- Allegro MicroSystems, LLC 公司宣布推出针对多输出系统的新型双转换器。Allegro’经 AEC-Q100 标准认证的 A8651 是双 2 A 低 VIN 同步稳压器，带可调频率，整合了高端 P 通道 MOSFET 和低端 N 通道 MOSFET。A8651 整合电流模式控制，可
- 关键字：
Allegro 双转换器 MOSFET
- 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
- 关键字：
供电处理器 凌力尔特 MOSFET 均流控制器 二极管
- 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高效率副边 MOSFET 驱动器 LT8311，该器件在隔离式同步正向转换器中无需原边控制就可工作。LT8311 采用独特的预测模式，通过在副边检测信号以控制同步整流，无需信号变压器实现原边至副边通信。这种模式减少了组件数量和解决方案尺寸。 LT8311 在 3.7V 至 30V
- 关键字：
凌力尔 MOSFET LT8311
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用超小尺寸的热增强PowerPAK® SC-70封装的新款双片N沟道TrenchFET®功率MOSFET。Vishay Siliconix SiA936EDJ可在便携式电子产品中节省空间并提高电源效率，在4.5V和2.5V栅极驱动下具有20 V(12V VGS和8V VGS)器件中最低的导通电阻，占位面积为2mm x 2mm。
- 关键字：
Vishay MOSFET SiA936EDJ
- 德州仪器 (TI) 宣布推出 14 款采用 TO-220 及 SON 封装的功率 MOSFET，其支持 40V 至 100V 输入电压，进一步壮大了 TI 普及型 NexFET 产品阵营。高效率 NexFET 包括 40V、60V、80V 以及 100V N 通道器
- 关键字：
TI TO-220 MOSFET NexFET
- 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出能接受 76V 输入的高效率降压型转换器 LTC3637，该器件可提供高达 1A 的连续输出电流。它在 4V 至 76V 的输入电压范围内工作，非常适用于电信、工业、航空电子和汽车应用。LTC3637 运用可编程峰值电流模式设计，在很宽的输出电流范围内优化效率。该器件提供高达&nbs
- 关键字：
Linear LTC3637 MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出用于电机驱动、太阳能逆变器、新能源和焊接设备，以及其他高工作电压应用的新款IGBT和MOSFET驱动器VOW3120-X017T，扩充其光电子产品组合。VOW3120-X017T的最短电气间隙和外爬电距离为10mm。该器件不仅具有长隔离距离，还具有1414V的VIORM和8000V的VIOTM高隔离电压，非常适合在高工作电压下运转的应用及污染程度较重的环境。 除了具有优异的隔离能力，使用可靠和久经考验的光电子
- 关键字：
Vishay IGBT MOSFET VOW3120
- 英飞凌科技股份公司日前推出200V和250V OptiMOSTM FD，进一步完善了中压产品组合。作为针对体二极管硬式整流进行优化的最新一代功率MOSFET，这些器件更加可靠耐用，具有更低的过冲电压和更低的反向恢复损耗，有助于实现最可靠的系统，特别是在硬开关应用中，如通讯系统、工业电源、D类音频放大器、电机控制(适用于48–110V系统)和直流/交流逆变器等。 提高可靠性，同时节省成本 OptiMOS FD家族具备针对最高性能标准而优化的反向恢复电荷(Qrr)。相比标
- 关键字：
英飞凌 OptiMOS MOSFET
- 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出反激式副边同步整流器驱动器 LT8309，该器件采用 MOSFET 取代了输出二极管，无需使用散热器就可允许高达 10A 的输出电流。
- 关键字：
凌力尔特 LT8309 MOSFET
- 电子技术发展至今，主要在拼什么？功耗、成本、快速性成为很多公司对外宣传的杀手锏，那么在这个速食的时代，下一代晶体管技术又将何去何从呢？
- 关键字：
MOSFET 晶体管
- 2014 年 2 月 19 日，凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出大功率两相单输出同步升压型 DC/DC 控制器 LTC3784，该器件采用高效率 N 沟道 MOSFET 取代了整流升压二极管。
- 关键字：
凌力尔特 LTC3784 DC/DC MOSFET
- 在了解了三极管/MOSFET的原理之后，就可以涉及具体的电路来放大信号了。但是刚一拿起铅笔和稿纸就发现一个非常现实的问题那就是三极管或者是MOSFET的放大倍数都不是那么稳定的，例如说三极管的电流增益Beta就是受到工艺影响非常大的一个指标，如果我们要对信号进行非常精准的放大仅仅依靠三极管的原生放大倍数肯定是不行的。
- 关键字：
三极管 MOSFET 放大器 电路 增益
- 2014年2月13日，许多终端应用 – 比如IP电话、电机控制电路、有源钳位开关和负载开关 – 需要以更小的尺寸提供更高的能效，以便满足制造商的要求。飞兆半导体开发了FDMC86xxxP系列P沟道PowerTrench® MOSFET，在尺寸减小的同时可实现卓越的开关速度和功耗性能。
- 关键字：
飞兆 MOSFET
- 2014 年 1 月22 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET---Si7157DP，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。
- 关键字：
Vishay MOSFET Si7157DP
mosfet-driver介绍
您好，目前还没有人创建词条mosfet-driver!
欢迎您创建该词条，阐述对mosfet-driver的理解，并与今后在此搜索mosfet-driver的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
