- 导入栅极屏蔽结构 沟槽式MOSFET功耗锐减-更高系统效率和功率密度，是现今数据和电信电源系统设计的首要目标。为达此一目的，半导体开发商研发出采用栅极屏蔽结构的新一代沟槽式金属氧化物半导体场效电晶体（MOSFET），可显著降低全负载及轻负载时的功率损耗。
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MOSFET 栅极屏蔽 快捷半导体
- 为反向极性保护设计一个电路-反向极性解决方案被看成是一个迫不得已、不得不做的事情。例如，在汽车系统中，搭线启动期间，防止电池反接或者电缆反向连接很重要，然而系统设计人员也必须忍受反向极性保护出现时的功率损耗。
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汽车电池 反向极性保护 二极管 MOSFET
- 有刷直流栅极驱动器的演变-回望在电子产品领域奋战的20年，我们已走过了漫漫长路。2015年正发布的组件具有无与伦比的精细度和集成度。处理器速度更快，发光二极管（LED）亮度更高，存储器密度更大，每样东西的功耗都更低，并且集成电路（IC）集成了比以往任何时候都多的组件。
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MOSFET 栅极驱动器 集成电路
- 模块电源的散热应对措施- 本篇文章以实例为基准，分析一个设计方案中的模块电源散热问题。本文的中的模块采用100W，Vin24VVout5V，采用单管正激电路，使用的是UC3843B芯片控制，没有采用有源嵌位和同步整流，工作频率为300KHZ。
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MOSFET 二极管 模块电源
- 基于MPS芯片的系统电源解决方案-隔离电源模块可以高效解决各种端口干扰，开关芯片转换出各种系统所需电压，LDO给MCU处理器提供稳定可靠的电能。电源模块与芯片方案需要互助互补，各取所长才能共建一个良好的系统供电环境，同时开启它们的共赢之路。
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MPS模块 MOSFET LDO DC-DC
- Littelfuse, Inc.，作为全球电路保护领域的领先企业，今日宣布推出了首个碳化硅(SiC)MOSFET产品系列，成为该公司不断扩充的功率半导体产品组合中的最新系列。 Littelfuse在3月份投资享有盛誉的碳化硅技术开发公司Monolith Semiconductor Inc.，向成为功率半导体行业的领军企业再迈出坚定一步。LSIC1MO120E0080系列具有1200V额定功率和超低导通电阻(80mΩ)，是双方联手推出的首款由内部设计、开发和生产的
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Littelfuse MOSFET
- 采用自举升压结构设计双电压mosfet驱动电路-自举升压电路的原理图如图1所示。所谓的自举升压原理就是，在输入端IN输入一个方波信号，利用电容Cboot将A点电压抬升至高于VDD的电平，这样就可以在B端输出一个与输入信号反相，且高电平高于VDD的方波信号。具体工作原理如下：
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mosfet 驱动电路
- 功率mos管工作原理与几种常见驱动电路图-本文介绍功率mosfet工作原理、几种常见的mosfet驱动电路设计，功率mosfet驱动电路原理图。
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驱动电路 mosfet 电路图
- 利用单个反馈源实现任意量级偏置电流网络-假设须要生成一些任意数量（以N为例）的电流沉/源（current sink/source），而每个电流沉/源的大小任意，可能须要针对不同阶段的一些复杂模拟电路进行偏置。虽然基准电压的生成仅须一次实施即可，电流沉整个反馈部分的重复进行却使成本与设计空间密集化。
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模拟电路 MOSFET
- MOSFET 安全工作区对实现稳固热插拔应用的意义所在-即使是在插入和拔出电路板和卡进行维修或者调整容量时，任务关键的伺服器和通信设备也必须能够不间断工作。热插拔控制器 IC 通过软启动电源，支持从正在工作的系统中插入或移除电路板，从而避免了出现连接火花、背板供电干扰和电路板卡复位等问题。控制器 IC 驱动与插入电路板之电源相串联的功率 MOSFET 开关 （图 1）。电路板插入后，MOSFET 开关缓慢接通，这样，流入的浪涌电流对负载电容充电时能够保持在安全水平。
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mosfet linear
- 摘要 本文评测了主开关采用意法半导体新产品650V SiC MOSFET的直流-直流升压转换器的电热特性，并将SiC碳化硅器件与新一代硅器件做了全面的比较。测试结果证明，新SiC碳化硅开关管提升了开关性能标杆，让系统具更高的能效，对市场上现有系统设计影响较大。 前言 市场对开关速度、功率、机械应力和热应力耐受度的要求日益提高，而硅器件理论上正在接近性能上限。 宽带隙半导体器件因电、热、机械等各项性能表现俱佳而被业界看好，被认为是硅半导体器件的替代技术。在这些新材料中，兼容硅
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MOSFET SiC
- 什么是同步整流器？开关MOSFET较同步整流器在功率电源中的耗散如何？-同步整流是采用通态电阻极低的专用功率MOSFET，来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术。它能大大提高DC/DC变换器的效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压。
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整流器 mosfet 二极管
- 用GaN重新考虑功率密度-电力电子世界在1959年取得突破，当时Dawon Kahng和Martin Atalla在贝尔实验室发明了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。首款商业MOSFET在五年后发布生产，从那时起，几代MOSFET晶体管使电源设计人员实现了双极性早期产品不可能实现的性能和密度级别。
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mosfet 氮化镓 pfc
- 平面式高压MOSFET的结构
图1显示了一种传统平面式高压MOSFET的简单结构。平面式MOSFET通常具有高单位芯片面积漏源导通电阻，并伴随相对更高的漏源电阻。使用高单元密度和大管芯尺寸可实现较低的RDS(on)值。但大单元密度和管芯尺寸还伴随高栅极和输出电荷，这会增加开关损耗和成本。另外还存在对于总硅片电阻能够达到多低的限制。器件的总RDS(on)可表示为通道、epi和衬底三个分量之和：
RDS(on) = Rch + Repi + Rsub
图1：传统平面式MOSF
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MOSFET 超级结
- 今天，做一个产品或系统的电路保护方案，特别是智能电网等工业应用的端口保护设计，就像是组织一场足球比赛的防御战：你需要有大牌的球(yuan)星(jian)，还需要有将他们捏合在一起的战术，去抵御来自对手的每一次可能的“进攻”。这其中的门道儿不少，但也有套路可寻，今天我们就来看看世健(Excelpoint)作为工业电路保护界的“豪门”，是怎么玩儿的。 那些明星元件 先来细数一下世健帐下那些在智能电网上可堪重用的电路保护元件“球星”，它们大多来自Bourns公司，每颗料都很有“料”。比如： TBU高速
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智能电网 MOSFET
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