- 什么是功率MOSFET？我们都懂得如何利用二极管来实现开关，但是，我们只能对其进行开关操作，而不能逐渐控制信...
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功率 MOSFET 基础知识
- 一、引言电力电子设备正朝着高频、高效、高可靠、高功率因数和低成本的方向发展，功率器件则要求高速、...
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IGBT MOSFET
- 日前，集设计，研发一体的著名功率半导体及芯片供应商万国半导体(AOS, 纳斯达克代码: AOSL)发布了旗下最新150V MOSFET器件: AON6250。该器件作为AOS AlphaMOS™ (MOS™)中压系列旗舰产品，为众多设备追求极致效率提供了解决方案。
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AOS AON6250 MOSFET
- 高分辨率、紧凑有源整流桥应用(如网络摄像机)中的过热可能导致图像质量问题。 同样，热致噪声可能影响系统的图像传感器，也会降低相机的图片质量。 调节热波动的典型散热解决方案会增加元件数量，占用电路板空间，让这些设计变得更复杂。
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飞兆 FDMQ86530L MOSFET
- 我们在做电路设计中三极管和MOS管做开关用时候有什么区别。工作性质：1.三极管用电流控制，MOS管...
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MOSFET 三极管
- 本应用笔记提供了一个低功耗投影仪RGBLED驱动器的参考设计。基于单芯片MAX16821构建大电流LED驱动器，能够为...
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MOSFET 降压转换器 RGB LED
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，发布新款采用热增强型PowerPAK® SO-8封装的新款N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiR872ADP，将该公司的ThunderFET®技术的电压扩展至150V。
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Vishay DC/DC MOSFET SiR872ADP
- 针对IGBT和MOSFET可再生能源应用的35V、单通道栅极驱动器,引言对电能转换而言，可再生能源电子细分市场是一个复杂且多样化的竞技场。在一些负载点应用中，开关型功率转换器通常为非隔离式，功率水平相当低(200 W)，并且常常会把电
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IGBT MOSFET 栅极驱动器
- 在绿色能源和节能计划的带动下，加之出口回升，预计今年中国市场的功率MOSFET出货量继2011年大幅下滑之后反弹。这暗示中国以及其它主要全球经济体的形势好转。功率MOSFET广泛用于多种电子产品与系统之中。
据IHS公司的中国研究专题报告，今年中国功率MOSFET产业的营业收入预计为22.5亿美元，比2012年的21.8亿美元增长3%。去年该市场比2011年的23.7亿美元下降8%。
明年增长将更加强劲，预计营业收入上升11%，随后每年将保持稳定增长，至少保持到2017年。到2017年，预
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消费电子 MOSFET
- 常用功率器件MOSFET的基础知识介绍,我们都懂得如何利用二极管来实现开关，但是，我们只能对其进行开关操作，而不能逐渐控制信号流。此外，二极管作为开关取决于信号流的方向;我们不能对其编程以通过或屏蔽一个
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MOSFET 功率器件
- 摘要：在分析了功率MOSFET其结构特性的基础上，讨论驱动电路的设计，从而优化MOSFET的驱动性能，提高设计的可靠性。
关键词：MOSFET；急聚点；损耗
功率MOSFET具有开关速度快，导通电阻小等优点，因此在开关
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MOSFET 急聚点 损耗
- L为PCB走线电感，根据他人经验其值为直走线1nH/mm，考虑其他走线因素，取L=Length+10（nH），其中Length单位取mm。Rg...
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MOSFET 驱动电阻
- 在电源设计小贴士#42中，我们讨论了MOSFET栅极驱动电路中使用的发射器跟踪器，并且了解到利用小型SOT-23...
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MOSFET 驱动器
- 要点1.导通电阻与栅极电荷规格的改善正在变得更难以实现和更昂贵。2.作为功率开关器件的选择，硅远未到...
- 关键字：
晶圆减薄 MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出用于功率MOSFET、microBUCK® 功率IC和DrMOS产品的免费在线热仿真工具ThermaSim 3.0版。为精确分析仿真的温度曲线，功能强大的最新版本ThermaSim引入了很多关键特性，比如裸片温度对功率耗散的时间缩放功能，定义更多的真实条件以提高仿真精度和设计灵活性，减轻对用户使用经验的要求。
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Vishay MOSFET DrMOS
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