- Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出40V额定值的动态OR'ing控制器ZXGD3108N8，以提升电信系统、数据中心及服务器不间断电源的可靠性。新产品旨在全面改善超低导通电阻功率MOSFET，从而替代耗能的肖特基 (Schottky) 阻断二极管，有效降低工作温度并加强不间断电源系统的完整性。
新控制器通过以这种方式驱动MOSFET，同时提升标准12V和24V共轨系统的整体系统效率。与其它同类型器件相比，ZXGD3108N8提供最低的关断电压阈值。器件的电压少于-
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Diodes MOSFET ZXGD3108N8
- 东芝公司旗下的半导体&存储产品公司今天宣布推出40V电压功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)“U-MOS IX-H”系列。相比东芝传统的U-MOS VI-H系列，新系列减少了76%的导通电阻，实现业界顶级的低导通电阻[1]。此外，它还减少了Qoss[2]的增加，从而提高开关电源的效率。样品出货即日起启动。
注：
·[1]截至2014年11月4日。东芝调查。
·[2]Qoss：输出电荷。
主要特性
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东芝 MOSFET 低导通电阻
- 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出采用高性能4×5 PQFN 功率模块封装的IRFH4257D FastIRFET 双功率MOSFET。这项新的封装拓展了IR的功率模块系列的功能，使其可用于更低功率的紧凑型设计，适合12V输入DC-DC同步降压应用，包括先进的电信和网络通信设备、服务器、显示适配器、台式电脑、超极本 (Ultrabook) 及笔记本电脑等应用。
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国际整流器 MOSFET DC-DC
- 8寸晶圆代工产能卡位战提前启动，法人指出，联电8寸厂能已被指纹辨识芯片、LCD驱动IC，以及电源管理IC客户抢购一空，明年将成为8寸晶圆代工大赢家。
过往8寸晶圆厂主要生产LCD驱动IC、电源管理芯片等产品，随著苹果新机导入指纹辨识芯片，非苹阵营明年全面跟进，相关芯片厂也开始卡位8寸晶圆产能，造就市场荣景。
此外，原以6寸生产金属化合物半导体场效晶体管(MOSFET)也为了提升竞争力，相继转入8寸厂生产，让8寸晶圆厂产能更为吃紧。
包括指纹辨识芯片、LCD驱动IC及电源管理芯片三大半
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联电 MOSFET LCD
- 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 5A、42V 输入同步降压型开关稳压器 LT8640。该器件采用独特的 Silent Switcher® 架构，整合了扩展频谱调制，即使开关频率超过 2MHz 时，依然能够将 EMI / EMC 辐射降低超过 25dB，从而使该器件能够轻松地满足汽车 CISPR25 Class 5 峰值限制要求。同步整流在开关频率为 2MHz 时可提供高达 95% 的效率。其 3.4V 至 42V 输入电压范围使该器件非常适合
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凌力尔特 LT8640 MOSFET
- 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出符合 MIL-STD-1275D 要求的浪涌抑制器解决方案，并展示在评估电路板 DC2150A 上。MIL-STD-1275D 是美国国防部制定的标准，规定了地面军用车辆所用 28V DC 电源的稳态和瞬态电压特性。当面对 MIL-STD-1275D 中严格规定的浪涌、尖峰和纹波波形时，DC2150A 可将输出电压限制到安全的 44V。就大多数应用而言，要满足该标准就是简单地将 DC2150A 电路放置到容限为 44V
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凌力尔特 DC2150A MOSFET
- 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日针对锂离子电池保护应用推出配备IR最新低压MOSFET硅技术的一系列器件，包括IRL6297SD双N通道DirectFET MOSFET。
全新功率MOSFET具有极低的导通电阻，可大幅减少导通损耗。产品可作为N通道及P通道配置的20V和30V器件，最高栅极驱动从12 Vgs起，非常适合包含了两个串联电池的电池保护电路。IRL6297SD
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IR MOSFET IRL6297SD
- 意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)的最新超结 (super-junction) 功率MOSFET满足家电、低能源照明系统以及太阳能微逆变器厂商对电源能效的要求，同时提供更高可靠性的最新且满足高功率密度的封装。
MDmesh M2系列产品拥有最新最先进的超结晶体管技术，取得了比上一代产品更低的导通电阻 (RDS(ON))，以及更低的栅电荷量 (QGD) 和输入/输出电容 (Ciss/Coss)。此外，这些产品更进一步降低了能耗和热耗散 (heat dissipation)
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意法半导体 MOSFET PowerFLAT
- 横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)庆祝罗塞塔号彗星探测器(Rosetta)及其菲莱号登陆器(Philae)成功登陆彗星。罗塞塔号和菲莱号内有10,000余颗意法半导体研制的高可靠性抗辐射芯片。
在历经10多年，长达60亿公里的漫长太空之旅后，罗塞塔号彗星探测器终于抵达并成功释放菲莱号登陆器登上67P/楚留莫夫-格拉希门克(67P Churyumov-Gerasimenko)彗星，菲莱号登陆器将完成拍摄彗星表面的图片，并分析彗星
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意法半导体 MOSFET
- 摘要：本系统实现输入直流电压15V，输出交流电压有效值10V，额定功率10W，交流电压频率在20至100Hz可步进调整。以MSP430单片机为控制核心，产生SPWM波控制全桥电路，然后经过LC滤波电路得到失真度小于0.5%的正弦波。采用PID算法反馈控制使输出交流电压负载调整率低于1%，采用开关电源作为辅助电源、合理选用MOSFET等使系统效率达到90%，采用输入电流前馈法来估计输出电流以实现过流保护以及自恢复功能。
引言
本次竞赛为全封闭式，不准利用网上资源，要求参赛队在两天时间内完成题
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正弦波 MSP430 单片机 SPWM MOSFET 201412
- 引言
在照明技术中，电子节能灯已经日益成为人们的首选，因为其应用范围广，节能环保性能好，是政府和企业节能减排的重要举措之一。在近几年中，我国为了推广电子节能灯的应用，采取了财政补贴政策，就像家电下乡一样，惠及全国百姓和消费者。
所谓电子节能灯，主要是指采用电子镇流器的紧凑型荧光灯(CFL)。镇流器和节能灯是一体化的，安装和更换像白炽灯灯泡一样方便。电子节能灯对镇流器的基本要求是：电路尽可能简单，元件数量少，成本低，性能稳定，安全可靠，使用寿命长。本文以飞兆半导体推出的FAN7710V新型镇
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FAN7710V 电子镇流器 MOSFET
- 大功率宽频带线性射频放大器模块广泛应用于电子对抗、雷达、探测等重要的通讯系统中，其宽频带、大功率的产生技术是无线电子通讯系统中的一项非常关键的技术。随着现代无线通讯技术的发展，宽频带大功率技术、宽频带跳频、扩频技术对固态线性功率放大器设计提出了更高的要求，即射频功率放大器频率宽带化、输出功率更大化、整体设备模块化。
通常情况下，在HF~VHF频段设计的宽带射频功放，采用场效应管(FET)设计要比使用常规功率晶体管设计方便简单，正是基于场效应管输入阻抗比较高，且输入阻抗相对频率的变化不会有太大的偏
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功率放大器 MOSFET
- 1、 概述
2、 基本同步整流电路
如图1所示电路，其副边为基本同步整流电路，关键波形见图2。当原边主开关管Q1开通时，通过变压器T1向副边传输能量，副边工作在整流状态，此时SR1的Vgs电压为变压器副边绕组电压，极性为正，SR2的Vgs电压为零，因而SR1导通，SR2关断;当原边主开关管Q1关断时，变压器T1原边绕组的励磁电流和负载电流流经C1，C1上的电压开始上升，当C1电压升至Vin时，原边绕组中的负载电流下降为0，在励磁电流的作用下原边励磁电感Lm与电容
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DC-DC 整流 MOSFET
- MOSFET是一个时代产物,随着MOSFET技术的进展，特别是大电流、小封装、低功耗的单芯片MOSFET出现，它的开关速度快/输入阻抗大/热稳定性好等等优点,已经成为工程师们的首选。
在EEPW论坛呆久了，看了好多网友问起MOS管的事情，有很多童靴对MOS管的使用不是很熟悉，今天有空给大家说几个关于MOSFET的技巧的几个实用技巧的事情。
为了把问题说的明白些，还是有必要把MOS管的身世先介绍一下。
MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道
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MOSFET MOS
- 英飞凌科技股份有限公司 今日宣布，基于ARM®内核的嵌入式功率系列桥式驱动器提供无以伦比的集成水平，以应对智能电机控制在广泛的汽车应用中日益增长的趋势。英飞凌利用ARM® Cortex™-M3处理器以及非易失存储器、模拟和混合信号外设、通信接口连同 MOSFET 栅极驱动器，将高性能微控制器集成到单芯片上，可谓业内首创。因此，英飞凌嵌入式功率系列为通常与16 位相关的应用空间实现了 32 位的性能。目前提供的嵌入式功率系列第一批产品的样品适用于采用三相(无刷直流)电机的TL
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英飞凌 ARM MOSFET
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