东芝扩充低压N通道MOSFET阵容 —— 低导通电阻可减少移动设备的传导损失 作者： 时间：2013-08-13 来源：电子产品世界 加入技术交流群 扫码加入和技术大咖面对面交流海量资料库查询 收藏 <a href='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/ck.php?n=a635e61e&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE' target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a href='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/ck.php?n=a576c0a2&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE' target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> 东京—东芝公司(TOKYO：6502)日前宣布通过“MOSFET”扩充移动设备锂离子电池和电源管理开关专用保护电路中使用的低压N通道MOSFET的阵容。TPN2R203NC采用第八代工艺打造，实现了低导通电阻，可减少设备的传导损失。本文引用地址：https://www.eepw.com.cn/article/158932.htm 主要特性 采用第八代工艺打造，实现低导通电阻 采用TSON Advance封装，具有很好的导热性 高雪崩电阻 主要规格 离子色谱仪相关文章:离子色谱仪原理
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