东芝推出高压MOSFET “πMOS VIII”系列
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可将导通电阻降低约24%
本文引用地址：https://www.eepw.com.cn/article/159263.htm
东京—东芝公司(TOKYO：6502)日前宣布推出新系列高压MOSFET “πMOS VIII”系列，并推出了该系列的首款产品“TK9J90E”，并计划于2013年8月投入量产。
通过优化芯片设计，可将其单位面积导通电阻(Ron•A)较同类产品[1]降低约24%;而门极电荷(Qg)性能降低约24%，则可将关断时间(toff)改善约28%。
主要规格
| 产品型号 | 封装 | 绝对最大额定值 | RDS（ON）最大值（Ω） | Qg标准值 （nC） |
Ciss标准值 （pF） |
|
|---|---|---|---|---|---|---|
| VDSS（V） | ID（A） | VGS=10V | ||||
| TK9J90E | TO-3P（N） | 900 | 9 | 1.3 | 46 | 2000 |
[1] 与“2SK3878”对比。
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