东京—东芝公司(TOKYO：6502)日前宣布通过“MOSFET”扩充移动设备锂离子电池和电源管理开关专用保护电路中使用的低压N通道MOSFET的阵容。TPN2R203NC采用第八代工艺打造，实现了低导通电阻，可减少设备的传导损失。
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东芝 MOSFET 锂离子电池
东京—东芝公司(TOKYO：6502)日前宣布为其用于基站和服务器的通用直流-直流转换器功率MOSFET阵容增加60V电压产品。这些产品使用最新的第八代低电压沟槽结构，并实现了顶尖[1]低导通电阻和高速开关性能。即日开始批量生产。
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东芝 MOSFET
东京—东芝公司(TOKYO：6502)日前宣布为专用于基站和服务器的通用DC-DC转换器推出30V电压功率MOSFET系列。这些产品采用了最新的第八代低压沟槽结构，实现了最高级别的低导通电阻和高速转换。该系列产品计划于6月底投入量产。
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东芝 MOSFET 电阻
摘要：由于铜丝键合可以替代金键合，价格又便宜，正在被越来越多地应用到微电子元器件当中。目前的情况表明铜是可行的替代品，但是证明其可靠性还需要采用针对铜丝键合工艺的新型失效分析(FA)技术。
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铜丝键合 MOSFET 金键合 失效分析 金属层 201308
电机控制系统设计人员需要能够在严苛的应用条件下，提高效率同时确保最高可靠性的解决方案。为此，飞兆半导体开发了SPM® 5 智能功率模块系列三相 MOSFET 逆变器解决方案，为设计人员提供交流感应电机 (ACIM) 和无刷直流电机逆变器解决方案，适用于功率最高为 200 W 的电机，包括风扇电机、洗碗机和各种小型工业电机。
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飞兆 MOSFET SPM
用肖特基二极管实现多电源系统有多种方式。例如，µTCA 网络及存储服务器等高可用性电子系统都在其冗余电源系统中采用了肖特基二极管“或”电路。二极管“或”电路还用于采用备用电源的系统，例如 AC 交流适配器和备份电池馈送。
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凌力尔特 肖特基二极管 MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出采用PowerPAK® 1212-8封装的-40V---SiS443DN和PowerPAK® 1212-8S封装的-30V---SiSS27DN器件，扩充其TrenchFET® Gen III P沟道功率MOSFET。
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Vishay MOSFET
虽然所有领先指标都显示2013年下半年将恢复季节性增长，但包括半导体在内的电子元件产业目前订单情况逊于当前市场复苏阶段的预期水平。据IHS公司的元件价格走势追踪服务，这种需求缺口可能限制今年电子元件市场的增长幅度。
2013年商品类芯片的总体前景仍然坚挺，预计半导体营业收入增长4.8%，尽管该市场的各个领域不会同样强劲。
在假日季节之前的这个时期，MOSFET、电容与逻辑器件的订单活动没有呈现出通常的水平。这个阶段通常出现交货期延长和价格上涨现象，而目前尚未看到这些情况。同时，消费电子、汽
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电子元件 MOSFET
欢迎来到电源设计小贴士！随着现在对更高效、更低成本电源解决方案需求的强调，我们创建了该专栏，就各种电源管理...
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工作频率 MOSFET Pcon
飞兆半导体公司是高性能功率半导体和移动半导体解决方案的全球领先供应商，通过引入 100 V BoostPak 设备系列优化 MOSFET 和二极管选择过程，将 MOSFET 和二极管集成在一个封装内，代替 LED 电视 / 显示器背光、LED 照明和 DC-DC 转换器应用中目前使用的分立式解决方案。
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飞兆 MOSFET LED
安森美半导体 (ON Semiconductor) 推出两款新的MOSFET器件，用于智能手机及平板电脑应用，作为锂离子电池充电/放电保护电路开关的关键组成部分。EFC6601R和EFC6602R帮助设计人员减小方案尺寸、提升能效及将电池使用时间延至最长。
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安森美 MOSFET 锂离子电池
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，其E系列器件新增650V功率MOSFET。这些22款新器件采用8种不同封装，将10V下的导通电阻扩展到30mΩ～600mΩ，将最高电流等级扩大为6A～105A。
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Vishay E系列 MOSFET
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