- 由于不间断电源的兴起,IGBT技术得以飞速发展。IGBT的特点是具有电流拖尾效应,因此在关断的瞬间对于抗干扰的性能要求非常严格,需要负压驱动进行辅助
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MOSFET IGBT 隔离驱动
- 摘要:为了有效解决金属一氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在通信设备直流-48 V缓启动应用电路中出现的开关损耗失效问题,通过对MOSFET栅极电荷、极间
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MOSFET 带电插拔 缓启动 开关损耗
- 1.MOSFET栅极驱动电平的上升时间和下降时间功率MOSFET具有导通电阻低、负载电流大的优点,因而非常适合用作开关电源(switch-mode power supplies,S
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MOSFET 笔记本电源 降压变换器
- 在传统应用领域,功率半导体分立器件引领工业发展方式向节能型转变,实现家电工业转型升级,优化产业结构。而随着物联网、云计算、新能源、节能环保等新兴产业的高速发展,新兴领域成为支撑功率半导体分立器件保持较好发展势头的重要市场。
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功率半导体 MOSFET
- 在看到MOSFET数据表时,你一定要知道你在找什么。虽然特定的参数很显眼,也一目了然(BVDS、RDS(ON)、栅极电荷),其它的一些参数会十分的含糊不清、模
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MOSFET 雪崩
- MOSFET涨价已经很长一段时间,从今年年初至今,其涨价幅度已经达到了5%-10%,相对另外一种被动元器件MLCC,MOSFET涨价幅度还算在可接受范围之内。简而言之,今年以来MOSFET一直处于供货吃紧状态,包括英飞凌、威世、意法半导体、安森美等国际IDM大厂近些年并没有新增产能。 由于去年下半年以来,汽车电子、物联网、云端计算等新应用加大对MOSFET的需求,导致电脑以及智能手机等3C电子产品用MOSFET供货严重不足,价格已经从今年年初上涨至今持续了3个季度!据市场表示,今年上半年MOSFET
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中兴 ODM OEM MOSFET
- 功率 MOSFET 是众多汽车子系统的重要组成部分,其能够帮助实现各种各样的功能,包括负载切换、电机控制以及DC/DC转换等。SQJQ480E 的意义在于它可以处
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MOSFET DC/DC转换 SQJQ480E
- IGBT基础与运用 IGBT, 中文名字为绝缘栅双极型晶体管,它是由MOSFET(输入级)和PNP晶体管(输出级)复合而成的一种器件,既有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快 的特点(控制和响应),又有双极型器件饱和压降低而容量大的特点(功率级较为耐用),频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz 频率范围内。 理想等效电路与实际等效电路如图所示: IGBT 的静态特性一般用不到,暂时不用考虑,重点考虑动态特性(开关特性)。 动态特性的简易过程可从下面的表格和图形中获取
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IGBT,MOSFET
- 随着电子产品功能愈来愈多元,对于低功耗的要求也愈来愈高, MOSFET成为车用电子、电动车势不可挡的必备功率组件,而在目前市面上产能不足,客户庞大需求下,电子产品验证服务龙头-iST宜特科技今宣布,正式跨入「MOSFET晶圆后端处理集成服务」,目前已有20多家海内外厂商,包括全球知名晶圆厂、IDM厂商、IC设计企业已于今年第一季底,前来宜特进行工程试样,并于第二季初开始进行小量产,并在下半年正式量产。 宜特董事长 余维斌指出,在车用可靠度验证分析本业上,已做到亚洲龙头,然而在服务客户的同时,发现了此
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MOSFET 晶圆
- 意法半导体的VIPer11离线转换器内置800V耐雪崩MOSFET,可帮助设备制造商设计更耐用的辅助电源和电源适配器,其26Vdc漏极启动电压允许超宽的线路输入电压,并提高诸多消费和工业电源的灵活性。 逻辑级原边MOSFET让VIPer11能够在4.5V至30V的宽电源电压范围内工作,可用于设计高效的5V输出开关电源。结合内部高压启动、误差放大器和降低EMI干扰的抖动振荡器等功能,这种优势可简化设计,节省空间和物料清单成本。 VIPer11高压转换器可实现由整流的AC线或其它直流电源直接供电的反激
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意法半导体,MOSFET
- 前言 包括光伏逆变器、电气驱动装置、UPS及HVDC在内的功率转换系统,需要栅极驱动器、微控制器、显示器、传感器及风扇来使系统正常运行。这类产品需要能够提供12V或24V低电压电源的辅助电源。辅助电源则需要输入通常工业设备所使用的三相400/480V AC电源、或太阳能光伏逆变器所使用的高电压DC电源才能工作。本文将介绍融入了ROHM的SiC技术优势且设计简单、性价比高的电源解决方案。 小型辅助电源用SiC MOSFET 图1是辅助电源所用的普通电路。在某些输入电压条件下,MOSFET的最高耐压
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SiC,MOSFET
- 最初为高压器件开发的超级结MOSFET,电荷平衡现在正向低压器件扩展。虽然这极大地降低了RDS(ON) 和结电容,但电荷平衡使后者非线性进一步加大。MOSFET有效储存电荷和能量减少,而且显著减少,但计算或比较不同MOSFET参数以获得最佳性能变得更加复杂。 MOSFET三个相关电容不能作为VDS的函数直接测量,其中有的需要在这个过程中短接或悬空。数据手册最终测量给出的三个值定义如下: CiSS = CGS + CGD COSS = CDS + CDG CRSS = CGD 三者中,输入电容CG
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MOSFET 非线性电容
- MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选择合适的电路。下面一起探讨MOSFET用于开关电源的驱动电路。 在使用MOSFET设计开关电源时,大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、最大电压、最大电流。但很多时候也仅仅考虑了这些因素,这样的电路也许可以正常工作,但并不是一个好的设计方案。更细致的,MOSFET还应考虑本身寄生的参数。对一个确定的MOSFET,其驱动电路,驱动脚输出的峰值电流,上升速率等,都会影响MOSFET的
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MOSFET 电源IC
- 全球电路保护领域的领先企业Littelfuse, Inc.与从事碳化硅技术开发的德州公司Monolith Semiconductor Inc.今天新推出两款1200V碳化硅(SiC) n通道增强型MOSFET,为其日益扩展的第一代电源半导体器件组合注入新鲜血液。 Littelfuse与Monolith在2015年结成战略合作关系,旨在为工业和汽车市场开发电源半导体。这种新型碳化硅MOSFET即为双方联手打造的最新产品。 这些产品在应用电力电子
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Littelfuse MOSFET
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