET MOSFET
近日在中国深圳，我遇到了一位在一家信息娱乐系统制造商任职的设计师。“您碰巧在设计中用过60V的负载开关吗?”我问。他说用过，并告诉我他的电路板包含了大约10个30V-60V的小外形晶体管(SOT)-23，漏源导通电阻RDS(ON)通常100mΩ左右。“在这些电路板上，您有遇到过空间受限的问题吗?”我问。他确实碰到过，于是我向他展示TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET的技术信息，RDS(ON)不到60m&Omeg
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SOT-23 MOSFET
电路的能功要使放大后的波形与输入波形相似，放大电路必须采用对称电路，而且有源元件的特性要一致。本电路就是波形失真小的放大电路，各级均为推挽对称电路，可以获得上升边和下降边时间常数基本相等的脉冲响应以及
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MOSFET VP-P 电压
电路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器，其转换速度比单级晶体管快，适合在高频条件下工作。本电路使用了决定转换速度的激励器，而且还在输出级采用了MOSFET，使高频特性得以改善。输出功率取决于电源电压和负载。
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MOSFET 高频特性 放大器电路 工作原理
有刷直流电机通过电刷进行换向。以下是关于有刷直流电机的一些关键点：典型的转子(也就是电枢)上有绕组，并且在其末端连有换向器电刷与换向部分连接和断开，从而将能量传递到电枢永磁直流电机的定子(或外部机筒)将有
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MOSFET 光学编码器 PWM 有刷直流电机驱动器
看到这个主题，可能有些工程师会问：多少伏的功率MOSFET，耐压BVDSS不就是多少伏吗?这里面还有什么被忽略的内容?细节决定技术，今天研究功率MOSFET数据表中BVDSS所隐藏的一些有意思的细节，来理解这个参数所设定的含义。
数据表中漏源击穿电压BVDSS通常定义为漏电流为250uA时漏极到源极的电压，漏极到源极的漏电流表示为IDSS。数据表中标称BVDSS电压是在栅极和源极S短路、25℃的工作温度、漏极和源极不发生雪崩击穿时，所能施加的最大的额定电压，测试的电路如图1所示。关于雪崩击穿问题
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MOSFET BVDSS
Fairchild，现在是安森美半导体的一部分，今天推出了其SuperFET® III系列，用于650V N沟道MOSFET，这是该公司新一代的MOSFET，可满足最新的通信、服务器、电动车(EV)充电器和太阳能产品的更高功率密度、系统效率和优越的可靠性要求。
SuperFET III MOSFET系列兼具一流可靠性、低EMI、卓越效率和优异热性能，是高性能应用的理想之选。一流性能之外，该系列还提供了广泛的封装选择，赋予了产品设计者更大的灵活性，特别是对于尺寸受限的设计。
Fair
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Fairchild MOSFET
英飞凌科技股份公司推出800 V CoolMOS™ P7系列。该800 V MOSFET基于超级结技术，兼具出类拔萃的性能和优异的易用性。这个新的产品家族非常适于低功率SMPS应用，可完全满足性能、易于设计和性价比等市场需求。它主要侧重于反激式拓扑，这种拓扑常见于适配器、LED照明、音频、工业和辅助电源等应用。
800 V CoolMOS P7系列可将效率提高最多0.6%。比之CoolMOS C3，或者比之典型反激式应用中测试的其他竞争对手产品，这相当于将
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英飞凌 MOSFET
横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)推出一系列采用TO-220 FullPAK (TO-220FP)宽爬电间距封装的功率晶体管，其中包括采用防电弧封装的全球首款1500V超结MOSFET。
电视和PC等设备常用的开放式电源表面很容易聚集尘土和粉尘，导致功率晶体管引脚之间产生高压电弧放电现象，TO-220FP宽爬电间距封装是这类应用功率晶体管的理想选择。在使用2.54mm引脚间隔的常规封装时，需要铸封、引线成形、套管或密封等特殊工
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意法半导体 MOSFET
电的发现是人类历史的革命，由它产生的动能每天都在源源不断的释放，人对电的需求不亚于人类世界的氧气，如果没有电，人类的文明还会在黑暗中探索。
然而在电力电子里面，最重要的一个元件就是IGBT。没有IGBT就不会有高铁的便捷生活。
一说起IGBT，半导体**的人都以为不就是一个分立器件(Power Disceret)嘛，都很瞧不上眼。然而他和28nm/16nm集成电路**一样，是国家“02专项”的重点扶持项目，这玩意是现在目前功率电子器件里
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IGBT MOSFET
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