高性能转换器设计中的同步整流对于低电压、高电流应用（比如服务器和电信电源）至关重要，这是因为过将肖特 基二极管整流替换为同步整流 MOSFET 能够显著提高效率和 功率密度。同步整流 MOSFET 的很多关键参数甚至器件和印 制电路板的寄生元件都会直接影响同步整流的系统效率。同步整流 MOSFET 的主要要求为：同步整流中的功率损耗(1)导通损耗 二极管整流器的导通损耗占了电源总功耗的很大一部图1 75 V MOSFET 和 600 V MOSFET 中 RDS(ON)的相对比例
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功率 MOSFET
功率因数校正 (PFC) 是输入功率不低于75 W的AC-DC转换器的一项强制要求。在某些消费应用（如LED照明） 中，要求在低至5 W的功率下进行某些形式的PFC。在低功 率下，可使用为控制线路频率而设计的无源元件实现校正目 的。但在高功率下，无源解决方案会变得相当“笨重”而昂 贵；使用高开关频率有源器件可减小所需无源元件的尺寸。 有源PFC的标准实现方式是输入整流器后跟升压转换 器。尽管新式拓扑正逐渐获得接受，但升压PFC仍然是主要解决方案，本文将对其进行进一步
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功率 电路 MOSFET
东芝公司旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布面向高效电源推出具备改进的低导通电阻、高速开关的800V超级结N沟道功率MOSFET。“DTMOS IV系列”的八款新MOSFET利用超结结构，与东芝之前的“π-MOSVIII系列”相比，其可将其单位面积导通电阻(RON x A)降低近79%。 该系列产品改进的高速开关还有助于提高使用该系列产品的芯片组的电源效率。这些MOSFET适用于工业电源，服务器、笔记本电脑适配器和充电器以及移动设备的备用电源以及LED照明灯
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东芝 MOSFET
东芝公司旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布面向快速充电器推出支持4.5V逻辑电平驱动的100V N沟道功率MOSFET，以此扩大其低电压N沟道功率MOSFET的产品阵容。“U-MOS VIII-H系列”的两款新MOSFET分别是“TPH4R10ANL”和“TPH6R30ANL”，产品出货即日启动。 随着快速充电器的普及和发展，市场需要更高性能的用于次级侧整流器的功率MOSFET。这些新的MOSFET利用东芝低电压沟槽结构工艺，实现了业界领先的[1]低导通电阻和高速性能。该结
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东芝 MOSFET
摘要–当一个功率MOSFET管被用在电桥拓扑或用作电源二次侧同步整流管时，体漏二极管的特性以及品质因数将变得非常重要。当需要Qrr 数值很低的软反向恢复时，集成肖特基二极管的新60V ST “F7”功率MOSFET管确保能效和换向性能更加出色。 I.前言 在同步整流和电桥结构中，RDSon 和 Qg 两个参数并不是对功率MOSFET管的唯一要求，实际上，本征体漏二极管的动态特性对MOSFET整体性能影响很大。体漏二极管的正向压降(VF,d
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MOSFET MOSFET
日本三菱化学及富士电机、丰田中央研究所、京都大学、产业技术综合研究所的联合团队成功解决了在氮化镓(GaN)芯片上形成GaN元件功率半导体关键技术。GaN功率半导体是碳化硅功率半导体的下一代技术。日本通过发光二极管的开发积累了GaN元件技术，GaN芯片生产量占据世界最高份额。若做到现有技术的实用化，将处于世界优势地位。
功率半导体有利于家电、汽车、电车等的节能，产业需求很大。GaN功率半导体中，硅基板上形成横型GaN系的高电子迁移率晶体管等设备已经量产，但是，GaN基板上形成GaN的金属-氧化物半
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GaN MOSFET
横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)扩大其SLLIMM™ nano系列电机驱动智能功率模块(IPM)产品阵容。除了使得应用总体尺寸最小化和设计复杂性最低化的多种可选封装外，新产品还集成更多的实用功能和更高能效的最新的500V MOSFET。 新IPM模块的额定输出电流1A或2A，目标应用瞄准最高功率100W的电机驱动市场，例如冰箱压缩机、洗衣机或洗碗机的电机、排水泵、循环水泵、风扇电机、以及硬开关电路内工作频率小
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意法半导体 MOSFET
噪声通常指任意的随机干扰。热噪声又称白噪声或约翰逊噪声，是由处在一定温度下的各种物质内部微粒作无规律的随机热运动而产生的，常用统计数学的方法进行研究。热噪声普遍存在于电子元件、器件、网络和系统中，因此噪声测量主要指电子元件和器件、网络和系统的热噪声和特性的测量。 附加相位噪声测试技术及注意事项 本文简单介绍了相位噪声的定义，详细介绍了附加相位噪声的测试过程，给出了实际的测试结果，指出了附加相位噪声测试过程中的一些注意事项，希望对附加相位噪声测试人员有一定的借鉴意义。 用于4G-LTE频段噪声测试
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MOSFET 噪声
摘要 – 近几年来，开关电源市场对高能效、大功率系统的需求不断提高，在此拉动下，设计人员转向寻找电能损耗更低的转换器拓扑。PWM移相控制全桥转换器就是其中一个深受欢迎的软硬结合的开关电源拓扑，能够在大功率条件下达取得高能效。本文旨在于探讨MOSFET开关管在零压开关(ZVS)转换器内的工作特性。 1. 前言 零压开关移相转换器的市场定位包括电信设备电源、大型计算机或服务器以及其它的要求功率密度和能效兼备的电子设备。要想实现这个目标，就必须最大限度降低功率损耗和无功功率
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MOSFET ZVS
问题1：最近，我们公司的技术专家在调试中发现，MOSFET驱动电压过高，会导致电路过载时，MOSFET中电流过大，于是把降低了驱动电压到6.5V，之前我们都是在12V左右。这种做法感觉和您在文章里第四部份似乎很相似，这样做可行么? 问题分析： 系统短路的时候，功率MOSFET相当于工作在放大的线性区，降低驱动电压，可以降低跨导限制的最大电流，从而降低系统的短路电流，从短路保护的角度而言，确实有一定的效果。然后，降低驱动电压，正常工作时候，RDSON会增大，系统效率会降低，MOSFET的温度会升高，
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MOSFET 芯片
MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选择合适的电路。下面一起探讨MOSFET用于开关电源的驱动电路。 在使用MOSFET设计开关电源时，大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、最大电压、最大电流。但很多时候也仅仅考虑了这些因素，这样的电路也许可以正常工作，但并不是一个好的设计方案。更细致的，MOSFET还应考虑本身寄生的参数。对一个确定的MOSFET，其驱动电路，驱动脚输出的峰值电流，上升速率等，都会影响MOSFET的
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MOSFET 驱动电路
功率放大电路是一种以输出较大功率为目的的放大电路。因此，要求同时输出较大的电压和电流。管子工作在接近极限状态。一般直接驱动负载，带载能力要强。 功率MOSFET是较常使用的一类功率器件。“MOSFET”是英文MetalOxideSemicoductorFieldEffectTransistor的缩写，译成中文是“金属氧化物半导体场效应管”。它是由金属、氧化物(SiO2或SiN)及半导体三种材料制成的器件。所谓功率MOSFET(PowerMOSFET)是指它能输出较大的工作电流(几安到几十安)，用于功
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MOSFET 功率放大电路
横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)发布两款40V汽车级MOSFET。新产品采用意法半导体最新的STripFET™ F7制造技术，开关性能优异，能效出色，噪声辐射极低，耐误导通能力强。新产品最大输出电流达到120A，主要目标应用包括高电流的动力总成、车身或底盘和安全系统，同时优异的开关特性使其特别适用于电机驱动装置，例如电动助力转向系统(EPS)。
意法半导体的STripFET系列采用DeepGATE™技
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意法半导体 MOSFET
MOS管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
目前在市场应用方面，排名第一的是消费类电子电源适配器产品。而MOS管的应用领域排名第二的是计算机主板、NB、
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MOS管 MOSFET
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