氮化镓(eGaN®)功率晶体管继续为电源转换应用设定业界领先的性能基准。由于氮化镓器件具有更低的导通电阻、更低的电容、更大的电流及卓越的热性能，因此使得功率转换器可实现超过98%的效率。
宜普电源转换公司宣布推出六个新一代功率晶体管及相关的开发板。这些由30 V至200 V的产品在很多应用可大大降低导通电阻(RDS(on))并可增强输出电流性能，例如具高功率密度的直流-直流转换器、负载点(POL)转换器、直流-直流及交流-直流转换器的同步整流器、马达驱动器、发光二极管照明及工业自动化等广
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宜普 EPC MOSFET
电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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DC/DC转换器 宽电流 MOSFET 集成型稳压器
全球功率半导体和管理方案领导厂商——国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR)推出汽车级COOLiRFET功率MOSFET AUIRFN8403，适合需要极小占位面积和大电流性能的汽车应用，包括泵电机控制和车身控制等。 使用紧凑5x6mm PQFN封装的AUIRFN8403，是IR运用该公司最先进的COOLiRFET 40V沟道技术的全新器件系列的首款产品，具有3.3 mΩ超低导通电阻和95A大电流承载能力。PQFN封装具有加长管脚，管脚的端口通过电镀进行焊接，从而
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IR MOSFET COOLiRFET
]新日本无线的MEMS传感器累计出货量突破1亿枚，这是新日本无线执行董事兼电子元器件事业部长村田隆明先生今年来访时带来的最新消息，同时在SAW滤波器、MOSFET、光电半导体器件、功率半导体器件和最新型运算放大器等各个方面都有了长足的进步。
记得去年七月份村田隆明来到本刊时，详细介绍了新日本无线将向综合电子元器件供应商转型的发展战略，而今表明这一战略转型已经初步完成。
电子元器件业务已占赢收85%
纵观新日本无线公司历长达50多年的发展历程，可以看到其业务构成主要是独特的模拟技术和微
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MEMS MOSFET 滤波器
球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出大罐式DirectFET MOSFET系列，适用于要求极低导通电阻 (RDS(on)) 的工业应用，包括大功率直流电机，直流/交流逆变器，以及动态ORing热插拔和电熔丝等大电流开关应用。
全新7mm x 9mm x 0.7mm大罐式封装器件提供卓越的导通电阻性能，从而实现较低的导通损耗和更理想的系统效率。这款大罐式产品与中罐式和小罐式DirectFET器件相似，具备
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IR MOSFET DirectFET
最高性能的金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)将不再由矽晶制成。根据近日在美国夏威夷檀香山举行的2014VLSI技术研讨会上的研究人员们表示，未来，这种MOSFET将改采三五(III-V)族材料在矽基板上生长而成。
在一场由Semiconductor Research Corporation(SRC)所举行的产品展示中，美国加州大学圣塔巴巴拉分校(UCSB)的研究人员们展示他们所宣称世界上最高性能的MOSFET──这种MOSFET是由在(InP)上的砷化铟镓(InGaAs)所形成;这种
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III-V族 MOSFET
最高性能的金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)将不再由矽晶制成。根据近日在美国夏威夷檀香山举行的2014 VLSI技术研讨会上的研究人员们表示，未来，这种 MOSFET 将改采三五(III-V)族材料在矽基板上生长而成。
在一场由Semiconductor Research Corporation(SRC)所举行的产品展示中，美国加州大学圣塔巴巴拉分校(UCSB)的研究人员们展示他们所宣称世界上最高性能的 MOSFET ──这种 MOSFET 是由在 (InP)上的砷化铟镓(InGaA
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矽晶 MOSFET
功率器件一直都是由材料引导技术革新，硅材质的MOSFET已经应用多年，现在面临在功率密度、工作温度和更高电压方面的技术挑战，而解决这一问题最根本的办法是采用更高性能的材料。
宜普电源转换公司(EPC)是首家推出替代功率MOSFET器件的增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管的公司，他们希望借助技术优势快速推广其技术和产品，并于未来数年间取代硅功率MOSFET器件及IGBT，抢夺超过百亿美元的功率转换市场份额。
增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管作为宽频隙器件，其优势包括具有更高功率密度、更
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MOSFET EPC eGaN 201406
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，该公司的Si8851EDB TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET荣获《电子产品世界》杂志的2013年度电源产品奖。 《电子产品世界》年度电源产品奖评选已经举行了11年，面向全球的电源供应商征集参选产品。五个门类的最佳产品奖和最佳应用奖的获奖产品是通过在线投票，以及《电子产品世界》的编辑、专家和工程师的严格评审选出的。Vishay的Si8851EDB能够在便携式计算设备中显著提高效率
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Vishay MOSFET 电子产品世界
致力于提供功率、安全、可靠与高性能半导体技术方案的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC) 推出全新碳化硅(Silicon Carbide, SiC) MOSFET产品系列 ─ 1200V解决方案。这系列创新SiC MOSFET器件设计用于效率至关重要的大功率工业应用，包括用于太阳能逆变器、电动汽车、焊接和医疗设备的解决方案。 美高森美拥有利用SiC半导体市场增长的良好条件，据市场研究机构Yole Développement预计，从201
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美高森美 MOSFET SiC
开关电源是利用现代电力电子技术，控制开关管开通和关断的时间比率，维持稳定输出电压的一种电源，开关电源一般由脉冲宽度调制控制IC和MOSFET构成。随着电力电子技术的发展和创新，使得开关电源技术也在不断地创新。目前，开关电源以小型、轻量和高效率的特点被广泛应用几乎所有的电子设备，是当今电子信息产业飞速发展不可缺少的一种电源方式。
根据中国电源学会收集整理的数据，2008年全国开关电源(主要包含消费类开关电源、工业类开关电源、通信电源、PC电源，下同)产值达到855亿元，2009年达931亿元，
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开关电源 MOSFET
1.前言
变频器在能源节约、电力环保方面意义重大，电动机驱动是电能消耗大户，约消耗全国65%发电量，近三十多年来变频调速已在钢铁、冶金、石油、化工、电力等工作中得到广泛运用，其他家用电器例如变频冰箱，变频洗衣机、变频微波炉等也已相继出现，因此设计可靠高性能的变频器电源尤为重要。
变频技术目前得到了广泛的应用，而变频器的可靠稳定运行决定了变频器性能指标，作为基础硬件，变频器电源的高效可靠运行至关重要。如图1所示为变频器的拓扑结构，主要由整流单元、预充电电路、制动单元和逆变单元组成，从图中可知，变频器电源
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AN8026 MOSFET
随着城市快节奏的发展，大多数人拥有自己的车，这也使得交通变得拥堵，而汽车在高峰期的走走停停会耗掉很多的能源，不仅浪费还污染环境。故而引进了汽车系统中的“启停”功能，但是这种系统也给汽车电子带来了一些独特的工程技术挑战，汽车启停系统中电源设计是一大难题。本文就为大家介绍一种用于汽车启停的低耗能电源设计。
为了控制燃油消耗，许多汽车制造商在下一代汽车中实现了“启停”功能，而且为数众多的这种汽车已经开始上路。这些系统会在汽车停下来时关闭发动机，当脚从刹车踏板移动
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P-FET MOSFET
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日推出60V器件以扩充StrongIRFET MOSFET系列，适合多种工业应用，包括电动工具、轻型电动车逆变器、直流电机驱动器、锂离子电池组保护及开关模式电源二次侧同步整流等。 全新60V StrongIRFET功率MOSFET系列具有可提升低频应用性能的超低导通电阻 (RDS(on))、极高的电流承载能力、软体二极管，以及有助于提高噪声免疫力的3V典型临界
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IR StrongIRFET MOSFET
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